The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers Vol. 67P, No. 4, pp. 214～220, 2018 http://doi.org/10.5370/KIEEP.2018.67.4.214
DBD 전극구조에서의 He 가스 글로우방전 특성연구
The Study on the Properties of He Glow discharge
in a Dielectric Barrier Discharge (DBD) Model
소 순 열
†(Soon-Youl So)
Abstract – Light sources induced by gas discharge using rare gases have been widely used in the thin film deposition, the surface modification and the polymer etching. A dielectric barrier discharge (DBD) has been developed in order to consistently emit light and control the wavelength of the emission light. However, much research on the characteristics of the movement of discharge particles is required to improve the efficiency of the light lamp and the life-time of the light apparatus in detail. In this paper, we developed a He DBD discharge simulation tool and investigated the characteristics of discharge particles which were electrons, two positive ions (He+, He2+) and 5 excited particles (He*(1S),
He*(3S), He*, He**, He***). The discharge currents showed the transition from pulse mode to continuous mode with the increase of power. With the accumulated charges on the barrier walls, the discharge current was rapidly increased and caused oscillation of the discharge voltage. As the gas pressure increased, He2+ and He*(3S) became the dominant
activated particles. The input power was mostly consumed by electrons and He2+ ion. And the change curve showed that
power consumption by electrons increased more with gas pressure than with source voltage or frequency.
Key Words : Dielectric Barrier discharge, Glow discharge, He gas, Fluid model
† Corresponding Author : Dept. of Electrical and Control Engineering, Mokpo National University, Korea
E-mail : [email protected] 접수일자 : 2018년 11월 6일 최종완료 : 2018년 11월 29일 1. 서 론 비활성 기체를 이용한 기체방전에서 발생된 빛 광원은 박 막 필름 및 고농도 SiO2의 증착에 널리 사용되었고, 필름의 표면개선과 폴리머 에칭에도 이용되고 있다[1-3]. 그러나, 이러한 빛 광원을 이용한 산업에서는 광원의 효율이 낮고 높은 출력을 필요로 하는 등의 문제점을 안고 있고, 또한 수 명이 긴 광원기구의 개발연구가 요구되었다. 이 문제점을 해 결할 수 있는 방안 중의 하나로, 유전체장벽 방전 (DBD; Dielectric Barrier Discharge)을 이용한 연구가 활성화되었 다[4-7]. DBD 방전은 전극면에 유전체를 삽입하여 방전을 형성하는 유전체장벽 방전구조로 UV 광원, 엑시머 레이저 및 다양한 램프 제작에 폭 넓게 활용되고 있다. 그러나, 광 원기구의 향상을 위해서, DBD 방전에 대한 미시적 관점에 서의 세밀한 연구가 더욱 필요하다. 특히, DBD 방전에 의한 여기입자들의 발생과 공간적 분포, 전자 및 이온의 하전입자 들의 미시적 운동과 충돌반응의 특성을 세밀히 이해하는 것 이 광원의 효율증대와 광원기구 제작에 매우 중요한 것으로 사료된다[8, 9]. 본 논문에서는 DBD 방전모델을 개발하였고, He 기체의 충돌단면적과 반응계수를 활용한 수치해석 기법을 통하여 시뮬레이션을 수행하였다. 1차원 유체모델을 이용한 He 기 체방전의 미시적, 공간적 특성을 비교 및 분석하였다. 그리 고, 유전체에 의한 방전 공간내의 전류-전압 특성과 유전체 에 축적되는 전하의 형성과정을 세부적으로 이해하고자 하 였다. 또한, 램프나 엑시머와 같이 빛의 활용을 극대화하는 데 이용되는 여기입자들의 특성을 분석하고자 전원전압, 전 원주파수 및 기체 압력의 변화조건에 따른 시뮬레이션을 수 행하였다. 마지막으로 각 변화조건에 따른 방전에 투입되는 전력을 분석하여, 각 하전입자들에 의한 방전 가열구조를 이 해하고 전력의 증가에 따라 투입전력이 어느 입자들에 의해 소비되는 지에 대해서 검토하였다. 2. DBD 시뮬레이션 모델링 2.1 전극 형상 및 외부 회로 본 연구에서 채택한 전극 형상과 외부 회로도를 그림 1에 나타내었다. 평형평판 원형 전극으로 구성된 방전 챔버를 모 식하였으며, 양 전극에 유전체를 삽입하고 전압을 인가하여 유전체장벽 방전이 형성되도록 시뮬레이션을 수행하였다. 방 전공간에 흐르는 총 전류는 전도전류 (IC)와 변위전류(ID)의 합으로 구할 수 있으며, 식(1)과 식(2)에 나타내었다.
(1)
∙ (2) (3)여기서, S는 방전공간의 단면적을, Γ+, Γ-, Γe는 각각 양이 온, 음이온 및 전자의 유속을 나타낸다. ε(x)은 유전율 (ε=ε0 εr)을 의미하고, εr=4.0으로 설정하였다. E(x,t)는 공간전계를 나타내며, 이것을 이용하여 유전체장벽에서의 전압강하 (식 (4))와 방전 공간내의 전위 (식(5))를 구하였다.
(4)
(5) 여기서, Vb1과 Vb2는 유전체의 전압강하를 나타내며, xb1, xb2는 각각 양 전극에 삽입된 유전체의 위치를 나타낸다. 양 전극간의 거리는 d=0.9 [cm], 실 방전공간의 거리는 dg=0.5 [cm], 전극면적은 S=10.0 [cm2]로 설정하였다. 표 1에 시뮬레이션을 위해 고려된 방전구조와 인가전압(Vs) 및 주 파수(f) 그리고 압력(P) 조건에 대해서 나타내었으며[10], 다 양한 전압, 주파수 그리고 압력 조건에서 형성되는 DBD 방 전특성을 비교 및 분석하였다. 그림 1 유전체장벽 방전구조의 모델Fig. 1 A schematic diagram for a Dielectric Barrier Discharge (DBD) model
표 1 본 연구에 사용된 시뮬레이션 조건
Table 1 Simulation conditions considered in this paper
Factor Range
Applied Voltage (Vs) 2 ∼ 8 [kV]
Frequency (f) 50 ∼ 1000 [kHz] Pressure (P) 50 ∼ 500 [Torr] Dielectric Constant (Quartz) 4.0
Dielectric Width 0.2 [cm] Electrode Distance (d) 0.5 [cm] 2.2 수치해석 방정식 본 연구에 사용된 He 가스의 반응과정이 표 2에 나열되 어 있다[11]. 전자(e) 및 이온입자 (He+, He2+) 그리고 5종의 여기 입자들 (He* (1S), He* (3S), He*, He**, He***)이 시뮬 레이션에 사용되었으며, 볼츠만 방정식으로부터 전자충돌 반 응계수를 구하였다. 표 2에서 주어진 반응과정과 반응계수를 이용하여 1차원 유체모델의 시뮬레이션을 수행하였다. 표 2 He 가스의 충돌반응 및 반응계수
Table 2 The reactions and rate coefficients of He gas.
Reactions Rate Coefficients He + e → He + e Boltzmann Eq He + e → He* (1S) + e Boltzmann Eq. He + e → He* (3S) + e Boltzmann Eq He + e → He* + e Boltzmann Eq He + e → He** + e Boltzmann Eq He + e → He*** + e Boltzmann Eq He + e → He+ + 2e Boltzmann Eq He* (3S) + e → He+ + 2e 2.9x10-9 [cm3/s] He* (1S) + e → He+ + 2e 2.9x10-9 [cm3/s] He* (3S) + e → He + e 2.9x10-9 [cm3/s] He* (1S) + He → 2He + hv 6.0x10-15 [cm3/s] He* (3S) + 2He → He2* + He 2.5x10-34 [cm6/s] He2* + (M) → 2He + (M) 1.0x10+6 [1/s] He+ + 2He → He2+ + He 6.5x10-32 [cm6/s] He+ + 2e → He* + e 7.1x10-20 [cm3/s] He2+ + 2e → 2He + e 2.0x10-20 [cm3/s] 식(6)과 (7)에 나타낸 각 하전입자들의 연속방정식으로부 터 하전입자의 밀도를 계산하여, 각 입자들의 시⦁공간적 분 포를 분석하였다. (6) (7) 여기서, j는 본 연구에서 고려한 전자와 이온 그리고 여기 입자들을 나타낸다. Nj는 각 입자들의 밀도를, Γj 는 각 입 자들의 유속을 의미한다. Sj는 각 입자들 사이의 탄성충돌과 비탄성충돌에 의한 발생과 소멸을 나타낸다. 또한 Wj는 각 입자들의 이동속도를, Dj는 확산 계수를 나타낸다. 식 (8)에 나타낸 에너지보존 방정식으로부터 전자 에너지 의 시간적 변화를 계산하였으며, 포아송 방정식을 식 (6∼8) 방정식과 연립하여 DBD 방전의 공간 전계 및 전위 분포를 분석하였다. ⋅
⋅ (8) (9) ∇ (10) 여기서, qe는 엔탈피 유속 (e는 전자), Γe는 전자유속, Hk는 전자 충돌에 의한 에너지 손실, Rk는 반응 계수, k는 전 리 및 여기 반응을 나타낸다. κB는 볼츠만 상수, V는 전극 전위, ρ는 실 전하 밀도, ε0는 진공 유전율을 나타낸다. 양 전극에 삽입된 유전체 표면에서는 양이온들의 입사로 인한 2차 전자를 방출하는 것으로 경계조건을 설정하였고, 그 방출계수는 0.01, 초기 전자에너지는 0.5[eV]로 각각 가정 하였다. 또한, 유전체의 표면에 축전된 전하는 전극 주변의 유속을 이용하여 다음과 같이 계산하였다. (11) (12) 여기서, QC와 QA는 각각 음전극과 양전극에 축적된 전하 량을 나타내며, xb1과 xb2는 유전체 표면과 방전 공간의 경계 점을 나타낸다. 그림 2 유전체장벽 구조에서 전압증가에 따른 방전전류 특성 Fig. 2 The characteristics of discharge current with the
increase of applied voltage in DBD model
3. 결과 및 고찰 3.1 DBD 방전의 시⦁공간 분포 본 연구에서는 1차원 유체모델을 이용한 유전체장벽 방전 모델을 개발하여 수행하였으며, 그 결과는 다음과 같다. 유전체장벽 방전(DBD)에서는 인가전압의 크기, 방전공간 의 넓이 그리고 입자들의 움직임에 따라 다양한 형태의 전 류 패턴을 보인다. 그림 2와 같이, He DBD 방전이 개시되 면서 스트리머 또는 펄스형태의 전류가 발생되고, 에너지가 높아짐에 따라 글로우 모드에서 연속모드로 전류의 패턴이 변화한다. 그림 3에 인가전압 5.5[kV], 전원주파수 200[kHz], 압력 300[Torr]에서 형성되는 DBD 방전 입자, 공간전계 및 전자에너지의 공간분포 및 유전체 장벽에 축적된 전하의 시 간변화를 나타내었다. 높은 기체압력에서는 He2+ 이온이 He+ 이온보다 더 많이 발생되어 방전을 형성하는 것을 알 수 있었으며(그림 3(a)), He*(3S)의 입자가 다른 여기입자보 다 방전공간에서 지배적으로 높은 분포를 형성하고 있음을 확인하였다(그림 3(b)). 각 입자들의 밀도분포는 양쪽 전극 주변(Sheath)에서 높은 값을 형성하고 있으며, 이것은 공간 전계 및 전자에너지의 분포를 통하여 예측할 수 있다. 그림 3(d)에서 유전체 장벽에 약 1.2[pC] 정도로 작은 양의 전하 가 축적되고 있음을 확인하였고, 이는 주파수가 낮을수록 전 자가 짧은 시간동안에 방전공간을 가로지를 수 있기 때문에 상대적으로 낮은 양이 축적되는 것으로 설명할 수 있다. 여 기서, QC와 QA는 각각 양전극과 음전극에서 축적되는 전하 를 의미하며, 본 논문에서는 외부회로에 별도의 콘덴서를 연 결하지 않고(Cb→∞) 시뮬레이션을 수행하였다. 따라서, π/2 의 위상이 경과할 때까지 음전극 (Cathode) 유전체 방향으 로 양이온이 이동하여 지속적으로 전하가 축적이 되고, 그 후에 전계가 약해지면서 전자의 확산과정이 전극주변에서 지배적으로 이루어지면서 전하 축적이 감소하는 것을 확인 할 수 있었다(K). 그 다음 전계의 극성이 반전되면서 유전 체 부근의 양이온들이 방전공간의 플라즈마 영역(bulk)으로 운동을 시작하고(L), QC는 전자에 의한 전하 축적을 시작하 면서 부의 전하량을 가지게 된다. 그리고 양전극 유전체 방 향으로 전계가 가속되어 양이온의 의해 전하가 축적이 되면 서 QA가 서서히 증가하는 것을 확인할 수 있었다(M). 그 후 유전체 장벽으로 전하들이 쌓이면서 QA의 피크값이 1.2[pC] 정도로 축적되는 것을 알 수 있었다(N). 그림 4에는 전원전압(Vs), 방전공간 전압(Vg) 그리고 유전 체에 형성되는 전압강하(Vb)에 대한 전류-전압의 시간적 변 화 파형을 나타내었다. 전압강하 Vb는 사인파 파형과 근사 한 분포를 보이고 있으나, ωt= π/6와 7π/6 부근에서 순간적 으로 전압이 강하하는 것을 알 수 있다. 이는 전류(IT)의 파 형 변화와 일치하는 것을 확인할 수 있었으며, 근접한 위상 영역에서 방전전압 Vg도 순간적인 왜곡된 형태를 보여주고 있다. 이는 전류가 유전체 장벽의 영향으로 그림 3(d)에서 설명한 것과 같이, 순간적으로 펄스에 가까운 파형을 형성하 면서 방전전압 Vg에 불안정한 진동을 야기하는 것으로 설명 할 수 있다. 전류의 위상이 전원전압 Vs 보다 빠른 것으로 부터 본 방전은 용량성 회로임을 확인할 수 있었다. 3.2 외부회로 및 압력 변화에 따른 여기입자 분포 본 장에서는 여기입자들의 발생 및 분포에 중점을 두고 설명한다. 이는 DBD 방전구조가 램프나 엑시머와 같은 여기 입자들에 의해 방출되는 빛의 활용을 극대화하는데 이용되기 때문이다[12, 13]. 그림 5에는 전원 주파수 f=200[kHz], 기체 압력 P=300[Torr]에서 전원전압의 크기를 2~7[kV]까지 증가 시킴에 따라 형성되는 여기입자들의 공간분포를 도시하였다. 기체 압력이 높아질수록 지배적으로 발생되는 여기입자는 He*(3S)와 He*(1S)이다. He2*는 다른 입자들에 비해 대략 1/10 정도의 낮은 분포로 형성되는 것을 알 수 있다. 전반적 으로 전원전압의 증가와 함께, 양쪽 전극주변(sheath)에서 여 기입자들이 높은 분포를 형성하고 있음을 확인할 수 있다. 전자는 전극주변에서의 높은 탄성 및 비탄성 충돌에 의해 에 너지를 소실하게 되고 전극의 중심부(bulk)로 갈수록 낮은 전자 에너지가 분포하게 된다. 이에 따라 여기입자들도 발생 확률이 낮아지면서, 오히려 감소하는 패턴을 보여주고 있다.
(a) (b) (c) (d) 그림 3 DBD 방전 공간내에서의 (a) 하전입자, (b) 여기 입자, (c) 공간전계와 전자에너지의 시간평균 공간분포 및 (d) 유전체 장벽에 축적된 전하 (Vs=5.5[kV], f=200[kHz], P=300[Torr])
Fig. 3 The time-averaged spacial distribution of (a) charged particles, (b) excited particles and (c) electric field and electron temperature, and (d) the charges accumulated on the both sides of the barrier at Vs=5.5[kV], f=200[kHz] and P=300[Torr].
그림 4 전원전압 Vs =2.2[kV], 전원주파수 f=200[kHz], 기체압
력 P=300[Torr]에서의 전류 및 전압의 시간변화 Fig. 4 The temporal variation of current and voltage at
Vs=2.2[kV], f=200[kHz] and P=300[Torr]
그림 5 전원전압 증가에 따른 (a) He*(3S)와 (b) He2* 입자의
공간 분포 (f=200[kHz], P=300[Torr])
Fig. 5 The spatial distributions of (a) He*(3S) and (b) He2*
with the increase of source voltage at f=200[kHz] and P=300[Torr]
그림 5 전원전압 증가에 따른 (a) He*(3S)와 (b) He2* 입자의
공간 분포 (f=200[kHz], P=300[Torr])
Fig. 5 The spatial distribution of (a) He*(3S) and (b) He2*
with the increase of source voltage at f=200[kHz] and P=300[Torr]
그림 6 기체압력 증가에 따른 (a) He*(3S) 여기입자와 (b) 전 계의 공간 분포 (Vs=2.2[kV], f=200[kHz])
Fig. 6 The spatial distribution of (a) He*(3S) and (b) electric field with the increase of He gas pressure at
Vs=2.2[kV], f=200[kHz] 그림 6에서는 전원전압 Vs=2.2[kV], 전원 주파수 f=200[kHz]에서 기체의 압력을 50~500[Torr]로 변화시키면서 형성되는 He*(3S) 여기입자와 공간전계 분포를 보여주고 있 다. 기체 압력의 증가와 함께 전자의 충돌반응도 상대적으로 활발해지면서, He*(3S) 여기입자의 피크값 위치가 점진적으 로 양쪽 전극방향으로 이동하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 그림 5에서와 같이 입자 밀도의 증가도 확인하였다. 이는 그 림 6(b)에서 볼 수 있듯이, 전극주변으로 갈수록 전계가 기 체 압력증가와 함께 상대적으로 높게 분포하고 있음으로부 터 설명할 수 있다. 그림 7 전원주파수 증가에 따른 (a) 전자에너지와 (b) He*(3S) 여기입자의 공간 분포 (Vs=2.2[kV], P=300[Torr])
Fig. 7 The spatial distribution of (a) He*(3S) and (b) electron temperature with the increase of applied frequency at Vs=2.2[kV], P=300[Torr] 그림 7은 전원 주파수의 증가에 따른 He*(3S) 여기입자와 전자에너지의 공간 분포를 도시하였다. 전원 주파수가 증가 하면서 전자들이 이동할 수 있는 거리가 짧아지게 된다. 100[kHz]에서는 1주기인 10[㎲] 시간동안에 전자 및 이온이 전극사이를 이동할 수 있게 되면서, 전극 중심부에서도 상대 적으로 높은 전자에너지를 유지할 수 있게 된다. 그러나 주 파수가 점점 증가하게 되면, 전자가 중심부로 이동하기 전에
전원전압의 위상이 바뀌면서 전극 중심부의 전자에너지는 상대적으로 낮게 분포하고 전극주변에서만 전자들의 운동이 활발하게 된다. 따라서, 그림 6과 같이, 입자의 피크점이 전 극주변으로 이동하면서 밀도도 증가하게 됨을 알 수 있다. 그림 8에서는 P=50[Torr]에서 분포하는 He*(1S)와 He*(3S)를 기준으로 하여, 투입 전력을 증가시킴에 따라 각 입자들의 밀도가 어떠한 변화를 보이는지 나타내고 있다. He2*는 투입전력의 증가 비율에 일치하여 선형적으로 증가 하였으나, He*(1S)와 He*(3S) 입자들은 증가 폭이 투입전력 의 증가율에 비해 감소하였음을 확인하였다. 그림 8 투입 전력의 증가에 따른 He*(1S)와 He*(3S) 여기입 자 밀도의 변화율
Fig. 8 The variation ratios of He*(1S) and He*(3S) densities with the increase of input power
3.3 방전의 가열구조와 전력소비 방전에 투입된 전력은 전자 및 이온들에 의해 소비되며, 전자와 방전기체의 비탄성충돌로 소비되는 전력을 제외하면 대부분 줄열로 소비된다. 이 줄열이 방전기체의 온도상승에 기여하는 것으로 보고되었다[11]. 그림 9에 He DBD 방전의 투입전력이 하전입자들에 의해 어떻게 소비되는 지에 대한 전력소비 분배를 도시하였다. 기체압력이 낮을수록 전자보다 는 이온에 의해 전력의 약 80% 정도를 소비하는 것을 확인 할 수 있었다. 또한, 기체압력이 증가하면서 전자의 비탄성 및 탄성충돌이 증가하게 되고, P=500[Torr]에서는 거의 50% 정도의 전력이 전자에 의해 소비되는 것을 알 수 있었 다. 이온에 의한 전력소비 특성도 기체압력이 증가할수록 He+보다 He2+가 전력소비에 더 많은 영향을 끼치고 있음을 확인할 수 있었다. 그림 10에는 전원전압, 전원주파수 및 기체압력의 변화에 따른 전자에 의한 소비전력의 변화과정을 나타내었다. 전자 에 의해 소비되는 전력은 전원전압의 증감과 상관없이 변화 가 없었다. 그림 5에서와 같이 전원전압이 증가하면 전리반 응이 활발해지고 전체적인 하전입자들의 밀도분포도 함께 상승하게 되면서, 전자와 이온들에 의해 소비되는 전력의 변 화는 거의 없었음을 알 수 있다. 전원주파수의 변화에 대해 서는 증가곡선을 보여주었다. 그러나 기체압력의 변화에서는 매우 큰 증가곡선을 보여주었다. 전원주파수의 변화는 전극 주변에서의 전자 움직임에 영향을 주게 되고, 전자의 충돌반 응을 향상시키면서 전자에 의한 소비전력도 다소 증가하게 된다. 그러나, 기체압력의 변화는 전자의 탄성 및 비탄성 충 돌반응에 지대한 영향을 끼치고, 그림 10에서와 같이 전자에 의한 소비전력이 선형적으로 급증하는 것을 알 수 있었다. 그림 9 기체 압력의 증가에 따른 하전입자들에 의한 총 전 력소비의 변화
Fig. 9 The variation of total power consumption by charged particles with the increase of gas pressure
그림 10 전압, 주파수 및 기체압력 변화에 따른 전자에 의 한 전력소비의 변화
Fig. 10 The variation of power consumption by electrons according to the variation of source voltage, frequency and gas pressure
4. 결 론
본 연구에서는 유전체장벽(DBD) 방전구조에서 1차원 유 체모델을 이용한 He 기체 방전의 시뮬레이션을 수행하여, 미시적 및 공간적 특성을 비교⦁분석하였다. 전류-전압 특
220 Copyright ⓒ The Korean Institute of Electrical Engineers 성 및 유전체에 축적되는 전하의 형성과정을 이해하였고, 외 부회로 및 기체압력 변화조건에 따른 여기입자들의 분포와 방전에 투입되는 전력의 소비구조를 분석하였다. DBD 방전구조에서는 방전이 개시되면서 유전체의 영향 으로 전류가 펄스 형태에서 글로우 모드 그리고 연속 파형 으로의 특성 변화를 보여주었고, 높은 압력에서는 He2+ 이온 과 He*(3S) 여기 입자가 방전을 유지하는데 지배적인 역할 을 하였다. 전원전압의 위상이 ωt= π/6, 7π/6인 곳에서 양 전극의 유전체 장벽에 양이온의 영향으로 전하가 축적되고, 그 후 전자의 확산과 이동 과정을 통하여 전류가 순간적으 로 펄스에 가까운 파형을 형성하였다. 이것이 방전전압 Vg 의 불안정한 진동을 야기하였다. 전원전압을 증가시키면 높은 전자 에너지로 인해 충돌반 응이 보다 활성화되고, He*(3S), He*(1S) 및 He2* 여기입자 들의 방전공간 밀도분포도 높게 형성되었다. He*(1S)와 He*(3S) 입자의 밀도분포는 투입전력의 증가율에 비해 70% 정도의 낮은 비율로 형성되는 것을 확인하였으며, 광원의 효 율은 투입전력에 비례하여 증가하지 않는 것을 알 수 있었 다. 또한, 전원주파수와 기체압력의 변화와 함께 전극주변에 서의 충돌반응이 더욱 활성화되면서, 양이온이 지배적으로 분포하는 쉬스의 폭이 감소하는 것도 확인하였다. 다양한 외 부회로 조건에서의 여기입자 발생과 공간분포는 광원개발 및 조건에 부합되는 광원기구 제작에 활용 가능할 것으로 사료된다. 기체의 압력이 낮을수록 이온에 의한 투입된 전력소모가 80% 정도로 대부분을 차지하였으나, 기체 압력의 증가와 더 불어 투입 전력의 대부분이 전자와 He2+ 이온에 의해 소비 되었다. 전자에 의한 소비전력은 전원전압과 전원주파수에 의한 변화보다는 주로 기체압력이 높아지면서 전자의 충돌 반응이 더욱 활성화되면서 두드러진 변화를 보였다. 감사의 글 본 논문은 2016학년도 목포대학교 장기해외연수 지 원에 의하여 수행되었음 References
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![Fig. 3 The time-averaged spacial distribution of (a) charged particles, (b) excited particles and (c) electric field and electron temperature, and (d) the charges accumulated on the both sides of the barrier at V s =5.5[kV],](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/123dokinfo/4902706.39297/4.892.111.788.119.665/averaged-distribution-particles-particles-electric-electron-temperature-accumulated.webp)
![그림 6 기체압력 증가에 따른 (a) He * (3S) 여기입자와 (b) 전 계의 공간 분포 (V s =2.2[kV], f=200[kHz])](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/123dokinfo/4902706.39297/5.892.81.424.487.1040/그림-기체압력-증가에-따른-여기입자와-계의-공간-분포.webp)
