Fabrication of the Wafer Level Packaged LED Integrated Temperature Sensor and Configuration of The Compensation System for The LED's Optical Properties
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(2) 2. 온도센서가 집적된 WLP LED의 제작과 이를 통한 광 특성 보상 시스템의 구현. Ⅰ. 서 론. 강인구 외. 이용하여 온도보상기능을 갖는 스마트센서를 제작하였 으나, 이 역시 센서를 별개로 제작하는 방식이었다.. Light Emitting Diode (LED)는 반도체의 pn접합을. 이 논문에서는 WLP LED를 이용하여 사용하지 않는. 이용하여 전기신호를 빛으로 변환하는 광원으로, 기존. 패키지의 일부분에 온도센서를 Monolithic하게 제작함. 광원에 비해 긴 수명과 적은 소비 전력, 그리고 환경 친. 으로써 기존의 LED 패키지들이 갖는 문제점을 해결하. 화적이라는 특징을 바탕으로 기존 조명들을 대체하며. 였을 뿐 만 아니라 제작된 온도센서를 통하여 실시간으. 차세대 조명으로서 각광을 받고 있다. 하지만, 높은 가. 로 온도 정보를 얻고 이를 통해 LED의 온도변화에 따. 격이 성장의 걸림돌로 작용함에 따라 가격절감을 위한. 른 광 출력을 보완할 수 있는 LED 패키지 시스템을 제. 연구가 다양한 방면으로 활발히 진행되고 있다.. 안하고 이를 제작하였다.. 이에 대한 대안 중의 하나로 패키지 비용을 절감시키. Ⅱ. WLP LED 시스템의 구성. 면서 기존의 패키지들의 단점을 보완하는 wafer level package (WLP)에 대한 관심이 증가하고 있다. WLP는 한 장의 실리콘 기판 위에 반도체공정을 이용하여 수천 개의 패키지를 동시에 제작하는 방법으로 제작비용과 시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 실리콘이 갖는 높은 열전도도 (150 ∼ 180 W/m·K)와 LED 칩과 유사한 의 열팽창 계수 (6 ∼ 6.5 ppm/K)를 갖기 때문에 기존의 플라스틱이나 실리콘 패키지가 갖는 낮은 열 방출 문제 와 금속 패키지가 갖는 LED칩과 패키지 몸체의 열팽창 계수의 차이에서 오는 신뢰성의 문제를 해결할 수 있 다. 또한 반도체 공정을 이용함으로 패키지 내부에 특 정 목적을 위한 소자나 회로 등을 집적함으로써 부가기 그림 1. Fig. 1.. 능을 갖는 스마트 광원을 제작할 수 있다는 장점을 갖 게 된다. LED는 반도체 물질을 기반으로 하기 때문에 온도에. 제안된 LED 패키지 시스템 구성 Proposed configuration of LED package system.. 전체적인 시스템의 구성은 그림 1과 같으며 세부분. 따라 광 출력의 특성이 변화하는 특성을 갖는다. 일정. 으로 구성된다.. 한 냉각조건에서, 주변부의 온도가 증가할수록 LED의 - 온도센서가 집적된 LED 패키지 부분. 광 출력과 효율은 감소하며 주 파장이 장파장 쪽으로 [1]. 이동하는 특징을 나타낸다.. - 저항변화를 전압으로 변환하는 변환회로 부분. 따라서 온도에 따른 광 특. - 온도에 해당하는 구동전류를 출력하는 제어 회로. 성의 변화를 보상하기 위해서는 온도 정보를 얻기 위한. 부분. 온도센서가 필요하며, 이는 앞서 설명한 WLP의 소자 집적 특성을 이용할 경우 패키지 내부에 제작되어 실시. 1. 온도센서가 집적된 LED 패키지. 간으로 온도 정보를 얻을 수 있게 된다.. 패키지 내부의 온도를 실시간으로 정확하게 측정하. WLP LED를 이용한 특정 목적을 위한 소자 집적에 [2]. 이. 기 위하여 정확성과 장기간 안정성이 우수하며 마이크. 외에는 거의 보고되지 않았다. Lee 등 은 LED의 접합. 로 사이즈로 제작이 가능한 박막 형 RTD 타입의 온도. 온도를 측정하기 위해 온도센서를 제작하였으나, 온도. 센서를 제작하였다.. 센서를 패키지와 별개로 제작한 뒤 이를 부착하는 방식. 저항이 온도에 따라 선형적으로 변화하는 특성을 이용. 으로 추가적인 비용과 시간이 소모된다는 단점이 있었. 한 것으로 백금, 구리 그리고 니켈 등이 주로 사용된다.. 관한 연구는 ESD 방지를 위한 제너다이오드 실장 [3]. [3]. [4]. RTD 타입의 온도센서는 금속의. 다. 또한, Santos 등 은 압력센서의 온도보정을 위해. 이 중 백금은 가격이 비싸며, 구리는 산화가 쉽다는 단. 온도센서를 제작하고 변환 회로와 마이크로프로세서를. 점을 가지고 있다. 따라서 이 논문에서는 LED의 동작. (268).
(3) 2012년 7월 전자공학회 논문지 제 49 권 SD 편 제 7 호 Journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea Vol. 49-SD, NO. 7, July 2012. 3. 항 값의 변화는 직접적으로 측정할 수 없기 때문에 측 정 가능한 전기적인 신호인 전압신호로 변환해 주기 위 해 변환 회로부가 필요하다. 변환 회로부는 크게 두 가 지 방식으로 구성될 수 있다. 하나는 정 전류원을 이용 하는 방식과 다른 하나는 Wheatstone bridge를 이용하 는 방식이다. 정 전류원을 이용하는 경우, 저항 측정을 위해 RTD에 흐르는 전류 값을 증가시킬 경우, 출력 전 그림 2. Fig.. 2.. 압의 차이가 커지기 때문에 민감도가 향상되는 장점이. 제안된 니켈 기반의 RTD 타입 온도센서의 구 조 Proposed structure of Nickel based RTD type temperature sensor.. 있지만, 자기발열에 따른 오차가 발생한다는 단점이 있 다. 하지만, Wheatstone bridge를 이용하게 되면 높은 전압을 인가하여 민감도는 증가시키면서도 실제 RTD 에 흐르는 전류 값은 작게 만들 수 있기 때문에 자기발 [5]. 열에 따른 문제를 감소시킬 수 있다는 장점을 갖는다.. 하지만 설계한 RTD의 경우, LED의 구동전압과 동일한 3.3 V나 5 V사용하여 동작도록 설계하였으므로 두 방 식에서 온도변화에 따른 출력 전압의 크기 차이는 거의 발생 하지 않는다. 따라서 구현이 쉬우며 보다 선형적 그림 3. Fig. 3.. 인 변환이 가능한 정 전류원을 이용하는 방식을 통해. 제안된 온도센서가 집적된 LED WLP의 구조 Proposed structure of LED WLP.. 변환 회로부를 구현하였다. RTD를 변환회로에 연결하는 방식은 2선 연결방식, 3. 온도 범위인 140 °C범위 이하에서 온도에 따라 선형적. 선 연결 방식 그리고 4선 연결방식이 있다. 2선 연결방. 인 저항변화를 나타내며, 금속 물질 중 가장 큰 저항온 도계수(TCR)를 갖는 니켈을 이용하여 박막 형 RTD타 입의 온도센서를 제작하였다. 온도센서는 cavity 타입의 WLP에 집적을 목표로 하 여, 패키지 상부의 사용하지 않는 평탄한 면에 제작하 였다. 온도센서의 전체적인 크기는 455 μm × 455 μm 이며, 이 면적에는 두 개의 200 μm × 200 μm 크기의 패드 영역이 포함되고 나머지 영역은 RTD의 저항 값 의 증가를 위해 linewidth와 linespace가 5 μm 인 serpentine구조를 적용하였다. 제안된 온도센서는 그림. 그림 4. Fig. 4.. 변환 회로부의 1mA 정 전류원 회로도 Constant current circuit diagram.. 그림 5. Fig. 5.. 변환 회로부의 도선 저항 제거 회로도 Wire resistance correction circuit diagram.. 2와 같으며 전체적인 패키지의 구조는 그림 3과 같다. 제안된 최종적인 패키지의 형태는 패키지 내부의 온도 측정을 위한 온도센서 뿐 아니라, 차후에 LED의 광량 을 직접적으로 측정하기 위한 수광 센서 역시 제작할 계획이므로 이를 고려하여 전체적인 제작공정이 설립되 었다.. 2. 변환 회로부 RTD 타입의 온도센서는 온도 변화에 따른 저항 값 의 변화를 통해 온도를 측정하는 방식이다. 하지만 저. (269).
(4) 4. 온도센서가 집적된 WLP LED의 제작과 이를 통한 광 특성 보상 시스템의 구현. 그림 6. Fig. 6.. 변환 회로부의 증폭 및 low pass filter 회로도 Amplifier and low pass filter circuit diagram.. 그림 7. Fig. 7.. 강인구 외. 제어 회로부의 구성 Configuration of control board.. 식은 연결방법이 간단하나 도선의 영향에 따른 변화가 포함될 수 있고, 4선 연결방식은 도선에 따른 영향을. 에 무관하게 일정한 밝기를 나타낼 수 있도록 하는. 제거할 수 있으나 구현이 복잡하다는 단점이 있다. 따. duty ratio를 결정하여 이 값을 갖는 PWM신호를 출력. 라서 도선의 영향을 제거 할 수 있으면서도 연결이 단. 하도록 구성하였다. 온도에 따른 광 출력의 변화는 LG Innotek의 WLP. 순하여 가장 빈번하게 사용되는 3선 연결방식을 사용하 [5]. 타입의 LED 패키지인 LEMWW35V80LZ00의 데이터시. 기로 결정하였다.. 또한 출력되는 전압이 작기 때문에 충분한 민감도를. 트를 기반으로 하였다. LED의 주변부 온도가 증가함에. 얻기 위해 증폭회로와 2nd-order low pass filter를 제. 따라 상대적인 광 출력이 선형적으로 감소하는 것을 확. 작하여 연결함으로써 잡음이 제거되는 높은 출력신호를. 인 할 수 있었다. 따라서 감소하는 광 출력을 duty. [6]. ratio를 증가시켜 보상시켜주기 위해 0 °C에서는 70 %. 취할 수 있도록 하였다.. 의 duty ratio를 갖도록 하며, 온도가 증가함에 따라 선. 3. 제어 회로부. 형적으로 증가하여 140 °C일 때 100 %의 duty ratio를. LED는 구동전류를 조절함에 따라 그 밝기를 조절할. 갖는 PWM 신호를 출력하도록 프로그램을 코딩하였다.. 수 있다는 특징을 가지고 있다. 밝기를 조절하는 방식 은 아날로그 방식과 디지털 방식으로 구분된다.[7] 아날. Ⅲ. 제작 및 측정결과. 로그 방식은 구동전류의 레벨을 변화시킴에 따라서 밝 기를 조절하는 방법으로 구동전류를 증가시킴에 따라. 1. 온도센서가 집적된 LED 패키지 제작. 밝기가 증가하게 된다. 이러한 방법은 정확한 신호의. 제작할 온도센서의 장기간 안정성을 보장하기 위하. 조절을 위한 회로의 구성이 어려울 뿐 아니라 낮은 레. 여 안정된 니켈 박막을 제작하기 위한 조건을 결정해야. 벨의 전류에서는 선형적인 변화가 보장되지만 높은 전. 한다.[8] 따라서 박막의 특성에 영향을 주는 박막의 두. 류의 레벨로 갈수록 열로 소비되는 에너지가 증가하게. 께, 증착 온도, 열처리 조건. 되어 효율이 감소되고 LED의 수명이 감소하는 단점이. 니켈 박막의 특성을 평가하였다. 먼저 니켈 박막의 두. 있다. 이에 비해 디지털 방식은 PWM신호의 duty ratio. 께에 따른 비저항의 변화를 측정한 결과 니켈 박막의. 를 변화시킴에 따라 LED의 밝기를 변화시키는 방식으. 두께가 증가함에 따라 비저항 값이 급격히 감소하다가. 로 항상 일정한 크기의 전류로 구동하기 때문에 LED의. 60nm 이후부터는 거의 일정한 값을 갖는 것을 확인하. 열화에 따른 문제가 발생하지 않으며, duty ratio의 증. 였다. 이는 Grain boundary에서의 scattering에 의한 영. 가에 따라 밝기의 변화가 선형적으로 변화되므로 제어. 향이라 생각되었다.. 가 쉽다는 장점을 갖는다.. 저항의 변화를 살펴본 결과 이전 논문들에서와 유사하. [9～12]. [9～10]. 따라서 본 논문에서는 아날로그 신호를 입력으로 받. 등을 변화시켜가면서. 다음으로, 증착온도에 따른 비. 게 니켈의 Debye 온도 근처인 177 °C 근처에서 가장 [11～12]. 아 ADC를 통해 디지털 입력으로 변환시킨 후, 이 값을. 낮은 비저항 값을 갖는 것을 확인 하였다.. 마이크로프로세서로 전달하도록 하였다. 마이크로프로. 으로, 177 °C에서 증착된 100 nm 두께의 니켈 박막을. 세서는 입력 값을 통해 패키지의 온도를 인지하고 온도. 아르곤 분위기에서 열처리 온도를 변화시켜가면서 비저. (270). 마지막.
(5) 2012년 7월 전자공학회 논문지 제 49 권 SD 편 제 7 호 Journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea Vol. 49-SD, NO. 7, July 2012. 5. (a) 그림 9.. Fig.. (b). 9.. 전체 공정 과정 (그림 3의 A-A'의 단면) (a) 열 산화막 (100 nm) / LPCVD 질화규소 (60 nm) / LPCVD 다결정 실리콘 (1 μm) 증착 이후 패터닝, (b) 열 산화막 (50 nm) / LPCVD 질화규 소 (60 nm) 증착, (c) 실리콘 비등방성 습식 식 각, (d) 니켈 박막 증착, (e) 니켈 박막 패터닝, (f) 알루미늄 박막 증착 및 패너팅 Total process flow (cross section of A-A’ in Fig 3 ) (a) Thermal Silicon Oxide(100nm) / LPCVD Silicon Nitride (60nm) / LPCVD Poly-silicon (1μ m) deposition and patterning, (b) Thermal oxide (50nm) / LPCVD Silicon Nitride (60nm) deposition, © Silicon bulk-micromachining, (d) Nickel thin film deposition, (e) Nickel thin film patterning, (f) Aluminum deposition and patterning.. 확인할 수 있었다. 이러한 실험결과를 바탕으로, 177 °C에서 증착된 100 nm 두께의 니켈 박막을 아르곤 분위기의 400 °C온도에 서 1시간동안 열처리 하였을 경우, bulk의 비저항 값 (6.9 μΩcm)에 가까운 비저항 값인 7.63 μΩcm을 갖는 안정된 니켈 박막을 얻을 수 있었다.[13] 전체적인 패키지의 공정과정은 그림 9와 같다. 먼저 (c) 그림 8.. Fig.. 8.. 4인치 <1 0 0> 실리콘 웨이퍼를 RCA 클리닝을 실시한 후 이 위에 열 산화막을 기른다. 이후 LPCVD 방식을. 공정조건에 따른 니켈 박막의 비저항 : (a) 두 께에 따른 니켈 박막의 비저항, (b) 증착온도에 따른 니켈 박막의 비저항, (c) 열처리 조건에 따 른 니켈 박막의 비저항 Nickel thin film resistivity change with process condition : (a) Thickness vs. resistivity, (b) Deposition temperature vs. resistivity, (c) Annealing condition vs. resistivity.. 이용하여 질화규소와 다결정 실리콘을 증착한 후 패터 닝을 수행하며, 다시 열 산화막을 기르고 LPCVD 방식 의 질화규소를 증착하고 패터닝하는 과정을 통해 박막 을 이용하여 membrane을 형성한다. 이후 웨이퍼를 KOH에 넣어 실리콘을 비등방성의 습식 식각을 수행함 으로써 300 μm 깊이의 cavity를 형성하며, 이후 전기적. 항의 변화를 살펴보았으며, 그 결과 400 °C에서 1 시간. 인 절연을 위한 열 산화막을 기른다. Membrane이 형성. 열처리를 수행한 경우 가장 낮은 비저항을 갖는 것을. 된 cavity타입의 패키지위에 온도센서 제작을 위해. (271).
(6) 6. 온도센서가 집적된 WLP LED의 제작과 이를 통한 광 특성 보상 시스템의 구현. 강인구 외. (a). 그림 11. 온도변화에 따른 RTD의 저항 변화 Fig. 11. Temperature vs. Resistance change of the RTD.. 측정을 위해 thermocouple을 패키지에 부착하여 실제 패키지의 온도를 측정하였으며, 5 °C부터 140 °C까지 온도를 증가시키면서 저항 값의 변화를 측정한 결과를. (b). 그림 11에 나타내었다.. 그림 10. 온도센서가 집적된 LED WLP가 제작된 모습 : (a) 웨이퍼 전체 사진, (b) 패키지 내부 사진 Fig. 10. Fabricated LED WLP integrated temperature sensor : (a) Wafer, (b) Individual LED PKG.. 제작된 온도센서의 동작범위인 5 °C에서 140 °C 범 위에서 저항 값이 선형적으로 증가하는 것을 확인 하였 으며, 온도가 1 °C 증가할 때마다 평균적으로 1.56 Ω이. RTD의 감지용 물질인 니켈 박막을 앞서 결정된 증착. 증가하는 것을 확인하였다. 또한, 25 ˚C에서 저항 값은. 조건 및 열처리 조건을 통해 형성하고 이후 패터닝 과. 계산에 의해 구하였던 230 Ω 보다 큰 303 Ω을 나타냈. 정을 통해 serpentine 구조의 RTD를 형성한다. 마지막. 었으며, TCR 값은 Matthiessen's Rule[14]을 이용하여. 으로 와이어 연결을 위한 패드 영역의 알루미늄을 증착. 증착 시 측정한 비저항 값을 통해 계산한 결과와 유사. 하고 패터닝 함으로써 RTD 타입의 온도센서가 집적된. 한 0.516 %/˚C를 나타내었다. 전체적인 저항 값이 증가. LED 패키지를 제작하였다. 제작된 결과는 그림 10과. 한 원인은 패터닝 과정에 발생한 수직방향 식각에 의한. 같다.. 영향과 계산 시에는 고려하지 않았던 접촉 저항 값의. 그림 10의 (a)에서 보면 하나의 웨이퍼 상에 여러 개. 영향으로 생각된다.. 의 패키지가 동시에 제작된 것을 볼 수 있으며, (b)를 통해 패키지 내부에 니켈을 기반으로 하는 RTD 타입의. 2. 변환 회로부 제작. 온도센서가 제작된 것을 확인 할 수 있다. 온도센서를. 변환 회로부는 만능기판에 기성품의 저항과 커패시. 패키지의 절연을 위한 열 산화막 위에 바로 제작해도. 터를 이용하여 앞서 설명한 세 부분의 회로도를 기반으. 무관하였으나. 로 제작하였으며, 전체적인 회로의 구성과 제작한 기판. 차후에. 집적될. MSM(Metal-Semicon. ductor-Metal)타입의 수광 센서와 함께 제작 할 수 있도. 의 모습은 그림 12와 같다.. 록 공정이 구성되었기 때문에 membrane 제작을 위해. 변환 회로부의 동작 확인을 위하여 제작한 온도센서. 형성된 다결정 실리콘과 질화규소기반의 박막 위에 제. 의 패드 영역을 와이어 연결을 통해 외부 패키지에 연. 작된 것을 확인할 수 있으며 온도센서 옆에 수광 센서. 결하였으며, 이를 다시 변환 회로부에 연결하였다. 이후. 의 패드영역이 동시에 제작되어진 것을 확인할 수 있다.. 앞에서의 실험과 동일하게 패키지의 온도를 변화시키면. 온도센서의 동작 확인을 위하여 제작된 패키지를. 서 회로에서의 출력 전압 값을 측정한 결과를 그림 13. thermoelectric cooler(TEC)와 hot plate위에 두고 온도. 에 나타내었다.. 를 변화시키면서 parameter analyzer (HP4156)를 이용. 제작된 변환회로부터의 출력 전압은 패키지의 온도. 하여 저항 값의 변화를 측정하였다. 보다 정확한 온도. 가 5 °C에서 140 °C까지 증가함에 따라 2.15 V에서부터. (272).
(7) 2012년 7월 전자공학회 논문지 제 49 권 SD 편 제 7 호 Journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea Vol. 49-SD, NO. 7, July 2012. 7. 3. 제어 회로부 제작 제어 회로부는 8 bit의 마이크로컨트롤러 (ATmega328) 와 10 bit의 아날로그 디지털 변환기(ADC) 그리고 아날 로그 입력과 디지털 출력 단자를 갖는 보드를 통해 제 작되었다. 온도 값에 해당하는 PWM duty ratio를 출력 하는 프로그램을 코딩하여 마이크로컨트롤러 저장한 후 변환 회로의 출력신호를 제어 회로의 입력 측에 연결하 여 주었다. 이후 제어 회로부의 동작을 확인하기 위하 여 앞에서 수행하였던 방식과 동일하게 패키지의 온도. (a). 를 변화시키면서 제어 회로부에서 출력되는 PWM 신 호의 duty ratio를 확인하였다. 확인을 위해 Oscilloscope 를 이용하였으며, 그 결과는 그림 14와 같았다. 패키지 의 온도가 0 ˚C에서 140 ˚C까지 증가하였을 때 duty ratio가 69.98 %에서 99.75 %로 선형적으로 변화하는 출력을 나타내었으며, 이는 온도에 무관한 일정한 광 출력을 위해 설정하였던 Duty rate에 1.00 %의 최대오 차를 갖는 매우 유사한 값을 나타내었다. (b) 그림 12. (a) 변환 회로부의 회로도, (b) 제작된 변환 회로부의 모습 Fig. 12. (a) Circuit diagram of the conversion circuit, (b) Fabricated conversion circuit.. 그림 14. 패키지 온도변화에 따른 변환 제어 회로부의 PWM 출력신호의 duty ratio 변화 Fig. 14. Package temperature vs. PWM duty ratio of the control board.. Ⅳ. 결 론. 그림 13. 패키지 온도변화에 따른 변환 회로부의 출력전 압 의 변화 Fig. 13. Package temperature vs. Output voltage of the conversion circuit.. 본 논문에서는 기존 LED 패키지의 온도에 따라 광 특성이 변화하는 문제를 해결하기 위하여 온도센서가. 3.73 V까지 선형적으로 증가하는 것을 확인 할 수 있었. 집적된 LED 패키지를 반도체공정을 통해 제작하였으. 다. 온도가 1 °C 증가할 때마다 출력전압은 11.46 mV. 며, 제작된 온도센서는 5 °C에서 140 °C 범위에서 1.56. 가 증가하였으며, 이는 앞에서 측정한 RTD의 저항변. Ω/°C의 민감도를 갖으며 제대로 동작하는 것을 확인하. 화 값을 이용하여 계산한 결과와 유사한 결과를 나타내. 였다. 또한 변환 회로부와 제어 회로부를 구성하여 제. 는 것으로 보아 제작한 변환 회로가 제대로 동작함을. 작된 패키지에 연결하여, 패키지의 온도 변화에 대응하. 확인 할 수 있었다.. 여 구동전류의 duty ratio를 변환시켜줌에 따라 온도 변. (273).
(8) 8. 온도센서가 집적된 WLP LED의 제작과 이를 통한 광 특성 보상 시스템의 구현. 화에 의한 광량 변화특성을 보완할 수 있는 시스템을. 강인구 외. Films, Vol. 79, no. 2, pp.149-153 May 1981. [10] J. S. Hirschhorn, “On the electrical resistivity of thin nickel films,” J. Phys. Chem. Solids, Vol. 23, pp.1821-1822 Mar. 1962. [11] T. Hovorun and A. Chornous, “Thin Overlayer Influence on Electrophysical properties of Nickel films,” Thin Solid Films, Vol. 317, no. 1-2, pp.202-205, Apr. 1998. [12] W. Schemminger and D. Stark, “The influence of deposition temperature on the electrical resistance of thin Cu films,” Surface Science, Vol. 190, no. 2, pp.1103-1110, Oct. 1987. [13] G. S. Chung and C. H. Kim, “RTD characteristics for micro-thermal sensors,” Microelectronics Journal, Vol. 39, no. 12, pp.1560-1563 Dec. 2008. [14] V. Vand, “A theory of the irreversible electrical resistance changes of metallic films evaporated in vacuum,” Phy. Soc. Vol. 55, no. 3, pp.222-246, May 1943.. 제안하고 이를 제작하였다. 그 결과 패키지의 온도 변 화에 따라 목적하였던 duty ratio의 변화를 관찰할 수 있었다. 따라서 사전에 LED의 주변온도에 따른 광량변 화에 관한 정보를 알고 있다면, 온도에 무관하게 일정 한 광량을 제공하는 LED 패키지를 제작할 수 있음을 보였다. 뿐만 아니라 적색, 녹색, 청색의 각 LED에서의 온도에 따른 광량변화에 대한 정보를 알고 있다면, 동 일한 방식을 이용함으로써 RGB로 구성되는 multichip LED 패키지에서 발생되는 온도에 따른 색수차 문제 역 시 해결 할 수 있으리라 예상된다.. 참고문헌 [1] D. G. Todorov, and L. G. Kapisazov, “LED thermal management” in Proc. of Electronics' 2008, Conf. on Sozopol, Bulgaria, pp. 139-144, Sep. 2008, [2] J. M. Kang, J. H. Choi, and et al.“Fabrication and thermal analysis of wafer level light emitting diode packages,” IEEE Elec. Dev. Lett. Vol. 29, no. 10, pp. 1118-1120, Oct. 2008. [3] C. Y. Lee, A. Su, and et al. “Sensor fabrication method for in situ temperature and humidity monitoring of light emitting diodes,” Sensor, Vol. 10, no. 4, pp. 3363-3372. Apr. 2010. [4] E. J. P. Santos and I. B. Vasconcelos, “RTD based smart temperature sensor : Process development and circuit design,” in Proc. of Microelectronics' 2008. Conf. on Nis, Serbia, May 2008. [5] M. T. Kara and M. E. Rizkalla, “A 3-wire differential resistance measurement circuit,” Instrumentation and Measurement Technology 1993. Conf. on Irvine, CA, USA, May 1993. [6] K. Blake, “Transmit Filter Handles ADSL Modem Tasks,” Electronic Design,. Vol. 47 no. 13, p23 June 1999 [7] W. Yu and G. Lisi, “High efficiency DC-DC converter with twin-bus for dimming LED lighting,” IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, 2010. Conf. on Atlanta, USA, p457-462 Sept. 2010 [8] 한국과학기술원, “RTD 온도센서 개발,” 보고서, 1992년 12월. [9] M. A. Angadi and L. A. Udanchan, “Electrical properties on thin nickel films”, Thin Solid. (274).
(9) 2012년 7월 전자공학회 논문지 제 49 권 SD 편 제 7 호 Journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea Vol. 49-SD, NO. 7, July 2012. 9. 저 자 소 개. 강 인 구(학생회원) 2010년 성균관대학교 전기 및 전자공학과 학사 졸업 2012년 한국과학기술원 전기 및 전자 공학과 석사 졸업 2012년 현재 한국과학기술원 전기 및 전자 공학과 박사과정 <주관심분야 : Temperature Sensor, IR Sensor>. 김 진 관(학생회원) 1998년 한국과학기술원 전기 및 전자 공학과 학사 졸업 2007년 한국과학기술원 전기 및 전자 공학과 석사 졸업 2012년 현재 한국과학기술원 전기 및 전자 공학과 박사과정 <주관심분야 : LED, Wafer Level Package>. 이 희 철(정회원) 1978년 서울대학교 전자공학 학사 졸업 1986년 동경공업대학교 전자공학과 석사 졸업 1989년 동경공업대학교 전자공학과 박사 졸업 2004년～2010년 나노종합팹센터 소장 역임 1989년～현재 한국과학기술원 전기 및 전자공학 과 교수 <주관심분야 : Infrared detector, Radiation harding electronics, Ferroelectric Nonvolatile memory,>. (275).
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