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자기 디스크 (magnetic disk)

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Academic year: 2022

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자료는 김종현저-컴퓨터구조론(생능출판사)의 내용을 편집한 것입니다.

자기디스크구조

자기디스크 액세스 시간

RAID 출현배경

RAID 종류

플래시 메모리

SSD 구조와 동작원리

자기 디스크 (magnetic disk)

(2)

2

6.1 자기 디스크 (magnetic disk)

자화될 수 있는 물질로 코팅된 플라스틱이나 금속을 이용한 원 형 평판으로 만들어진 저장장치 : 하드 디스크(hard disk), 혹은 디스크(disk)

주요 구성 요소들

원형 평판(circular platter) : 실제 정보가 저장되는 장소로서, 다수의 트랙(track)들로 구성

헤드(head) : 전도성 코일을 통하여 표면을 자화(magnetize) 시킴으 로써 데이터를 저장하는 장치

디스크 팔(disk arm) : 헤드를 이동시키는 장치

구동장치(actuator) : 원형 평판 회전 및 디스크 팔 구동을 위한 모터 (motor)

(3)

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자기 디스크 (계속)

헤드의 수에 따른 디스크의 분류

단일-헤드 디스크(single-head disk)

다중-헤드 디스크(multiple-head disk)

(4)

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자기 디스크 (계속)

헤드의 이동성에 따른 분류

이동-헤드 디스크(movable-head disk)

단일-헤드 디스크(single-head disk) : 헤드를 이동시키면서 디스크 표면의 데이터 를 액세스

다중-헤드 디스크(multiple-head disk) : 각 헤드에게 일정 트랙 그룹 할당  헤드 이동 거리 단축

고정-헤드 디스크(fixed-head disk)

각 트랙 당 헤드를 한 개씩 설치

탐색 시간(seek time: 헤드가 해당 트랙으로 이동하는 데 걸리는 시간) = 0

제작 비용이 높아짐

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6.1.1 디스크의 구조

섹터(sector) : 디스크에 한 번에 쓰거나 읽는 데이터 크기의 최소 단위

섹터간 갭(inter-sector gap) : 섹터들을 구분하기 위한 간격(gap)

트랙간 갭(inter-track gap) : 헤드가 잘못 정렬되거나 자장의 간섭 때문에 발생하는 오류를 방지하기 위한 트랙들 사이의 간격

전형적인 디스크의 경우, 표면당 트랙의 수 = 500 ∼

2000 개, 트랙당 섹터의 수 = 32 개

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6

디스크 표면의 세부 구조

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7

등각속도 (Constant Angular Velocity, CAV)

디스크가 일정한 속도로 회전하는 상태에서 트랙의 위치에 상관없이 데 이터를 동일한 비율로 액세스하는 방식

[장점] 디스크 읽기/쓰기 장치가 간단하다.

[단점] 저장 공간이 낭비된다 (바깥쪽 트랙이 안쪽 트랙보다 더 길지만, 저장하는 데이터 양은 같아야 하기 때문)

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8

디스크 형식화 작업 (disk formatting)

디스크의 구성을 검사하고, 그에 관한 정보와 트 랙의 시작점, 섹터의 시작과 끝을 구분하기 위한 제어 정보 등을 디스크상의 특정 위치에 저장하 는 과정

트랙 형식의 예

섹터 크기 = 600 바이트 (512바이트 데이터 + 제어 정 보)

제어 정보(ID 필드) : 섹터를 구분하는 데 필요한 식별 자 또는 주소

SYNCH 바이트, 트랙 번호, 헤드 번호, 섹터 번호, 오류 검출 코드(CRC)

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9

트랙 형식의 예

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10

CRC (Cyclic Redundancy Check)

디스크로부터 데이터를 읽거나 데이터 통신 과정에서 발생하는 오류를 검출 하기 위하여 순환 2진 부호를 사용하는 방식

송신 측에서 데이터를 블록 단위로 나누고, 각 블록 뒤에 2진 다항식의 특수 계산에 의해 얻어진 순환 부호를 여분으로 붙여서 저장 혹은 전송

수신 측에서도 동일한 계산을 수행하여 동일한 순환 부호가 얻어지는지를 확 인함으로써 전송 오류의 유무를 검사

패리티 비트를 이용하는 방법보다 정교하여 오류 검출 능력이 뛰어남

저장장치(하드 디스크, CD-ROM, DVD) 및 각종 통신 프로토콜에서 사용

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디스크 드라이브(disk drive)

디스크, 헤드가 부착된 디스크 팔, 구동장치, 디스크를 회전시키는 축 (spindle), 데이터 전송을 위한 전자 회로 등을 포함한 전체 패키지

디스크 이동성에 따른 분류

제거불가능 디스크(non-removable disk) : 디스크 드라이브 내에 고정시킨 디스 크 (하드 디스크)

제거가능 디스크(removable disk) : 디스크 드라이브로부터 꺼낼 수 있으며, 다 른 디스크 드라이브에 삽입시켜 데이터를 읽거나 쓸 수 있는 디스크 (플로피 디 스크(floppy disk))

디스크 면 수에 따른 분류 : 양면 디스크(double-sided disk) 단면 디스크(single-sided disk)

실린더(cylinder) : 서로 다른 디스크 표면에 있지만 같은 반경에 위치하고

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12

단일 및 다중-평판 디스크 드라이브의 내부 구조

(13)

13

6.1.2 디스크 액세스 시간

디스크 액세스(읽기/쓰기) 동작의 순서

헤드를 해당 트랙으로 이동

원하는 섹터가 헤드 아래로 회전되어 올 때까지 대기

데이터를 전송

디스크 액세스 시간(disk access time)

디스크 액세스 시간 = 탐색 시간 + 회전 지연 시간 + 데이터 전송 시간 탐색 시간(seek time) : ①번에 걸리는 시간

회전 지연 시간(rotational latency time) : ②번에 걸리는 시간

데이터 전송 시간(data transfer time) : ③번에 걸리는 시간 및 디스크 제어기(disk controller)에서 소요되는 시간

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14

회전지연시간: 디스크의 회전속도에 따라 결정

[예] 회전축의 속도 = 7200 rpm(rotations per minute)인 경우,

초당 120바퀴 회전  한 바퀴 회전에는 1/120sec(8.33ms) 소요 헤드가 해당 트랙에 도착한 순간의 헤드 위치에 따라,

o 회전지연시간 = 0 ~ 8.33ms

o 평균 회전시간 = 4.17ms (1/2 바퀴 회전에 걸리는 시간)

최근의 디스크 회전축 속도 : 5400 rpm, 7200 rpm, 10000 rpm, 15000 rpm, 20000 rpm(개발 중)

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최신 디스크들의 특성 및 성능 파라미터들

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6.2 RAID (Redundant Array of Inexpensive Disks)

6.2.1 RAID 출현의 배경

한 개의 대형 디스크를 사용하는 것보다, 크기가 작은 여러 개의 디스크 들을 서로 연결하여 하나의 큰 용량을 가진 디스크 배열(disk array)을 구 성하면, 보다 더 저렴한 가격으로 더 큰 용량을 가진 디스크 서브시스템 의 구성 가능

[추가적인 장점]

데이터 분산 저장에 의한 동시 액세스(concurrent access) 가능

병렬 데이터 채널에 의한 데이터 전송 속도 향상

[문제점] 고장 가능성 증가 (MTTF 단축)

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기본 기술:

디스크 인터리빙 (disk interleaving)

데이터 블록들을 여러 개의 디스크들로 이루어진 디스 크 배열(disk array)에 분산 저장하는 기술

균등 분산 저장을 위하여 라운드-로빈(round-robin) 방

식 사용

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디스크와 디스크 배열의 특성 비교

* 위의 표는 RAID를 처음 제안한 U.C. Berkeley 대학의 연구팀이 제시한 것으로서, 그 당시의 디스크들에 대한 규격 및 가격 등을 기준으로 작성되었음

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디스크 배열의 단점

디스크 배열의 주요 단점 : MTTF(Mean Time To Failure) 의 단축

[예] MTTF = 30000 시간인 디스크 100개를 이용한 디스크 배열의 MTTF = 30000/100 = 300 시간으로 단축

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RAID 제안

디스크 배열의 결함허용도(fault-tolerance)를 높이기 위하여 RAID가 제안됨

핵심 기술 : 검사 디스크(check disk)들을 이용하여 오류 검출 및 복 구 (error detection and recovery)기능 추가

디스크 결함 발생시의 복구 절차

해당 디스크 사용 중단 및 시스템으로부터 분리

검사 디스크에 저장된 정보를 이용하여 원래의 데이터 복구

결함 수리 후 디스크 재설치

시스템 재구성

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6.2.2 RAID의 종류

1) RAID-1

디스크 미러링(disk mirroring; 디스크 반사) 방식 이용 : 데이터 디스크 에 저장된 모든 데이터들은 짝(pair)을 이루고 있는 미러 디스크의 같 은 위치에 복사

[장점] 거의 완전한 결함허용도(fault tolerance) 제공

8

(22)

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2) RAID-2

비트-단위 인터리빙 방식 사용 : 데이터를 각 디스크에 비트 단위

로 분산 저장

해밍 코드(Hamming code)를 이용한 오류 검출 및 정정

[단점] 필요한 검사 디스크들의 수가 많아서 가격이 비싸다

[주요용도] 오류가 많이 발생하는 환경에서 사용

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RAID-2 (계속)

필요한 검사 디스크 수를 구하는 식 :

2C - 1 ≥ G + C

단, G : 데이터 디스크의 수

C : 필요한 검사 디스크들의 수

[예] G = 8 인 경우 : 검사 디스크 수( C) = 4, 오버헤드 = 50 % G = 16 인 경우 : 검사디스크 수 ( C) = 5, 오버헤드 = 31 %

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3) RAID-3

패리티 방식을 이용한 오류 검출 및 정정 방식 사용

패리티 비트 : p = b1  b2  b3  b4

디스크에 결함이 발생한 경우의 데이터 복구 방법:

[예] b2 가 저장된 디스크 결함 발생시: b2 = p  b1  b3  b4

[장점] 병렬 데이터 읽기/쓰기 가능  디스크 액세스 속도 향상 [단점] 쓰기 동작 때마다 패리티 비트 갱신 필요  시간 지연 발생

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4) RAID-4

블록-단위 인터리빙 방식 사용

데이터 디스크들의 동일한 위치에 있는 블록들에 대한 패리티 블록을 패리티 디스크에 저장

[문제점] 매 쓰기 동작을 위해 패리티 디스크를 두 번씩

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RAID-4 (계속)

데이터 블록의 쓰기(갱신) 과정

두 번째 디스크에 저장된 블록 B2 를 B2' 로 갱신하는 경우

새로운 패리티 블록 P' = B1  B2'  B3  B4

세 번의 디스크 읽기(B1, B3 및 B4 읽기)와 두 번의 디스크 쓰기(새로운 데이터 및 패리티 쓰기) 동작들이 필요  Overhead (성능 저하)

디스크 액세스 횟수의 최소화 방법

P' = B1  B2'  B3  B4  (B2  B2) = (B1  B2  B3  B4)  B2  B2' = P  B2  B2'

즉, 디스크 수에 상관없이, 한 블록 갱신에 네 번의 디스크 액세스만 필요

원래 데이터 읽기, 원래 패리티 읽기, 새로운 데이터 쓰기, 새로운 패리 티 쓰기

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5) RAID-5

RAID-4의 문제점을 보완하기 위하여 패리티 블록들을 라운드-로빈(round-robin) 방식으로 분산 저장

[장점] 패리티 디스크에 대한 병목 현상 해소 쓰기 동작들의 병렬 수행 가능

데이터 디스크들의 수가 G 개일 때, 최대 (G+1)/2 개의 쓰기 동작들 의 병렬 수행 가능

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RAID-5 (계속)

[문제점] 작은 쓰기 문제(small write problem)

어느 한 블록만 갱신하는 '작은 쓰기(small write)'의 경우에 네 번의 디스크 액세스가 필요하기 때문에 성능이 저하됨.

RAID-1과 RAID-5의 비교

RAID-1 : 읽기와 작은 쓰기가 많은 환경에 적합

RAID-5 : 용량과 비용을 중요시하는 응용이나 큰 쓰기 요구가 많은 환경에 적합

가격 대 성능비 측면에서 RAID-5가 더 우수

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29

6.3 플래시 메모리와 SSD

주기억장치와 보조저장장치 간의 빈번한 정보전송 발 생

 보조저장장치의 성능 향상 필요

기계장치가 포함된 디스크 드라이브의 성능 한계

SSD(Solid-State Drive)의 출현

반도체 기억장치(플래시 메모리) 칩들을 이용한 대용량 저장장치

영구저장 능력 보유

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플래시 메모리(Flash memory)

휴대용 백업 저장매체로 널리 사용

대용량 저장장치인 SSD의 구성요소

SSD: 다수의 플래시 메모리들을 배열로 구성한 패키지

액세스 속도가 디스크에 비해 높음

일반적인 반도체 기억장치와는 다른 읽기/쓰기 특성으 로 인한 별도 관리 방식 필요

상대적 높은 가격 및 낮은 내구성(갱신 횟수 제한) 문제

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6.3.1 플래시 메모리

플래시 메모리의 출현  비휘발성 반도체 기억장치 분야 활성화 계기

높은 저장 밀도: 한 비트 저장에 한 개의 트랜지스터 사용 [비교] EEPROM: 비트 당 두 개의 트랜지스터 사용

낮은 전력소모량, 높은 신뢰성, 속도 향상

동작 원리

메모리 셀(기억 소자) 구현: NMOS 트랜지스터 사용

구조적 특징 : 두 개의 게이트

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동작원리 (계속)

메모리 셀의 기호 및 내부 구조

부동 게이트 : 절연체인 산화막(SiO2)로 둘러싸여 전자 들이 들어오지 못하며, 초기에는 비어있는(empty) 상태 –- (‘1’ 저장 상태)

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33

프로그래밍(쓰기) 동작

: 제어 게이트로 고전압(+12V) 인가시, N-채널의 전자들이 부동 게이트로 진입 (터널링 효과로 인한 터널 주입 발생)  ‘0’ 쓰기

‘0’ 저장 : Vg = +12V 인가

‘1’ 저장 : Vg = 0

삭제 동작

: p층(p-well)에 고전압(Vp) 인가 시, 부동 게이트에 갇힌 전자들이 N-채널로 빠져 나옴 (터널 릴리스 현상)

셀에 저장된 값  원래 값(‘1’)으로 변경

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읽기 동작

드레인 전압(Vd: 5V) 인가  N-채널을 통하여 전자 흐름 발생

게이트 전압(Vg: 5V) 인가  전기장 발생

저장된 데이터 = ‘1’ (부동 게이트가 빈 상태) 경우

 N-채널 확장 (그림 6-13(a))

 많은 전류가 흘러 트랜지스터가 ‘ON’ 상태 : ‘1’ 읽음

저장된 데이터 = ‘0’ (부동 게이트가 채워진 상태) 경우

 N-채널 축소 (그림 6-13(b))

 매우 적은 전류가 흘러 트랜지스터는 ‘OFF’ 상태 : ‘0’ 읽음

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35

셀 읽기의 동작 원리

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플래시 메모리의 셀 배열 조직

NOR형 플래시 메모리

메모리 셀 배열(memory cell array)이 NMOS 트랜지스터들의 병렬 접속 으로 구성 (그림 6-14(a)) : 전원(Vcc)이 비트 라인(BL)을 통하여 모든 트 랜지스터들의 드레인으로 직접 공급되며, 트랜지스터들의 소스는 접지 (GND)로 접속

 각 트랜지스터의 독립적 스위칭 동작 가능 (셀 단위 액세스 가능)

NAND형 플래시 메모리

메모리 셀 배열이 NMOS 트랜지스터들의 직렬 접속으로 구성 (그림 6- 14(b)) : 전원(Vcc)이 첫 번째 트랜지스터의 드레인으로만 접속되고, 소스 가 다음 트랜지스터의 드레인으로 접속되며, 마지막 트랜지스터의 소스 만 접지

 트랜지스터의 독립적 스위칭 동작 불가능

(37)

37

NOR형 플래시 메모리의 읽기 동작 원리

셀 배열의 트랜지스터(TR)에 ‘0’이 저장 된 상태에서 해당 단어 선(WL)으로

Vg=+5V 인가 :

(TR: OFF)  BL = +5V 유지

셀 배열의 어느 TR(들)에든 ‘1’이 저장 된 상태에서 Vg = +5V 인가 :

(TR: ON)  BL = 0V

 “NOR 연산”

(BL=0V)  감지 증폭기(sensor amp)의 스위칭 동작에 의해, 최종 출력 = ‘1’, [(BL=+5V)  ‘0’ 출력]

(38)

38

NAND형 플래시 메모리의 읽기 동작 원리

‘1’ 저장 상태에서, (TR: ON)을 위한 문턱 전압 (Vth) = -3V

‘0’ 저장 상태에서는 Vth = +1V

초기 상태: 모든 WL(Vg)=+5V (TR=ON)

어느 한 셀의 읽기: 해당 Vg = 0V 인가

‘1’이 저장된 상태라면, Vg > Vth : (TR=ON)

 BL=0V [‘1’]

‘0’이 저장된 상태라면, Vg < Vth : (TR=OFF)  BL=+5V [‘0’]

 “NAND 연산”

[최종 출력]은 센서증폭기에 의해 반전

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39

NOR형 및 NAND형 플래시의 비교

NOR형

셀(비트) 단위 읽기/쓰기 가능 : 프로그램 코드 저장, 작은 데이터 수시 인출 및 변경 응용에 적합

셀 당 접속 선의 수 = 3개  낮은 저장 밀도

(칩 당 저장용량 감소)

주요 용도: PC-BIOS 저장장치, PDA /스마트폰 OS 저장 장치, 등

NAND형

셀(비트) 단위 읽기/쓰기 불가능

셀 당 접속 선의 수 = 1개  높은 저장 밀도 : 대용량 저장

장치로 적합

(40)

40

내부 조직 및 특성(NAND형 플래시 메모리)

블록(block)들로 구성되며, 각 블록은 다수의 페이지 (page)들로 구성

페이지 크기: 2Kbyte, 4Kbyte, 16Kbyte, 64Kbyte, 등

[비교] 디스크: 읽기/쓰기/전송의 기본 단위인 섹터 = 512Kbyte

읽기, 쓰기 및 전송: 페이지 단위

삭제: 블록 단위

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41

내부 조직(계속)

[예] 1Gbit 플래시 메모리의 내부 조직

페이지: x 방향으로 2048개의 셀들로 구성되고, z 방향으로 8개씩의 셀 로 이루어짐  16 Kbits (2 Kbyte)

블록: 64개의 페이지들로 구성  1 Mbit(128 Kbyte)

메모리 모듈: 1024개의 블록들이 y 방향으로 쌓여 이루어짐

 전체 용량 = 1 Gbit (128 Mbyte)

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1Gbit NAND 플래시 메모리의 내부 조직

(43)

43

읽기 동작

페이지 선택 해독기(page select decoder)의 한 출력이 2048 개 셀들의 게이트들로 인가(페이지 선택)

z 방향의 8개 배열들에 대하여 동시에 수행(byte 단위)

해당 페이지의 모든 데이터(2048 x 8비트)가 인출되어 페이 지 레지스터(page register)로 적재된 후, 버스를 통하여 CPU 로 전송

페이지 단위로 수행  바이트 단위 동작이 가능한 NOR형에 비해 읽기 시간이 더 길어짐

쓰기 동작도 동일한 방법(반대 순서)으로 이루어짐

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44

칩의 용량

{(2048 x 8비트) x 64페이지} x 1024블록 = 1Gbit = 128Mbyte

오류 검출 및 정정을 위한 ECC(error correction code) 추가 시, 칩 당 64byte ECC 정보가 데이터와 함께 저장됨

 페이지 당 (2K+64)byte, 블록 당 (128K+4K)byte 저장

내부 조직 유형

블록 당 페이지 수: 32개, 64개, 128개, 등

페이지 크기: 2Kbyte, 4Kbyte, 16Kbyte, 64Kbyte, 등

액세스 및 전송의 기본 단위인 페이지의 크기가 일정하지 않고, 하드 디스크의 섹터 크기와도 다르며, 삭제는 블록 단위로만 가 능

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45

SLC, MLC 및 TLC

부동 게이트로 들어가는 전자들의 수를 조정하여 각 셀에 저장되는 상태의 수를 증가

SLC(single-level cell): 두 가지 상태를 가지는 셀들로 이루어진 플래 시 메모리 칩(셀 당 한 비트씩 저장)

MLC(multi-level cell): 셀의 상태를 4가지(00,01,10,11)로 구분 ( 2비 트씩 저장)  저장 용량 : 4배 증가

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46

TLC(triple-level cell): 셀의 상태를 8가지(000, 001, 010, 011, 100, 101,110,111)로 구분 (3비트씩 저장)  저장용량 : 8배 증가

MLC 및 TLC의 문제점

전자 수 조정을 위한 세밀한 작업 필요

데이터 구분의 어려움으로 인한 액세스 속도 저하

오류 발생 빈도 증가

수명 단축

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47

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48

6.3.2 SSD(Solid-State Drive)

기계적 장치가 포함된 하드 디스크 드라이브(HDD) 를 대체하기 위해 개발된 대용량 비휘발성 반도체 저장장치

구성요소: 저장밀도가 높은 NAND형 플래시 메모리

다수의 플래시 메모리들을 배열로 구성하여 패키징

장점: 높은 안정성 및 신뢰도

결점: 저장용량 대비 가격이 HDD에 비해 다소 높음

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49

사례: Intel SSD DC S3700 계열 제품의 PCB 전면

(50)

50

SSD의 내부 조직

플래시 메모리 칩

PCB 앞면과 뒷면에 각각 8개씩 장착

인터리빙 방식으로 데이터 분산 저장, 병렬 입출력 채널 구성

 동시 액세스 및 병렬 데이터 전송 지원

SSD 제어기(controller)

데이터 저장과 인출, 칩 관리, 주소 변환 등과 같은 핵심적 기능 수행

펌웨어 수준의 프로그램을 수행하는 프로세서로 구현

DRAM: 컴퓨터와 플래시 메모리 사이의 데이터 버퍼

외부 인터페이스: SATA, PCIe 등을 이용한 직렬 전송

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51

FTL(Flash Translation Layer)

기존의 파일시스템과 OS가 HDD와 같은 방법 으로 SSD를 사용할 수 있도록 지원해주는 미 들웨어

플래시 메모리의 블록과 페이지를 논리적으 로 HDD의 섹터와 같은 구조로 변환

SSD 제어기가 수행

(52)

52

FTL은 페이지 주소와 섹터 주소간의 매핑(mapping) 기능 외에도, SSD의 성능 향상을 위하여 아래의 기능 들을 수행

마모 평준화(wear leveling)

쓰레기 수집(garbage collection)

초과 대비공간(over-provisioning;

오버-프로비저닝

)

(53)

53

마모 평준화(wear leveling)

필요성

플래시 메모리의 셀 수명(재기록 반복횟수: program/erase cycle)한 계

MLC 및 TLC에서 그 문제는 더욱 심각

삭제 및 쓰기 동작들이 일부 블록이나 페이지들에 집중될 경우, 전 체 SSD 수명 단축

해결책: 마모 평준화

모든 페이지들을 고르게 사용하도록 위치 조정

각 페이지의 사용 횟수를 기록하여 쓰기 동작 시 참고

기록 횟수가 적은 페이지 우선 사용

(54)

54

쓰레기 수집(garbage collection)

필요성

삭제 동작은 블록 단위로만 가능

페이지 수정 시, 마모 평준화 정책에 따라 다른 위치의 페이지에 새로운 내용을 쓰고, 원래 페이지는 삭제 불가

해결책

수정되었지만 삭제되지 않은 페이지: 쓰레기(garbage)로 표시

쓰레기로 표시된 페이지가 많이 축적된 블록을 한꺼번에 삭제:

쓰레기 수집

(55)

55

초과 대비공간(over-provisioning; 오버-프로비저닝)

필요성

마모 평준화의 효율을 높이기 위해서는 (수정된 페이지와 쓰레기 페 이지의 일시적 중복 저장을 위한) 추가적 저장공간 필요

해결책

SSD 내부에 여분의 저장 공간 제공

사례

Intel DC 3500 SSD : 120 GByte + 8 GByte(초과 대비공간)

삼성전자 840 계열의 MZ-7TD250B SSD : 250 GByte + 6 GByte(초과 대비공간)

참조

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