• 검색 결과가 없습니다.

InSe ; c" e M 1 # bM 8 ý Æ X Øy ¢ 8 ýÇ X ØV R Ë

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "InSe ; c" e M 1 # bM 8 ý Æ X Øy ¢ 8 ýÇ X ØV R Ë"

Copied!
5
0
0

로드 중.... (전체 텍스트 보기)

전체 글

(1)

InSe ; c" e M 1 # bM  8 ý Æ X Øy ¢ 8 ýÇ X ØV R Ë

L

| - > Z 9 

× 

æ € © œ@ /† < Ɠ § Ó ü t o † < Æõ , " fÖ  ¦ 156-756

(2006¸   6 Z 4 26{ 9  ~ à Î6 £ §, þ j7 á x‘ : r 2006¸   8 Z 4 21{ 9  ~ à Î6 £ §)

InSe ~ à Ì} Œ •`  ¦ é ß –{ 9 „  ½ ¨^ ‰“   [(Me)

2

In(µ-SeMe)]

2

\  ¦  6   x # Œ $ · ú š Ä »l F K5 Å q  o† < Æ l  © œ 7 £ x ‚ à ÌZ O Ü ¼– Ð

$ í

 © œr (   . # Œl  Y Us $  F g õ  InSe? / M

1

+ þ AI  Š © œ/ B G # Œl    s _  / B N" î ‰ & ³ © œ\  _ ô  Ç  ë ß – — ¸× ¼_  [ j l

 7 £ x \  ¦ › ' a8 £ ¤ % i “ ¦, s – РÒ'  M

1

# Œl  _  “ : r • ¸> à ºü < F   ½ + Ë \  -t \  ¦ 8 £ ¤& ñ % i  .

PACS numbers: 78

Keywords: InSe, M

1

# Œl  , Ä »l F K5 Å q  o† < Æl  © œ7 £ x ‚ à ÌZ O ,  ë ß –

I. " e  ] Ø

InSe  H III-VI7 á ¤  o½ + ËÓ ü t ì ø ͕ ¸^ ‰_   s  9, 8 £ x  © œ½ ¨› ¸

\

 ¦ ° ú   H   [1]. InSe  H  © œ“ : r \ " f \  -t  {  ç ß –  s  1.2 eV

&

ñ • ¸– Ð · ú ˜ 94 R e ” # Q F g„    ™ è – Ð_  6 £ x6   x 0 p x$ í s  & 

´ ú

§“ É r › ' a d ” `  ¦ ~ à Γ ¦ e ” Ü ¼ 9, : £ ¤ y  I € ª œ„  t _  [ j@ / Ó ü t| 9 

–

Ð D h– Ðs   Òy Œ •÷ &“ ¦ e ”   [2].

InSe _  l ‘ : r ½ ¨› ¸  H Se-In-In-Se _  " é ¶  ¨ î €  s  4  Ü ¼

–

Ð · ¡ ­ # Qe ”   H + þ AI s  . Se-Se s _  8 £ x ç ß –   ½ + ˓ É r €  •ô  Ç van der Waals j Ë µÜ ¼– Ð s À Ò# Q4 R e ”   H ì ø ̀   ? /Â Ò " é ¶  [ þ t

“ É

r @ / Òì  r y © œô  Ç / B N Ä »  ½ + Ë`  ¦ “ ¦ e ”   [3]. s  Qô  Ç van der Waals   ½ + ËÜ ¼– Ð s À Ò# Q”   Ó ü t| 9 “ É r ³ ð€  \  dangling

 

½ + Ës   _  \ O # Q s 7 á x] X ½ + ˽ ¨› ¸– Ð ] j Œ •   H X <  Å Ò a % ~

“ É

r Ó ü t| 9 s  . ¢ ¸ô  Ç InSe_  8 £ x  © œ½ ¨› ¸  H q 1 p x ~ ½ Ó$ í Ü ¼– Ð „  

•

¸• ¸ a % ~   o ½ ¢ § „  t _  „  F G Ü ¼– Ð s 6   x| ¨ c à º e ”   [4].

˜

Г ¦  ) a InSe ~ à Ì} Œ •_  ] j Œ •~ ½ ÓZ O “ É r „  l   o† < Æ& h  ½ + Ë$ í [5], ì

 r   ‚   & Á ú ¢l  (MBE : Molecular Beam Epitaxy)Z O  [6], Õ

ªo “ ¦ Ä »l F K5 Å q  o† < Æ l  © œ 7 £ x ‚ à ÌZ O  (MOCVD : Metal Organic Chemical Vapor Deposition) [7-9] 1 p x s  . s [ þ t

×

 æ MOCVD ~ ½ ÓZ O “ É r € ª œ| 9 _  ì ø ͕ ¸^ ‰ ~ à Ì} Œ •_  ] j Œ •\  ; Ÿ ¤V , 

>

  Ö ¸6   x ÷ &“ ¦ e ”   H l Õ ü t s t ë ß –, í  H à ºô  Ç InSe  © œ_  ~ à Ì} Œ •“ É r ]

j Œ • t  3 l w % i   [7]. þ j   H, Choi 1 p x“ É r In-Se é ß –{ 9  „  ½ ¨

^

‰ [(Me)

2

In(µ-SeMe)]

2

\  ¦  6   x ô  Ç MOCVD– Ð € ª œ| 9 _  é ß – { 9

  © œ InSe ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ •   H X < $ í / B N % i   [8,9]. # Œl " f Me  H B j 9  (methyl)l \  ¦   ? / 9, µ  H Se" é ¶  ü < In " é ¶



 s ×  æ Ü ¼– Ð Ú Ôo t  (bridge)  ) a   ½ + Ë`  ¦ “ ¦ e ” 6 £ §`  ¦  

 · p .

E-mail: ihchoi@cau.ac.kr

InSe  o½ + ËÓ ü t“ É r  € ª œô  Ç + þ AI _   © œÜ ¼– Ð / B N” > r # Œ, é ß –{ 9 



© œÜ ¼– Ð $ í  © œr v l  # Q§ > “ ¦, s  M :ë  H \  s \  @ /ô  Ç í  H à º ô

 Ç Ó ü t$ í ƒ  ½ ¨ F G y  ] jô  Ç& h Ü ¼– Ð s À Ò# Q& ’   [10]. Inõ  Se  o½ + ËÓ ü t“ É r { 9 ì ø Í& h Ü ¼– Ð InSe, In

2

Se

3

– Ð ” > r F   , s  ü @

\

• ¸ In

6

Se

7

, In

4

Se

3

ü < ° ú  “ É r  o½ + ËÓ ü t s  ” > r F  “ ¦, InSe_ 

 â

Ä º\  " é ¶   C \ P \     β, ε, Õ ªo “ ¦ γ  © œs  / B N” > r ô  Ç  [11].

‘

: r ƒ  ½ ¨\ " f  H D h– Ðî  r InSe é ß –{ 9 „  ½ ¨^ ‰“   [(Me)

2

In(µ- SeMe)]

2

\  ¦  6   x # Œ í  H à ºô  Ç β-InSe~ à Ì} Œ •`  ¦ MOCVD ~ ½ ÓZ O  Ü

¼– Ð GaAs(111) l ó ø Í0 A\  $ í  © œr v “ ¦, F K t   ) a F G$ í F g

†

< Æ 6 £ § € ª œ  — ¸× ¼ (polar optical phonon mode)ü < M

1

# Œl 



 (exciton)  s _     H (out-going) / B N" î ‰ & ³ © œ`  ¦ s  6

 

x # ΠM

1

# Œl  _  “ : r • ¸> à ºü < ] X • ¸“ : r • ¸ 0 K   H % ƒ\ 

"

f_  F   ½ + Ë \  -t \  ¦ 8 £ ¤& ñ % i  .

II. ÷ m Ç ] M ö

InSe _  ~ à Ì} Œ •`  ¦ é ß –{ 9  „  ½ ¨^ ‰“   [(Me)

2

In(µ-SeMe)]

2

\  ¦



6   x # Œ LPMOCVD (Low Pressure Metal Organic Chmical Vapor Deposition) ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð $ í  © œr (   . InSe

~ Ã

Ì} Œ • $ í  © œ r   6   x ô  Ç l ó ø ͓ É r GaAs(111)`  ¦  6   x % i  .

InSe ~ à Ì} Œ •_  $ í  © œ› ¸| “ É r s p  µ 1 ϳ ð  ) a  כ õ  ° ú  “ É r › ¸| s 

“

¦, $ í  © œ  ) a ~ à Ì} Œ •_    & ñ ½ ¨› ¸  H Scintag  _  XDS 2000

—

¸4 S q_  X-‚    r] X ì  r$ 3 l \  ¦  6   x # Œ › ¸  % i  .   & ñ

$ í

 © œ\  › ' a ô  Ç  [ jô  Ç ƒ  / å L“ É r s   7 Hë  H \ " f  H t  · ú §l 

–

Ð  ’ x  [8,9]. InSe ~ à Ì} Œ •_  ³ ð€  + þ A © œ“ É r Hitach  _  — ¸ 4

S q S4700 „  l  © œ ~ ½ ÓØ  ¦ Å Ò „   ‰ & ³p  â , FE SEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy)`  ¦ s 6   x # Œ › ¸



 % i  .

-247-

(2)

Fig. 1. A SEM images of an InSe film grown on GaAs (111) substrate.

“

: r • ¸\    É r  ë ß – Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 `  ¦ 8 £ ¤& ñ l  0 A # Œ  6   x ô

 Ç $ “ : r  © œu   H ó ¡ šµ ¢ §`  ¦ Í ‰ tB – Ð  6   x   H (closed-cycle He) Í ‰

ty Œ • © œu \  ¦ s 6   x % i “ ¦, ì  rF g l   H 2×  æ  r] X  ì  rF g l ü < F g 7

£

x C  › ' a, é ß –{ 9  F g   > à º „    © œu \  ¦ s 6   x % i  . # Œl  F g

"

é

¶“ É r Ar s “ : r Y Us $ _   © œ 488 nm\  ¦  6   x % i  .

III. + s ÇÊ Ý õ m Í À X Ø8 ý

III-VI  o½ + ËÓ ü t“ É r III-VI s ×  æ8 £ x _  í  H " f\     # Œ Q  t

_    & ñ ½ ¨› ¸– Ð ” > r F ô  Ç . t ë ß – s [ þ t ½ ¨› ¸\ " f s ×  æ 8

£

x“ É r ½ ¨› ¸& h Ü ¼– Ð 1 l x{ 9  “ ¦, s ×  æ8 £ x“ É r III7 á ¤ " é ¶  _  ¿ º8 £ x s

 VI7 á ¤ " é ¶  _  ¿ º€    s \  ” > r F    H D

3h

@ /g A$ í `  ¦ 

”

  .   " f y Œ • s ×  æ8 £ x“ É r III7 á ¤ " é ¶  _  ¿ º €  õ  VI7 á ¤ " é ¶



_  ¿ º€  “   W 1 > h_  " é ¶   €  s  & h 8 £ x Ü ¼– Ð ÷ &# Qe ”  . In

€

 ? / y Œ • In " é ¶  _  ô  ÇA á ¤“ É r “  ] X    H Se " é ¶  – Ð ½ ¨$ í  ) a €  

?

/\  ” > r F    H 3 > h_  s Ö  © Se õ    ½ + Ë “ ¦, ¢ ¸   É r ô  ÇA á ¤

“ É

r s Ö  ©   H ô  Ç In " é ¶  ü <   ½ + Ë “ ¦ e ”  . Se-Se  s _ 

 

½ + ËU  ´s   H In-In  s _    ½ + ËU  ´s \  q  # Œ ß ¼ 9, Inõ  Se  s _    ½ + Ëõ  " f– Ð   É r   ½ + Ë`  ¦ “ ¦ e ”  . s ×  æ8 £ x ç

ß –_    ½ + Ë, 7 £ ¤ Se-Se  s _    ½ + Ë, D

3h

“ É r ì ø ÍX <µ 1 ÏÛ ¼ (van der Waals)   ½ + ËÜ ¼– Ð s ×  æ8 £ x ? /_    ½ + Ë, 7 £ ¤ In-Se Õ ªo “ ¦ In-In  s _    ½ + Ë, \  q  # Œ B Ä º €  • l  M :ë  H \    & ñ

“

É r ~ 1 >  8 £ x Ü ¼– Ð # 4 > h÷ &  H $ í | 9 `  ¦ t “ ¦ e ”  .

III-VI7 á ¤  o½ + ËÓ ü t ×  æ GaS ü < GaSe  H β- ü < ε- + þ A (poly type) Ü ¼– Ð   & ñ $ í  © œ÷ &  H  כ Ü ¼– Ð · ú ˜ 94 R e ” “ ¦ [12], Ú Ôa Å @ t

ë ß – Z O Ü ¼– Ð $ í  © œr †   InSe  H  2 £ § — ¸>  é ß –0 A[ jŸ í“   γ-  + þ

AÜ ¼– Ð $ í  © œ÷ &  H  כ Ü ¼– Ð ˜ Г ¦ ÷ &“ ¦ e ”   [13]. MOCVD

–

Ð $ í  © œr †   InSe    & ñ ~ à Ì} Œ •_  XRD ì  r$ 3   õ  $ í  © œr 

† 

 ~ à Ì} Œ •“ É r γ-  + þ As      ¹ ¢ ¤ ~ ½ Ó& ñ é ß –0 A[ jŸ í“   β- + þ AÜ ¼– Ð

$ í

 © œ÷ &% 3 6 £ §`  ¦ S X ‰ “  ½ + É Ã º e ” % 3   [8,9].

Fig. 2. Some Raman spectra of InSe thin films excited by the 488 nm line of an Ar ion laser at various temper- atures.

Fig. 1“ É r GaAs (111) l ó ø Í0 A\  l ó ø Í “ : r • ¸ 320

C \ " f 20 ì  r ç ß – $ í  © œr †   InSe ~ à Ì} Œ •_  SEM  ”  `  ¦ ˜ Г    כ s 



. $ í  © œ  ) a ~ à Ì} Œ •“ É r XRD   õ \ " f f ”  Œ •½ + É Ã º e ” % 3 ~    כ õ

 ° ú  s  ¹ ¢ ¤ ~ ½ Ó& ñ ½ ¨› ¸_  · û ª“ É r ó ø Í — ¸€ ª œÜ ¼– Ð $ í  © œ÷ &% 3 6 £ §`  ¦

^

 ¦ à º e ”  .

Fig. 2  H 488 nm Ar s “ : r Y Us $ \  ¦  6   x # Œ # Œ Q “ : r

•

¸\ " f 8 £ ¤& ñ ô  Ç InSe ~ à Ì} Œ •_   ë ß – Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 `  ¦ ˜ Г    כ s 



. Õ ªa Ë >\ " f 120, 187, 205, 218, 234, 409, Õ ªo “ ¦ 434 cm

−1

\  0 Au ô  Ç  ë ß – 4 Ÿ x Ä ºo \  ¦ ^  ¦ à º e ”  . 100 ∼ 240 cm

−1

 s _   ë ß – 4 Ÿ x Ä ºo   H F g 6 £ § € ª œ – РÒ' _  1  í ß – ê

ø Í\  _ ô  Ç  כ s “ ¦, 400 ∼ 440 cm

−1

  H 2  í ß –ê ø Í\  _ ô  Ç  כ s

 . 6 £ § € ª œ  \  -t  120ü < 187 cm

−1

\  0 Au ô  Ç  ë ß – 4 Ÿ x Ä

ºo   H y Œ •y Œ • ´ A

1

(1), E

00

— ¸× ¼– Ð" f q F G$ í 6 £ § € ª œ \  _ ô  Ç )

‡  ) a í ß –ê ø Í — ¸× ¼s “ ¦, 205, 218 cm

−1

\  0 Au ô  Ç ´ E(T O), E(LO) ´ — ¸× ¼  H F G$ í 6 £ § € ª œ \  _ ô  Ç F K t   ) a í ß –ê ø Í — ¸× ¼– Ð

"

f    H (out-going) / B N" î \ " fë ß – Fr¨ohlich „   -6 £ § € ª œ 



© œ  ñ Œ •6   x \  _  # Œ ß ¼>       H  כ Ü ¼– Ð · ú ˜ 94 R e ”   [8].   " f s [ þ t  ë ß –— ¸× ¼ü < ì ø ͕ ¸^ ‰ ? /_  „   ï  r 0 A  s  _

 / B N" î `  ¦ ¸ ú ˜ › ' a8 £ ¤ €   „   ï  r 0 A\  @ /ô  Ç Ó ü t o & h “   & ñ ˜ Ð

\

 ¦ % 3 `  ¦ à º e ”  .

(3)

Fig. 3. Raman cross-sections of the ´ E(T O), ´ E(LO), 2 ´ E(T O) and 2 ´ E(LO) modes in InSe plotted as a func- tion of temperature. The dashed curves represent fits to the data points with Lorentzians.

6

£

§ € ª œ  \  -t  234 , 409 Õ ªo “ ¦ 432 cm

−1

\  0 Au ô  Ç



ë ß – 4 Ÿ x Ä ºo   H y Œ •y Œ • ´ A

1

(1), ´ E(T O), ´ E(LO) — ¸× ¼_  2×  æ 6

£

§ € ª œ   ë ß – — ¸× ¼– Ð" f ´ A

1

(2), 2 ´ E(T O), 2 ´ E(LO) – Ð ³ ð‰ & ³

÷

&% 3  .

Fig. 2 \ " f ^  ¦ à º e ” 1 p w s  ´ E(T O), ´ E(LO), 2 ´ E(T O), 2 ´ E(LO)  ë ß – — ¸× ¼  H : £ ¤& ñ “ : r • ¸\ " f Õ ª [ jl  / å L  y 



© œ5 p x % i   y Œ ™™ è† < Ê`  ¦ ^  ¦ à º e ”  . s  כ “ É r InSe _  M

1

Š

© œ/ B G # Œl  _    ½ + Ë\  -t  “ : r • ¸\        o # Œ, # Œ l

 F g " é ¶ “    © œ 488 nm Ar s “ : r Y Us $  F g õ     H / B N" î s

 | ¨ c M : s [ þ t  ë ß –— ¸× ¼_  í ß –ê ø Í Ÿ í S \ ‰ é ß –€  & h s  7 £ x  # Œ Ò q

t|   ‰ & ³ © œs  . ´ E(T O), ´ E(LO), 2 ´ E(T O), 2 ´ E(LO)  ë ß – 4

Ÿ

x Ä ºo _  “ : r • ¸\    É r í ß –ê ø Í Ÿ í S \ ‰ é ß –€  & h     o\  ¦ Fig. 3 \ 

˜

Ð% i  . Fig. 3\ " f ´ E(T O), ´ E(LO), 2 ´ E(T O), 2 ´ E(LO)



ë ß – 4 Ÿ x Ä ºo _  [ jl  “ : r • ¸ 46 K, 50 K, 100 K, 106 K   H

~

½ Ó\ " f y Œ •y Œ • þ j@ / H † d`  ¦ · ú ˜ à º e ”  .

Ashokan 1 p x“ É r # Œl  Y Us $  F g  \  -t  InSe   & ñ ? / _

 M

1

Š © œ/ B G # Œl  _  \  -t ü < { 9 u  €    ë ß – í ß –ê ø ͟ í S \ ‰ é

ß –€  & h s  7 £ x † < Ê`  ¦ ˜ Ð% i  . s [ þ t“ É r  © œs    É r Y > > h_  Ar s “ : r Y Us $  F g‚  `  ¦ s 6   x “ ¦, ¢ ¸ r « Ñ_  “ : r • ¸\   

 É

r \  -t  { ç ß –  _     o\  ¦ s 6   x # Œ 117, 180, 230 cm

−1



ë ß – 4 Ÿ x Ä ºo _  [ þ t # Qš ¸  H (in-coming) / B N" î í ß –ê ø Íõ     H

Fig. 4. A plot of the temperature dependence of M

1

exciton obtained from Fig. 3.

(out-going) / B N" î í ß –ê ø Í\  _ ô  Ç ¿ º> h_  / B N" î 4 Ÿ x Ä ºo \  ¦ › ' a 8

£

¤ % i   [14].

Fig. 4  H / B N" î  ë ß – z  ´+ « >`  ¦ : Ÿ x # Œ > í ß –ô  Ç M

1

Š © œ/ B G # Œ l

 _  “ : r • ¸\    É r   ½ + Ë\  -t _     o\  ¦ ˜ Г    כ s  .

s

\  ¦ { 9  † < Êà º\  ´ ú Æ Ò# Q > í ß –ô  Ç M

1

# Œl  _  “ : r • ¸> à º



 H -4.62 × 10

−4

eV/K s % i  . s  ° ú כ“ É r F gf  ¨ à º Û ¼& 7 ˜à Ô! 3  8

£ ¤& ñ Ü ¼– РÒ'  % 3 # Q”   l ‘ : r& h “   \  -t  {  ç ß –  _  “ : r • ¸

>

à º -3.56 × 10

−4

eV/K (T > 100 K)[9] \  q  # Œ  ™ è



Œ

•“ É r ° ú כs  . ¢ ¸ô  Ç, ] X ¼ # Ü ¼– РÒ'  > í ß –  ) a ] X @ / 0 K   H % ƒ

\

" f M

1

# Œl  _    ½ + Ë\  -t   H 2.536 ± 0.00065 eV s 

%

i  . s   õ \  ¦ s p  ˜ Г ¦  ) a Choi 1 p x _    õ  2.534 eV (T

= 50 K)[8, 9] ü < Ashokan 1 p x _    õ  2.535 eV (T = 77 K)[14] ü < q “ §½ + É M :, “ : r • ¸ ± ú `  ¦ à º2 Ÿ ¤ {  ç ß –   \  -t 

&

t   H  כ `  ¦ “ ¦ 9 €   B Ä º { © œô  Ç ° ú כe ” `  ¦ · ú ˜ à º e ”  .

Fig. 5  H ´ A

1

(1), E

00

, ´ E(T O), ´ E(LO), ´ A

1

(2)  ë ß – 4 Ÿ x Ä º o

_  “ : r • ¸\    É r 0 Au     o\  ¦ ˜ Г    כ s  . s [ þ t  ë ß – 4

Ÿ

x Ä ºo _  { 9   “ : r • ¸> à º l Ö  ¦ l  dE

p

/dT   H y Œ •y Œ • -0.0091 , -0.027 , -0.011 , -0.020 , -0.019 cm

−1

/K s % i  .

A ´

1

(1)  ë ß – — ¸× ¼  H ¿ º InSe 8 £ x _    0 A\  ¦ Ÿ í† < Ê   H ”   1

l

x — ¸× ¼– Ð   ½ + Ë\  -t   Œ •“ É r In-In   ½ + Ë_  ’   © œ-à º» ¡ ¤ õ 

› '

aº  ÷ &  H ”  1 l x Ü ¼– Ð 6   x à º^ o =  © œÃ º  Œ •  ± ú “ É r 6 £ § € ª œ  \ 



-t \  ¦ t   H ì ø ̀  \  InSe8 £ x ? /_  y © œô  Ç In-Se   ½ + Ë\  _ 

(4)

Fig. 5. The temperature dependence of the frequencies of Raman modes in InSe films.

ô

 Ç ”  1 l x — ¸× ¼“   E

00

— ¸× ¼  H 6   x à º^ o =  © œÃ º ß ¼l  M :ë  H \   H 6

£

§ € ª œ  \  -t \  ¦ f ” `  ¦ ^  ¦ à º e ”  . E

00

— ¸× ¼  H ´ A

1

(1) — ¸

×

¼\  q  # Œ 3C  & ñ • ¸  H “ : r • ¸> à º l Ö  ¦ l \  ¦ t “ ¦ e ”  6

£

§`  ¦ · ú ˜ à º e ”  . s  כ “ É r “ : r • ¸ ? / 9€   E

00

— ¸× ¼_  6   x Ã

º^ o =s  ´ A

1

(1) — ¸× ¼\  q  # Œ  8 / å L y  é ß –é ß –K  f ” `  ¦ > p w ô  Ç



. ¢ ¸ô  Ç, Fig. 5\ " f ´ E(LO) — ¸× ¼_  “ : r • ¸> à º l Ö  ¦ l 

E(T O) ´ — ¸× ¼_  “ : r • ¸> à º l Ö  ¦ l ˜ Ð  2C  & ñ • ¸  H  כ `  ¦

^

 ¦ à º e ”  . TO-LO  s _  \  -t  s   H InSe    _  Born Ä »´ ò„    (e

)\  ¦   ? /  H  כ Ü ¼– Ð “ : r • ¸ ? / 9 ° ú ˜ Ã

º2 Ÿ ¤ InSe   & ñ _  s “ : r& ñ • ¸ 7 £ x    H  כ Ü ¼– Ð K $ 3 | ¨ c Ã

º e ”  .

IV. + s Ç Â ] Ø

InSe ~ à Ì} Œ •`  ¦ é ß –{ 9 „  ½ ¨^ ‰“   [(Me)

2

In(µ-SeMe)]

2

\  ¦   6

 

x # Œ MOCVDZ O Ü ¼– Ð GaAs(111) l ó ø Í0 A\  $ í  © œr (  



. F K t   ) a F G$ í F g † < Æ 6 £ § € ª œ  — ¸× ¼ ´ E(T O), ´ E(LO), s _  2×  æ 6 £ § € ª œ  — ¸× ¼ 2 ´ E(T O), 2 ´ E(LO) ü < M

1

# Œl    s  _

    H (out-going) / B N" î ‰ & ³ © œ`  ¦ s 6   x # Œ M

1

# Œl   _

 “ : r • ¸> à ºü < ] X • ¸“ : r • ¸ 0

\ " f_  F   ½ + Ë \  -t \  ¦

 

½ + Ë\  -t   H 2.536 eV s  .

P

c p 8 ý ò k >

s

 ƒ  ½ ¨  H 2005 † < Ƹ  • ¸ ×  æ € © œ@ /† < Ɠ § † < ÆÕ ü tƒ  ½ ¨q – Ð Ã º' Ÿ 

÷

&% 3 6 £ §.

Y

c p w Š à U Ø ”  ô

[1] N. Kuroda and Y. Nishina, Solid State Commun.

28, 439 (1978).

[2] A. Segura, A. Chevy and J. P. Guesdon, Solar En- ergy Mater 2, 159 (1980).

[3] M. O. D. Camara, A. Mauger and I. Devos, Phys.

Rev. B 65, 125206 (2002).

[4] C. Julien, M. Massort, P. Dzwonkowski, J. Y. Emery and M. Balkanski, Infrared Phys. 29, 769 (1989).

[5] J. P. Guesdon, B. Kobbi, C. Julien and M. Balkan- ski, Phys. Status Solidi A 102, 327 (1987).

[6] T. Hayashi, K. Uenro, K. Saiki and A. Koma, J.

Cryst. Growth 219, 115 (2000).

[7] J. Herrero and J. Ortega, Solar Energy Mater. 16, 477 (1987).

[8] I. H. Choi and P. Y. Yu, Phys. Rev. B 68, 165339 (2003).

[9] I. H. Choi and P. Y. Yu, J. Appl. Phys. 93, 4673 (2003).

[10] R. Nomura, K. Konishi and H. Matsuda, J. Elec- trochem. Soc. 138, 2 (1991).

[11] M. Yukadasa and K. Nakanishi, Thin Solid Films 156, 145 (1988).

[12] W. Schubert, E. D¨ orre and M. Kluge, Z. Metallkd 46, 216 (1955).

[13] J. Rigoult, A. Rimsky and A. Kuhn, Acta Crys- tallogr. Sect. C : Cryst. Struct. Commun. 38, 118 (1977).

[14] S. Ashokan, K. P. Jain, M. Balkanski and C. Julien,

Phys. Rev. B 44, 11133 (1991).

(5)

Temperature Dependence of the M 1 Exciton in InSe

In-Hwan Choi

Department of Physics, Chung-Ang University, Seoul 156-756 (Received 26 June 2006, in final form 21 August 2006)

InSe thin films were prepared by using a low-pressure metal-organic chemical-vapor deposition technique using a single-source precursor, [(Me)

2

In(µ-SeMe)]

2

. The intensities of the Raman modes were enhanced as a result of temperature-induced “tuning” of the energy of the M

1

-type hyperbolic exciton in InSe. The temperature coefficient and the recombination energy of the M

1

hyperbolic exciton were determined.

PACS numbers: 78

Keywords: InSe, M

1

exction, MOCVD, Raman

E-mail: ihchoi@cau.ac.kr

수치

Fig. 1. A SEM images of an InSe film grown on GaAs (111) substrate.
Fig. 2 \ &#34; f ^  ¦ à º e ” 1 p w s  ´ E(T O), ´ E(LO), 2 ´ E(T O), 2 ´ E(LO)  ëß – — ¸× ¼ H :£ ¤&amp;ñ  “:r • ¸\ &#34; f Õ ª [ jl  /å L y © œ5px 
 %i   yŒ ™™ è†&lt; Ê` ¦ ^¦ à º e ”  
Fig. 5. The temperature dependence of the frequencies of Raman modes in InSe films.

참조

관련 문서

After choosing the type of bike, the next step is the right bike size. the right size for you from

44 글의 첫 번째 문장인 The most important thing in the Boat Race is harmony and teamwork.을 통해 Boat Race에서 가장 중요한 것은 조 화와 팀워크임을

Now that you have the right bike for you, it is important to learn the right riding position.. A poor riding position can lead to injuries

44 글의 첫 번째 문장인 The most important thing in the Boat Race is harmony and teamwork.을 통해 Boat Race에서 가장 중요한 것은 조 화와 팀워크임을

Modern Physics for Scientists and Engineers International Edition,

12 that절 내의 주어를 문장의 주어로 쓰고 that절 내의 동사를 to부정사로 써 서 수동태 문장을 만들 수 있다... 13 반복되는 the reason을 관계대명사 which로 바꿔주고

Now that you have the right bike for you, it is important to learn the right riding position.. A poor riding position can lead to

웹 표준을 지원하는 플랫폼에서 큰 수정없이 실행 가능함 패키징을 통해 다양한 기기를 위한 앱을 작성할 수 있음 네이티브 앱과