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新式多晶矽奈米線SONOS元件製作與特性分析

新式多晶矽奈米線SONOS元件製作與特性分析

Acknowledgment 兩年的時間過的好快,首先要感謝的是我的兩位指導教授,黃調元博士 林鴻志博士,不論是再做人處事、亦或是在學業指導都給予了我很大的協 助。很慶幸當初有這個機會可以加入這麼棒的研究團隊,謝謝你們這兩年來 提供我那麼好的學習機會環境,讓我從中學習到許寶貴的經驗,接下來 也要感謝實驗室的其他同學們這兩年來給我的協助。首先非常感謝徐行徽博 士以及蘇俊榮博士的照顧,沒有你們帶領我做實驗經驗傳承,當然就不會 有今天的我;也要謝謝陳威臣學長在我實驗遇到瓶頸時給我指點迷津、還有 總是帶給實驗室歡樂的蔡子儀學長,在我正要開始跑實驗時 wafer 被打破的 第一時間趕來救我;以及幾位畢業的學長姊們:大雄、大偉、Ally、漢仲、
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具有新式副閘極結構的低溫複晶矽薄膜電晶體的製作與分析

具有新式副閘極結構的低溫複晶矽薄膜電晶體的製作與分析

具有新式副閘極結構的低溫複薄膜電體的分析 Fabr ication and Char acter ization of Low-Temper atur e Polysilicon Thin Film Tr ansistor s with Novel Self-Aligned Sub-Gate Str uctur es 計畫編號:NSC89-2215-E009-104 執行期限:89 年 8 月 1 日至 90 年 7 月 31 日 主持人: 黃調元 國立交通大學電子工程學系 共同主持人:林鴻志 國科會國家豪微米元件實驗室

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新式複晶矽奈米線元件製作與特性分析

新式複晶矽奈米線元件製作與特性分析

同時要感謝實驗室的其他夥伴們這兩年來給我的協助。首先非常感謝 徐博的照顧,謝謝你不厭其煩的解答我生活中任何疑難雜症,相信憑著你 高深的功力,一定可以扛起整個實驗室的;當然也要謝謝 Benson、蔡子儀、 阿森、林哲民等學長提供我做實驗的大絕招,讓我免去許冤枉路;幾位 親密戰友們:Ally、大雄、大師、小強、樟樟、林漢仲和球神,跟你們共 事真的很快樂,大家都是好人,謝謝你們忍了我兩年,大家應該早就想揍 我了吧!另外,實驗室裡的小碩一,感謝你們不斷地散發年輕人的活力來 滋潤我們這些身處水深火熱的老人們,謝謝大家。
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新式奈米碳管電晶體製造與特性研究

新式奈米碳管電晶體製造與特性研究

令我點滴在心頭。尤其是黃老師身體雖微恙,但修改論文的速度鞭辟入裏的剖 析,真真使我拳拳服膺,佩服之至! 另一方面我也要感謝共同指導教授 趙天生博士。若不是趙老師在實驗資源 上鼎力相助對各篇論文的提綱挈領、耳提面命,只怕我現在還是惶惶不可終 日。此外,趙老師提供了我許多半導體知識的正確觀念想法,亦在我迷惘灰心 時給我鼓勵幫助,令我銘感五內。

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多晶鍺奈米線薄膜電晶體與無接面多晶矽奈米線場效電晶體製作與特性分析

多晶鍺奈米線薄膜電晶體與無接面多晶矽奈米線場效電晶體製作與特性分析

謝謝你的關心照顧,每天的生活都很充實。感謝林哲民學長,暑假陪我做了一 批五味雜陳的貨,也謝謝你在我論文上給我點子觀念,幫助我畢業。感謝郭嘉 豪學長,感謝李克慧學姊,你們都很有博士班學長姊的風範,謝謝你們。 還要感謝同屆的同學,謝謝許家維、羅正瑋、林庭輔、陳冠宇、簡敏峰、張 博翔。謝謝許家維,聽我碎碎唸,在各方面也幫了我很的忙,從你身上也學習 到做研究的態度。謝謝羅正瑋的關心,也教了我很東西,你真的是個很有耐心 且細心的人,你對課業實驗的精神也讓我相當欽佩。謝謝林庭輔,常常發生有 趣的事情,帶給實驗室歡樂,也謝謝你畢業之後還會跟我聊聊。謝謝陳冠宇,陪 我在 Ge 的世界載浮載沉。謝謝簡敏峰,你渾然天成的宅氣資深酸民功力真的 讓我開了眼界,很有趣。真的很感謝同屆的同學,讓我覺得 631 是一個開心的地 方,你們相處真的很快樂也學了很多,謝謝你們畢業之後還是關心我的進度 近況,能你們當同學真的很幸運。
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N型多晶矽薄膜電晶體元件製作與高頻特性分析

N型多晶矽薄膜電晶體元件製作與高頻特性分析

在 ADTL 這個實驗室,認識了很多人,不管是在研究上、生活上,都給我 莫大的幫助。蔡老大總是很用心的帶我做研究,不厭其煩的回答我一些蠢問題, 在程上的經驗非常老到,幫我避開了很會在程上遇到的問題,省了很時 間,雖然隨著我們越來越熟,你充滿色彩的笑話也常讓我無法接話,不過衷心覺 得有你真好,另外撇開幽默感不說,你真的是個蠻不錯的男人。阿民雖然早我們 一步畢業,無法陪我們到最後,但感謝你在模擬和電性上的指導,聽說你好像有 看好我,不過我好像讓你失望了。阿毛和馬腳總是在實驗室裡唱雙簧,見識到你 們獨特的幽默,也在我研究遇到困難時,給了我很不同的想法意見,也感謝 你們為了實驗室的大家切了很 FIB,那真的是一個費神又費時的苦工,你們的 付出,大家都有目共睹。剛到實驗室時,發現嘉文學長是我大學同校的學長,讓 我有點受寵若驚而且額外親切,嘉文學長對於研究英文的堅持,是我應該要去 學習的,另外嘉文學長的冷幽默也是一絕。克慧學姊也常給我一些在實驗量測 上的意見,還有傳授一些小撇步。委屈阿莫常常跟這我們這屆小碩班一起瘋一起 鬧,不過也因為這樣我們的感情很 close 啦(自以為)!看著你常在開口第一句就說 好餓喔!好脹喔!也漸漸習以為常,但是實驗要做,身體也要顧啊!阿哲哥真的身藏 不露,除了桌球打得好外,有幸看到你帶學弟做實驗能在暑假就有成果,實在是 神人等級。管金儀學長,ADTL 是個不錯的實驗室,歡迎你加入,請好好享用。
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具倒T型閘極之多晶矽奈米線通道薄膜電晶體與氮化矽記憶體元件之製作與特性分析

具倒T型閘極之多晶矽奈米線通道薄膜電晶體與氮化矽記憶體元件之製作與特性分析

誌 謝 首先要感謝的是我的指導教授,黃調元博士林鴻志博士。黃老 師寬廣的眼界嚴謹的態度使我獲益匪淺,而林老師對研究的熱忱 對觀念的重視更是鼓舞我積極向前。老師們的所有建議話語我都將 銘記在心,品味再三。接下來要感謝的是所有曾為實驗室付出過的學 長們:盧文泰博士、葉冠麟博士、李耀仁博士、呂嘉裕博士、李明賢 博士、林宏年博士、蘇俊榮學長、盧景森學長、張伊鋒學長、李聰杰 學長、藍文廷學長、林賢達學長、房新原學長,因為你們的努力,實 驗室才能成長茁壯,生氣蓬勃。再來是同期的碩班夥伴們:趙志誠、
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元件製程對於多晶矽奈米線場效電晶體水測電性影響之分析

元件製程對於多晶矽奈米線場效電晶體水測電性影響之分析

以及實驗室學長們對我這兩年半來照顧,因為你們讓我體會如何謙卑學習的心 態、懂得心存感激、做任何一件事情不到最後別放棄…在此,我致上最誠心的感 謝。 在此期間除了感謝我的指導教授 楊裕雄老師在學術學術倫理方面的細心 教導外,更感謝老師給我充足的實驗資源,讓我能進儀科中心、國家元件實 驗室(NDL)學習,並且給我自主學習的能力及時的引導;同時感謝 林鴻志老師 對我實驗上的一些寶貴意見及其研究室同學、學長、學弟、學妹在實驗上給予的 幫助及鼓勵。還有國家實驗研究院 儀器科技研究中心提供專業的指導及NDL提 供儀器及專業的工程師們,讓我們能夠在優質的環境下元件。
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多晶矽奈米線結合內嵌式奈米矽晶體之SONOS記憶體元件之研究

多晶矽奈米線結合內嵌式奈米矽晶體之SONOS記憶體元件之研究

NM 總是給予實驗室許的歡樂,是實驗室裡最有活力的一位。劉媽常常為實驗 室的每位同學著想並讓實驗室維持整潔。許家維常常我討論課業上的問題,讓 我對事物有更深的了解。另外,也要謝謝許學長,徐行徽(徐博)學長總是帶 著我做實驗,並聽我發牢騷。陳威臣(大師)學長給予我更廣闊的思維,也我 討論實驗的結果。林哲民(阿民)則是我討論許新的實驗的可能性,並激發 出更不同的想法。蔡子儀學長則帶給實驗室許的笑聲。林政穎(阿毛)和郭 嘉豪(馬腳)學長則像我們同屆同學一樣。感謝以上的各位,讓我的碩士生涯中 添加不少樂趣。我還要感謝我的高中同學,嚴中健及李孟寰,有時候會陪我吃吃 喝喝,聊天打屁。另外,我要謝謝大學時的同學,君凌、老涂、淳博、小瑩、小 白和江帥,有你們陪著我,讓我在剛進入交大時不會覺得寂寞,也常常在我實驗 不順時聽著我抱怨,謝謝你們。
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具獨立雙閘極之P型聚集模式多晶矽奈米線電晶體的製作與特性分析

具獨立雙閘極之P型聚集模式多晶矽奈米線電晶體的製作與特性分析

畢竟有你們,我才能真正在研究所學到該有的一些知識態度,而不是來混一張文憑, 在這裡非常謝謝你們的指導。 另外,對於 ADTL 的所有夥伴,我最感謝的就是陳威臣學長,你是我研究所時期所 遇到的最大貴人,也因為有你帶我入門以及做實驗,我才能如此順利,也很感謝你每次 都願意聽我說一堆我自己都不太確定的分析解釋,也會很好心的陪我一起想甚至找資 料並指導我,非常感謝你,沒有你,我不會有今天的小小成就。當然後期也很感謝林哲 民學長在模擬的幫忙,也感謝你在百忙之中還是願意指導我一些分析研究。其他包含 徐行徽學長、蔡子儀學長、林政頤學長、郭嘉豪學長、李克慧學姐,也感謝你們的對我 所有的指導幫忙! 回到 631 來,當然少不了一起奮鬥的夥伴們,歷樺、宇賢、同偉、
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一種具有奈米線通道的新穎多晶矽薄膜電晶體製作與特性之研究

一種具有奈米線通道的新穎多晶矽薄膜電晶體製作與特性之研究

房新原、于慶潭、王仁杰、吳浩偉及學弟妹們、專題生,在研究所的生活 中一起努力、相互勉勵。還有國家元件實驗室(NDL)的工程師沈士文 學長,感謝他耐心地幫忙準備 TEM 試片及 TEM 拍照的工作。以及國家 元件實驗室的其他工程師和員工,感謝他們辛苦維護機台,提供了完善的 環境、設備及技術支援給我,讓元件程能順利的完成。另外也感謝我的 室友及電子所、電物所、材料所、管科所的好朋友,陪我度過充實的研究 所時光。最後要感謝我的父母,無論在生活上、經濟上都給我很大的幫助,
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矽奈米線之製備與相關元件之研製與分析

矽奈米線之製備與相關元件之研製與分析

二、計畫的緣由目的 結構近來已受到各個研究團隊 的矚目。藉由其高表面積/體積比,結構 表面的狀況將會對內部的載子傳導有 深切的影響。利用此性質,對於感測元 件應用可提供相當高的偵測靈敏度[1]。一般 的 方 式 主 要 分 為 兩 類 , 一 是 bottom-up [2],另一為 top-down [3]。在大部份 bottom-up 的方式中,以金屬催化成長來形成 是最為常見的。此法可用來備不同材 料的,除了外,還有鍺(Ge) [4]、磷化銦(InP)[5]等。因此這個 方式為各個相關研究機構主要的研究方法。但 是金屬催化成長目前仍有一些問題存在,如 的長度、直徑和格座向皆無法受到良好 的控制,以及在圓上無法準確地定位,這意 味其有著再現性不高的疑慮。同時,金屬 粒子的使用亦是一個潛在污染的議題。所以,
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複晶矽奈米線通道在雙閘極倒T型結構上之製作與特性分析

複晶矽奈米線通道在雙閘極倒T型結構上之製作與特性分析

在這近乎百分百開放自由的環境之下,培養我們對自己負責的能力。首先要非常 謝謝 NDL 的趙子綾小姐,謝謝妳,讓我在元件上能很順利地完成。另外更要 感謝博班學長群:林哲民,徐博,蔡子儀,大師,林政頤和馬卡。首先要感謝我 的實驗大助教-徐行徽學長,如果沒有你在實驗上的把關,現在的我應該在開學 前都還在趕著寫論文;謝謝陳威臣學長在物性實驗上的幫忙,並且在關鍵時刻上 分享電性結果。豔陽般熱情的蔡子儀學長,進入實驗室後,你是我第一個感受到 學長的熱情活力,負責打理實驗室大大小小的事,辛苦了,也謝謝你熱心幫我 取了很食物的綽號。認識快六年的馬卡同學笑聲很有特色的林政頤同學,資 格考 pass pass pass;以上,希望博班都能順利快樂畢業。
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單晶鎳矽化物奈米線之合成與特性分析

單晶鎳矽化物奈米線之合成與特性分析

一直以來,身邊總是有個人,用無比的耐心愛心關懷我、陪伴我。無法想 像沒有妳的陪伴,我該怎麼承受這繁重的壓力、面對這黑暗時期,如今,你我都 將順利的結束這段求學生涯,很開心有妳一起經歷這些。琬瑤,謝謝妳! 感謝所有曾經在大學、研究所幫助過我的人,這六年待在新竹的日子,從期 中考、懷幼社、系籃、迎新宿營、材科營、系學會,每個活動都有你們陪伴, 我一起成長。天下沒有不散的筵席,如今是真的要離開這個被我嘴巴上討厭,卻 是真心喜歡的地方。不管是還待在新竹繼續打拼或者已經離開這塊擁有你我美好 回憶地方的朋友,我都希望各位往自己設定的目標,努力邁開步伐。希望在未來 的日子裡,能夠有一天,再度相聚,一起回憶這些日子的酸甜苦辣。
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具摻雜析離層蕭特基SONOS之元件製作與特性分析

具摻雜析離層蕭特基SONOS之元件製作與特性分析

接著,要感謝在清大的阿幹還有連振炘老師實驗室的章緯學長、林靖璋學長、 羅彥翔學長、阿古學姐在實驗上和論文上都給我很的幫助。另外要感謝楊紹輝、 蔡侃學、榜哥、謝智翔可以一起歡笑,有事沒事可以一起聚餐,把我當成一家人。 此外,還要謝謝阿耀,平常可以一起打球,抒發實驗壓力。謝謝大豆和書除在 口試的時候可以幫我借到投影機和筆電,使的口試得以順利進行。感謝小武、天

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矽奈米線場效電晶體之研究

矽奈米線場效電晶體之研究

級,由近代物理中得知當元件尺寸為等級時,其特性皆限制在量 子效應之世界裏,因而造成此抵觸之情形。而其詳細造成之原因須再 進一步深入探討。 於 Id-Vd 電性量測時,我們也藉由調變閘極偏壓,進一步研究閘 極偏壓對其元件電性造成之影響。結果指出當閘極負偏壓越大時,元 件有趨於越早被驅動之趨勢;反之,當閘極正偏壓越大時,元件有趨 於越晚被驅動之趨勢。由此關係趨勢可判斷出本元件呈現出半導體 p-type 之特性,此我們當初設計作出 n-type 半導體元件特性相 抵觸。初步判斷由於元件一開始是採用 p-type 之 SOI ,藉 由元件層上摻雜砷離子將其轉變為 n-type,因此推測造成此抵觸現 象之原因,可能為砷離子摻雜之濃度不足所致;亦或於微觀系統中,
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具有奈米線通道的薄膜電晶體之氮化矽記憶體元件特性分析

具有奈米線通道的薄膜電晶體之氮化矽記憶體元件特性分析

Moreover, we have also fabricated TFT-SONOSs with double-gated configuration and comparisons were made with their single-gated counterparts. Regarding the programming speed and erasing speed, the characteristics of TFT-SONOS with nanowire structure are comparable to those of conventional SONOS. The double-gated configuration in the proposed device does not seem to contribute nor enhance the programming speed or erasing speed. On the other hand, the reliability of TFT-SONOS is still worse than that of the conventional SONOS, due to poor quality of tunneling oxide and the horn-shaped structure of the nanowire channels. However, the double-gated configuration is found to improve the retention of TFT-SONOS with nanowire structure. Although there are many disadvantages lying ahead and need to be improved, we demonstrate the feasibility of nonvolatile memory with nanowire-TFTs fabricated by the simple and production-worthy sidewall spacer technique.
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具獨立雙閘極之多晶矽奈米線薄膜電晶體的研製與分析

具獨立雙閘極之多晶矽奈米線薄膜電晶體的研製與分析

由於他對元件所打下的基礎才得以讓本篇論文的基本元件架構能順利的完 成。另外要感謝張凱翔學長過去在生活上的幫助研究上的討論,讓我的研究生 涯增添了不少樂趣。謝謝徐行徽博士在實驗分析上所提供的建議,也由於你的協 助,讓我可以很快的融入美國的生活,也要感謝你在烹飪方面的指導,讓我更能 享受下廚的樂趣。同時要感謝同屆的同學-洪文強、李冠樟、林漢仲、劉大偉、洪 政雄、江忠祐、陳玲-過去一同修課和熬夜做實驗的情誼是無法被抹滅的。感謝曾 經一起打拼合作過的學弟妹-張佑寧、陳政建、張育嘉、陳冠宇、劉禹玲、吳俊鵬、
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具有奈米線通道的多晶矽薄膜電晶體之特性改善

具有奈米線通道的多晶矽薄膜電晶體之特性改善

電子工程學系 電子研究所 摘 要 在本論文中,我們研一種新型薄膜電體,並使用兩種方法來 降低在該新型薄膜電體的漏電流。第一種方法是在頂部的閘極 汲極交疊區域中,閘極氧化層之間,加入一層額外的氮化,藉此 降低閘極/氧化層交界處的電場強度,以有效減少閘引致汲極漏電流 (GIDL)漏電流。第二種方法則是加入快速升溫退火程來改善體的特 性,藉此降低缺陷對漏電流的貢獻。由研究中結果來看,兩種方法均為 有效。
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利用雙重微影成像法製作多晶矽鰭式場效電晶體元件之特性研究

利用雙重微影成像法製作多晶矽鰭式場效電晶體元件之特性研究

感謝我的好室友博鈞、白諭,有幸能你們共度碩班的時光,還有感謝親切 的房東先生太太。感謝閒暇時一起玩樂的好同學海哥、阿三,常一起八卦嘴砲 抬槓讓我生活中增添了許趣事。感謝一個月的好室友柏文、致緯、瑞銘,能一 起去長灘島畢旅真是件瘋狂有趣的事。感謝電子所的同學們,實驗之餘還能一起 吃飯聊天,祝你們未來都能成就自己的夢想。

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