KIC News, Volume 22, No. 5, 2019
KIC News, Volume 22, No. 5, 2019 67
NEDO, 세계 최초 단결정 다이아몬드 기판을 이용한 멀티 셀 구조의 GaN-HEMT 개발
- 이동 통신 기지국 및 위성 통신 시스템의 저소비 전력화에 기여 -
신에너지⋅산업기술종합개발기구(NEDO)는 미츠비시전기(三菱電機), 산업기술종합연구소(AIST)와 공동 으로 높은 열전도율을 갖는 단결정 다이아몬드를 방열 기판으로 이용한 멀티 셀 구조의 ‘질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터(GaN-HEMT)’를 세계 최초로 개발했다. 최근 이동 통신 기지국 및 위성 통신 시스템의 고주파 전력 증폭기는 소형⋅경량화와 효율화 등을 위한 고출력 고효율 질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스 터(GaN-HEMT)의 적용이 확대되고 있었으나, GaN-HEMT는 고출력 작동 시 발열에 의해 전류가 흐르 기 어려워지는 문제가 있었다. 본 연구 성과를 통해 이동 통신 기지국 및 위성 통신 시스템에 탑재되는 고 주파 전력 증폭기의 전력 효율이 향상됨으로써 저소비 전력화에 기여할 것으로 기대된다. 본 연구 성과의 상세 내용은 2019년 9월 2~5일 나고야에서 개최되는 ‘국제 고체 소자 재료 컨퍼런스(SSDM2019)’에서 발 표되었다.
Figure. 개발한 GaN-HEMT (왼쪽)와 단면구조(오른쪽) 출처: 2019.09.02. NEDO(https://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_101185.html) 작성: 허 훈 (한국생산기술연구원)