반도체 산업의 역사

반도체 산업의 역사

History of (Silicon) Semiconductor

집적 회로 발전의 역사 (History of IC Development)

• 1939, Discovery of p-n Junction in Silicon by the Semiconductor Group of Bell Labs

• 1947, The First Transistor (Solid State Amplifier, as a Ge-Si Junction - the “Point Contact Transistor”) by W.H. Brattain, J. Bardeen, W. Shockley at Bell Telephone Labs

• 1949, p-n Junction Experimentally Demonstrated by Shockley in the Paper “The Theory of p-n Junctions in Semiconductor and p-n Junction Transistors,” Bell Syst. Tech. Journal, 28, 435(1949)

• 1958, J. Kilby of Texas Instruments Devised the Monolithic Integrated Circuits

• 1960, MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Invented by 강대원 of AT&T Bell Labs

• 1967, 1T/1C(1 Transistor + 1 Capacitor) DRAM Cell Devised by R.H. Dennard of IBM

• 1971, Intel Developed the First Microprocessor “4004” of 0.8MHz and the First 1K DRAM

Photo The 1st Si-Ge Transistor by Bell Labs Figure Schematic of n-p-n MOSFET Structure (n-p-n MOSFET 구조의 개념도)

Substrate

n⁺ p n⁺

Column (Bit Line)

Capacitor Row (Word Line)

Transistor (Write/Read)

Figure Equivalent Circuit of 1T/1C DRAM Cell (1T/1C DRAM Cell의 등가 회로)

Photo Dr. 강대원

• 1971, 1st Microprocessor 4004 and 1Kbit DRAM Developed by Intel

• 1989, Intel Announced 80386 Processor

• 1992 and 1994, 64Mbit DRAM and 256Mbit DRAM, respectively Developed by Samsung Electronics

• 1995, 1st 256M Synchronous DRAM by Hyundai Electronics

• 1998, 1st 1G DRAM by Samsung Electronics

집적 회로 발전의 역사 (continued)

Note: Chip Photos are not in Scale

Intel’s 4004 (1971)

Hynix’ 256MD - Synchronous (1995)

Intel’s 1KD (1971) Samsung’ s 1GD - Synchronous (1998)

Intel’s 80386 (1997)

Intel’s Pentium Pro (P6) (1997)

Intel’s Xeon-450MHz (1999) Intel’s Celeron

(Mendocino-333MHz) (1999)

Intel’s P3, Coppermine-1GHz (2000)

Evolution: Speed of X10³ (MPU) and Density of X10⁶ (Memory)

Figure & Photos Key Evolution of Microprocessor & DRAM

Refs.: 1) p66-89, Vol.30, No.12 (Dec. 1987), Solid State Technology, Pennwell Publication 2) http://cpu-museum.de

Microprocessor 진보의 역사 (History of Microprocessor Evolution - Intel’s MPUs)

Pentium III Xeon (450MHz – 1GHz)

8008 1972

8085 4040 8080 1973

8086 1978

80186 80286 1982 8088 80386 1985

80486 1989

Pentium 1993

Pentium Pro 1995

Pentium II 1997

Celeron & Pentium III 1999 Pentium II Xeon Pentium IV 2000

4 bits 8 bits 16 bits 32 bits Speed of Microprocessor Bandwidth of Microprocessor Year Code 64 bits 4004 1971

(0.8MHz)

Figure Evolution of Chip Speed & Bandwidth of Microprocessor

Silicon

반도체 산업에서 Silicon이 중요한 이유와 배경 (Background for Silicon Popularity)

Properties of Silicon

• 격자 상수(Lattice Parameter);

aSi = 5.431Å

• Band Gap Energy;

Eg,Si = 1.12eV @Room Temp.

*1 VLSI Technology, 2nd Ed. (1988), S.M. Sze, McGraw-Hill, ISBN 0-07-062735-5, ^*1 Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed. (1981), S.M. Sze, John Wiley & Sons, ISBN 0-471-05661-8

Table Composition of the Elements on the Earth

• General Characteristics of Semiconductor (반도체의 일반적인 속성)

- 단/다결정 성장 상태에서는 전기적으로 부도체이나 특정 조건이 가해지면 도체로 거동

(Both in Single Crystalline and Polycrystalline, As-Grown State is Dielectric, Electrically Non-conductive, but Behaves as Conductor when Specific Conditions are Met)

즉, Dopant의 주입으로 반송자(전자나 정공)가 생성되거나 전자와 정공이 생성된 상태에서 외부에서 전기가 자해지는 등의 조건이 주어지면 도체 로 거동 i.e., Carrier (Electron or Hole) Generation by Dopant or Externally Electric Field is Applied

Element O Si Al Fe Ca

Content

(wt. %)^* 45.5 27.2 8.23 5.63 4.15

* Weight Percent (조성 중의 무게로 비교된 백분율)

Source: 김희영, Silicon Materials for Solar Cell, August 28, 2007

Si을 원료로 하는 각종 원재료와 산업 분야 (Silicon - Relevant Products & Industrial Sectors)

*1 EG-Si: Electronic Grade Silicon(99.999999999%) ^*2 SoG-Si: Solar Cell Grade Silicon(99.9999%)

Silica (硅石) SiO2

Metal Grade Silicon (Si) 98.5 -99.5%

Organo-Si (Silicone)

Trichlorosilane (SiHCl3)

Silane-Based Compound

Tetrachlorosilane (SiCl4)

Polycrystalline Silicon (Si)

Polysilicon Ingot Polysilicon

Ingot (EG-Si^*1)

(SoG-Si^*2)

Semiconductor

&

Display

Solar Energy

Fine Chemical Fumed Silica

(SiO2)

IC Chips

Sealant Paint CMP Slurry

OF Grade

(SiCl4) Optical Fibers

Various Silicone Products

General Chemicals Si

Wafer

m-Si

Wafer Solar

Cell PV

Module Monosilane

(SiH4)

Siloxane Intermediate

Products Gums/Resin/Oil

Industry Sector Final Product

+ H2

Tele- communication

Wastes Purification + HCl

+ CH3Cl

Crystal Growing

Casting

Carbon Reduction

Polysilicon Plant

Figure Purification Processes of Silicon - Its Products & Usage for Various Industrial Sectors Processing

• Si으로 만드는 반도체 (IC: Integrated Circuit, 집적회로)가 대부분인 배경과 이유 (The Reasons for Silicon Popularity) 1) 지구 상에 풍부하게 존재하므로 원재료를 구하기 쉬운 이점 (Abundance and Easy Accessibility)

- 저렴한 가격으로 원재료를 구할 수 있는 이점 (Low Cost of Raw Material) - 원재료의 무한한 공급이 가능 (Infinite Self-Supply: SiO2 <-> Si)

2) Band Gap Energy가 비교적 낮음 (상온에서 1.12eV, Relatively Small Band Gap Energy ~1.12eV at Room Temperature^*1) cf. Germanium Eg,Ge = 0.66eV ^*1, GaAs Eg,GaAs= 1. 42eV^*2)

3) 여러가지 공정 상의 이점이 존재

. IC 제조를 위한 공정 중에는 Si의 산화막이 필요한 경우가 자주 발생하는데 이를 쉽게 얻을 수 있음 (Easiness of Oxidation into Silicon Dioxide, SiO2 during IC Processing)

. IC 제조 공정 중 전기적으로 활성 영역(Active Region)과 불활성 영역(Passive Region)을 구분하는 공정을 소자간 격리(Isolation)라고 하는데, 비교적 쉽고, 값싸게 이 공정이 가능하다 (Easy Isolation of Electrically Active Region from Passive, thus can Lower Cost of Processing) . IC 제조의 최종 단계인 부도층을 쉽게 만들 수 있음 (Easy Formation of Passivation Layer for Final Protection of IC at Wafer Level) . Ion 주입, Dopant의 확산 방지 등의 공정 시에 Mask로 사용하기 쉽다 (Masking against Implant, Diffusion Barrier of Dopants) . 강성과 강도가 좋아 IC Chip 제조의 기판으로 사용하기 쉽고, 공정 중에 기판 취급이 용이하다

(Stiffness/Strength as a Chip Substrate of Monolithic IC, Comfortable to Handle during IC Processing)

*1 VLSI Technology, 2nd Ed. (1988), S.M. Sze, McGraw-Hill, ISBN 0-07-062735-5, ^*1 Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed. (1981), S.M. Sze, John Wiley & Sons, ISBN 0-471-05661-8

반도체 산업에서 Silicon이 중요한 이유와 배경 (cont’d)

전자 산업의 동향과 반도체의 미세화의 구동력

(The Trends of Electronic System & Drivers of Scaling)

전자 제품의 진보 동향 – 가격 경쟁력

Figure Critical Factors of Today’s Mobile Systems Density

Cost

Speed

Power

• Internet 시대의 이동성(Mobility)을 전제로 하는 전자 제품에서 고려해야 할 주요 요소 1) 가격 경쟁력(Cost-Competitiveness), 2) 집적도(集積度; Integration/Packing Density), 3) 동작 속도(Speed), 4) 전력 소모(Power Consumption)

위의 4가지 요소들은 모두 제품(Electronic System) 과 제품을 구성하는 부품 (Module) 이나 소자(Components 혹은 Device)의 미세화(Scale-down)와 깊은 연관성을 가진다

1) 가격 경쟁력(Cost-Competitiveness)

. Cost-Competiveness^*1, CoO^*2(Cost of Ownership) 관점에서 보는 제품의 가치

기능이 한가지이거나 단순한 제품이던 시대에 소비자는 구매 당시의 가격(Price)이 싼 제품을 선호

복합(Convergence)과 융합(Fusion)의 경향에 의해 주도되는 오늘날 전자 제품의 다기능화(Multi-Functional) 경향에 따라, 소비자는 제품의 상대적 가치([Value]/[Price] = Cost-Effectiveness)의 관점에서 제품을 평가하는 경향이 강하다

. 소비자는 구입 시 단가(Unit Price)의 관점에서 제품의 가격을 판단하는 것이 아니라 가격 대비 기능(Function)이나 성능(Performance)등 제품 가치의 관점에서 비용을 판단 (^*1 Cost-Effectiveness)

. 생산자는 단순히 가격(Price) 측면의 만족을 제공하기 보다 사용 중 제품이 제공하는 가치 관점에서 제품을 개발/생산하여야 한다 구매 시 소비자가 지불하여야 할 ‘비용(Cost)’ 개념을 넘어 제품이 주는 가치 극대화의 관점에서 제품을 개발하고 생산하여야 한다

*2 CoO: 구입 시 가격뿐 아니라 유지/보수, Upgrade 비용 , 적절한 사용을 위한 교육, 연수 비용 등과 같은 구입 이후에 소요되는 제비용을 모두

포함하는 System 사용 시의 총비용 (Total Value including Purchasing Price, Reliability, Maintenance, etc.)

소비자 가격의 인하의 예 (1)

1960 1970 1980 1990 2000 2010

Cost (US $)

PC Data Processing Cost ($/MIPS)

Communication Cost - $/Mbit (based on Long Distance Call)

Deregulation

Internet Phone

Satellite Monopoly - AT&T

Mainframe

$1,000(286)

$66(486)

$20(Pentium)

$0.8(Willamette)

$5,000(8086)

$250(386)

$2.0(Pentium-III)

Figure User Price Erosion of Phone Call Service & Data Processing

Intel 1KD, 1971

Mostek 1KD, 1976

TI 64KD, 1980

AT&T 256KD, 1985

Toshiba 1MD, 1987

Hitachi 4MD, 1990

Samsung 16MD, 1993

Hynix 256MD, 1998 First DRAM (1KD) was developed in 1971 by Intel

* Chip Photos are not in Scale 1E+04

1E+03

1E+02

1E+01

1E+00

1E-01

1E-02

Average Selling Price ($/Mbit)

1974 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 ASP^*/Mbit

Year

*Average Selling Price

소비자 가격의 인하의 예 (1)

Figure User Price Erosion of DRAM Price

전자 제품의 진보 동향 – 집적도와 동작 속도

2) 집적도(Integration Density)

. 집적도란 단위 면적이나 체적에 소자나 부품을 얼마나 많이 집어 넣을 수 있느냐를 가늠하는 척도

. 집적도를 높이기 위해서는 개별 소자가 작아져야만 하며, 이에 따라 부품의 크기도 작아지고 따라서 전체 System의 소형화 (경박단소, 輕薄短小) 를 구현할 수 있다

. 개별 소자의 소형화는 역사적으로 ‘Moore의 법칙(Moore’s Law, 이 강의를 통해 이하 ‘M’s Law’로 약하기로 함)이라 하는 미세화(Scale-down) 법칙에 의해 지속적으로 이루어져 왔으며, 반도체 재료의 여러가지 물성의 한계 및 공정 장비의 문제 등으로 인해 흔히 M’s Law가 거의 한계에 와 있다고 의견도 있으나, 반도체 집적 회로의 개념이 출현한 이후 약 40년 동안 지속되어 온 미세화는 당분간 지속될 것이라는 관측이 지배적

3) 동작 속도

. 전자 제품의 중요한 동향으로, 이 경향은 최근 20여년 간 주로 PC를 통해 주도

. 다양한 기기가 등장한 오늘날 동작 속도의 중요성은 모든 ICT (방송, 통신) 제품을 통해 필수적인 경향 . 동작 속도의 향상을 위해서는 System 내에서 다음 두 가지 요소를 함께 고려해야 한다

i) IC Chip 내의 회로 간 신호 전달(Signal Transmission) 속도, ii) System 내의 Bus Line을 통한 Data 전달의 효율성 (Bandwidth)

. 반도체로 이루어진 초기 전자 제품의 경우, 속도의 향상은 주로 System 내 반도체 소자의 속도 향상을 통해 이루어 졌지만, 그 이후로 Chip 내부 신호 전달 속도 향상이 한계 상황을 맞으면서 Data의 효율적 전송을 위한 Bandwidth의 개념이 등장

. 특히, 오늘날과 같이 많은 Data가 전송되는 상황에서는 Bandwidth에 대한 기술적인 고려가 대단히 중요한 개념으로 자리잡게 되었다 . 따라서, 오늘날 기기에서 동작 속도는 신호 전달의 속도와 Bandwidth의 효율성의 조합으로 결정

• 1st DRAM(1K) in 1971 by Intel

• Bit Growth of 50 - 80%/Yr. in recent 10 Yrs. (Cost Reduction: 1/200 Decrease)

DRAM의 집적도와 소자의 고집적화 (Terms to Index Integration Level^*)

Density

Scale 1K 4K 16K 64K 256K 1M 4M 16M 64M 256M 1G

Year 1971 75 79 82 85 88 91 94 97 2000 03

Design

Rule (μm) 10 8 5 3 2 1 0.8 0.5 0.3 0.18 0.1

Cell Size

(μm²) 3000 860 400 180 65 25 10 3.5 1.2 0.4 0.13

Chip Size

(mm²) 10 13 26 30 35 50 70 110 140 160 180

Table Evolution of Design Rule, Cell Size , &

Chip Size with Integration Density of DRAMs

Level of Integration

Number of Components/Chip

Remark

(DRAM-Equivalent Density ) SSI < 10² . Small Scale Integration

MSI 10² - 10³ . Medium Scale Integration (1K – 4K)

LSI 10⁴ - 10⁵ . Large Scale Integration (≤ 16K – 64Kbit)

VLSI 10⁵ - 10⁶ . Very Large Scale Integration (256K - 4Mbit)

ULSI 10⁷ – 10⁹ . Ultra-Large Scale Integration (16M – 256Mbit)

GSI, SLSI > 10⁹ . Giga-Scale, Super-Large Scale Integration (≥ 1Gbit) Table Acronyms of Integration Density

* G. Moore, “VLSI, What Does the Future Hold,” Electron Aust., 42,14 (1980) C. Bezold & Olsen, The Information Millennium: Alternative Futures, Information Industry Association, Washington, D.C., (1986)

3) 동작 속도 (계속)

. Bandwidth, [BW]는 System 내의 Bus를 통한 단위 시간당 정보 처리량으로 정의할 수 있으며 다음과 같이 표현된다

[BW]^* = [Bus Utilization] X [Bytes Transferred]/[Cycle Time, ns] X [Clock Cycles/Transfer]

^*= [Bus Utilization] X [Bytes Transferred]/[System Access Time, in nanosecond]

4) 전력 소모(Power Consumption)

. 전력 소모 역시 빼놓을 수 없는 중요한 동향으로서, 특히 2차 전지(Secondary Battery, 충전 가능한 전지)의 등장과 함께 이동성(Mobility)을 보장하는 기기에 있어서는 필수적으로 고려되어야 할 요소

. Green Environment 등 환경의 문제에 있어서도 저전력 소모의 요구는 날로 증대되고 있다

전자 제품의 진보 동향 – 동작 속도와 전력 소모

Density Depth Width

4M

4M 1

1M 4

256K 16

16M

16M 1

4M 4

1M 16

Table Examples of Depth/Width Combination of Memories

Source: Samsung 2007

Speed as a Performance of Chip - History

CPU DRAM HDD

1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010

Year

Speed/Throughput(MHz)

10³

10¹ 10² 10⁴

1982: 286, 6MHz

2005: P5, 3.8GHz 2003: P4 3GHz

1999: PIII, 500MHz

1989: 486, 25MHz 1993: P, 66MHz

1997: PII, 300MHz

1985: 386, 16MHz

1985: FP, 13MHz

1993: EDO, 33MHz

1997: SDR,133MHz 1994: SDR, 66MHz

2001: DDR286 2004: DDR-533

2007: DDR1066

2010: Future, 1600

1996: ATA2

1998: ATA4

2002: ATA6

2003: SATA 1.5G 2005: SATA 3G

2008: SATA 6G

2000: P4 1.5GHz

Figure Historical Comparison of Speed Evolution of Microprocessor , DRAM, & Hard Disc Drive

미세화의 동기/구동력 (Motivations/Drivers of Scale-down)

• 미세화의 동기 (Motivation of Scale-down)

미세화의 동기, 혹은 구동력(Driving Force)은 1) 가격 경쟁력, 2) 휴대 편의성, 3) 융∙복합의 경향 등을 꼽을 수 있다

1) 가격 (Cost Competition)

. 가격 경쟁력(Cost-Competitiveness, Cost-Effectiveness)

. 동일 면적, 혹은 체적 내에 더 많은 기능의 집적 (More Functions by More Number of Transistors in a Monolithic Device - IC Chip)

2) 휴대 편의성 (이동성, Mobility)

. 이동 시 휴대하기 편하도록 작고, 가볍고, 얇아야 함 (경박단소, Mobile, ‘Nomadic,’ ‘Ubiquitous’)

∙ 잘 인지하지 못하는 가운데 우리가 가지고 다니는 기능이나 기억 용량이 증대 (More Number of Logic Functions & Memories/Person) e.g. Cell Phone, Notebook PC, Tablet PC, MP3P, Game M/C and Various Wearable Devices such as Flexible Display, Wearable PC, Body-Implantable PC (Endoscope, Electronic Contact Lenses, etc.)

∙ 기본적으로 이동이 가능 하며 (무선), 기기가 가진 기능을 어디서나 활용할 수 있는 접근성 (편재성, Ubiquity) . 이러한 변화의 근본적인 바탕은 과거 유선으로만 가능하던 통신 수단들이 무선으로 변화한 점 (Wired -> Wireless)

예 1) Wireless LAN (by Modem), “Wi-Fi”(Wireless/Mobile Internet), NFC(Near Field Communication: Bluetooth, Zigbee, IrDA, etc.) 예 2) Mobile Phone, DMB (Surface Wave), “DoCoMo”(“Anywhere” - by NTT of Japan)

Mobility (Compact)

Ubiquity (Wireless)

Figure Characteristics of Ubiquity & Mobility

• 미세화의 동기- 계속

3) 융∙복합화 (Fusion & Convergence) . 하나의 휴대 장치에 여러가지 기능의 복합

예 1) System: Smart Phone = Cell Phone + Camera + MP3P + TV + Credit Card + Game M/C +…, etc.

예 2) IC Chip: SoC(System-on-a-Chip), SiP(System-in-Package), BoC(Board-on-Chip), etc.

미세화의 동기/구동력 (continued)

Wide Spectrum of Existing and Emerging Applications - Data + Management(Control) Logic

Figure 이동성과 편재성(Mobility & Ubiquity)을 기본으로 한 융∙복합화(Fusion & Convergence)

전자 콘택트 렌즈

김유경 yukyung@etnews.co.kr

전자신문 9/10/2009

영화 ‘미션임파서블’에는 다양한 첨단 첩보 기술이 등장한다. 그중 주인공이 자주 애용하는 것이 컴퓨터에 버금가는 역할을 담당하는 안경이다.

임무 수행을 위해 잠입한 파티장에서 주인공이 착용한 안경은 눈앞에 누군가 나타났을 때 그 장면 을 원격 컴퓨터로 보내고 그에 대한 정보까지 세세하게 보여준다.

이제 안경을 넘어 눈에 직접 끼우는 콘택트 렌즈 형태의 컴퓨터가 등장할 날도 머지않았다.

미국 시애틀 워싱턴대학의 바박 파비즈 교수팀은 눈에 직접 밀착시켜 실시간으로 다양한 정보를 볼 수 있는 전자 콘택트 렌즈 개발에 심혈을 기울이고 있다.

‘IEEE스펙트럼’에 게재된 최근 기사에 따르면 파비즈 교수팀은 지속적으로 포도당 등 개인의 생체 정보를 모니터링하고 눈앞에서 증강 현실을 보여주는 ‘전자 콘택트 렌즈’를 개발 중이다.

평소 혈액 검사를 실시해 지속적으로 몸 상태를 체크해야 하는 환자는 특별히 주사 바늘을 찌르거나 복잡한 검사를 하지 않아도 항상 포도당, 나트륨, 콜레스테롤 수치를 의사에게 전달할 수 있다. 이는 렌즈와 함께 제공되는 무선 송신기 덕에 가능하다.

파비즈 박사팀은 복잡한 렌즈의 각 부분의 호환성을 보장하는 등의 과제가 남았지만 5∼10년 내에 이 제품의 상용화가 가능할 것으로 점쳤다.

파비즈 교수팀은 이에 앞서 또 다른 형태의 콘택트 렌즈 컴퓨터를 개발 중이라고 밝혀 관심을 끌었다.

발광 다이오드와 반도체 부품을 렌즈에 붙인 뒤 그 위에 생체 정합성 코팅을 한 이 렌즈는 무선 기술을 활용해 정보를 수집, 영화 속에서나 가능할 것 같았던 장면을 현실로 옮겨 줄 것으로 기대됐다.

렌즈를 착용하면 각종 영상 정보와 지도를 볼 수 있고 회의에서 누군가와 마주쳤을 때 그 사람의 관련 정보를 즉각 제공하는 역할도 한다. 이 콘택트 렌즈 컴퓨터를 토끼의 눈에 끼워 실험해 본 결과 큰 부작용이 없는 것으로 확인됐다.

이제 비즈니스 파티에 참석해서 누군가를 만났을 때 “언제 어디서 만난 사람이지?”라고 당황할 필요

는 없을 것 같다. Figure Electronic Contact Lens

Electronic Contact Lenses

내시경(Endoscopic) Capsule – “PillCam”^*

• Small, Swallowable System that Enables Personalized Medical Services by Checking and Measuring in Real-time Mode Physical State of Human-being with Various Sensors and other Devices Equipped or Embedded

Photos PillCam^®- Medical Capsule & Real Images Taken with PillCam

*Given - www.givenimaging.com

(Components in Body-Implantable PC, “MIRO^*”) . Microprocessor

. RF/Bluetooth Module . Memory Devices

. Sensors: Image, Temp., Chemical (pH), etc.

. Signal Transmitter . Driving Motors . LED

. Microphone . Microsyringes . Micropumps

. Battery (Power), etc.

* Micro Robot by “지능형 Micro System 개발 사업단” < KIST < 산업자원부

진화된 내시경 Capsule (Body-Implantable Endoscope)

Ref.:최병관, iNews24, 7/22/2005 venture@inews24.com

Photos MIRO^®- Remotely-Controllable Medical Capsule

국내에서 개발된 내시경 (Endoscopic) Capsule “MIRO”

Photo: Courtesy: i32008, Nano Korea, 8/28/2008

Photos MIRO^®- Remotely-Controllable Medical Capsule

휘어지는 표시 소자 (Flexible Display)

Source: LG Display, FPD 2008 China, E-Ink, G. Bateman, Korea Display Conf. June 28, 2007 Photos Flexible Displays

Photos Various Applications of Flexible Display to Widen the Spectrum of Displays for Various Area of Life (1) Logistics

Security Advertisement

Military

Biomedical

휘어지는 표시 소자의 새로운 응용 예시 (1)

Commercial

Fashion (“E-Jacket” by Lunar Design) Sports

(Guide Loop GPS by Tony) Fashion

Watch by Seiko Entertainment

Fan

Fashion Watch

Samsung, FPD 2008 China

Photos Various Applications of Flexible OLED Display to Widen the Spectrum of Displays for Various Area of Life (2)

휘어지는 표시 소자의 새로운 응용 예시 (2)