저작물의 구축 및 인터넷을 포함한 정보통신망에의 공개를 위한 저작물 1

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

(10)

(11)

(12)

(13)

(14)

Ω

(15)

(16)

Ω

(17)

Ω Ω

(18)

(19)

(20)

(21)

(22)

(23)

a=3.250 Å

c=5.207 Å

a=3.250 Å

c=5.207 Å

(24)

(25)

γ

(26)

(27)

(28)

(29)

(30)

(31)

(32)

(33)

Cathode ETL EML HTL Anode (TCO)

Substrate

Substrate Cathode

ETL EML HTL Anode (TCO)

Substrate

(a) Bottom emission structure (b) Double-sided emission structure

(d) Top emission structure - II (c) Top emission structure - I

Substrate

(a) Bottom emission structure (b) Double-sided emission structure

(d) Top emission structure - II (c) Top emission structure - I

(34)

(35)



_

 

_

× 

_

 

_

× 

_

× 

_



_{  }



_



_{ }



_



_



_

(36)

(37)

(38)

(39)

(40)

(41)

(42)

(43)

✕

(44)

Φ

(45)

(46)

(47)

(48)

(49)

(50)

(51)

(52)

0 50 100 150 10

¹

10

²

10

³

10

⁴

10

⁵

In te n s it y( c o u n t/ se c)

Sputter depth(nm)

A-type #7(Ga) B-type #7(Ga) C-type #7(Ga) O

Zn

(53)

0 50 100 150 10

¹

10

²

10

³

10

⁴

10

⁵

A-type #9(Ga) B-type #9(Ga) C-type #9(Ga) O

Zn

In te n s it y( c o u n t/ se c)

Sputter depth(nm)

(54)

Ω Ω

Ω

Ω Ω

Ω

  

   

(55)

(56)

(57)

(58)

(59)

300 400 500 600 700 800 0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110

T ra ns m it ta n ce (% )

Wavelenth(nm)

Z5 Z7 Z9 A5 A7 A9 B5 B7 B9 C5 C7 C9

(60)

400 500 600 700 800 0

20 40 60 80 100 120

T ra n sm it ta n ce (% )

Wavelenth(nm)

Z5

Z7

Z9

(61)

400 500 600 700 800 0

20 40 60 80 100 120

T ra n ce m it ta n ce (% )

Wavelenth(nm)

A5

A7

A9

(62)

400 500 600 700 800 0

20 40 60 80 100 120

T ra n ce m it ta n ce (% )

Wavelenth(nm)

B5

B7

B9

(63)

400 500 600 700 800 0

20 40 60 80 100 120

T ra n sm it ta n ce (% )

Wavelenth(nm)

C5

C7

C9

(64)

300 320 340 360 380 400 420 440 460 480 500 0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110

T ra ns m it ta n ce (% )

Wavelenth(nm)

Z5 Z7 Z9 A5 A7 A9 B5 B7 B9 C5 C7 C9

(65)

(66)

5 6 7 8 9 4.0

4.1 4.2 4.3 4.4 4.5

ZnO A-type B-type C-type

W or k f u n ct io n (e V )

Sample

(67)

(68)

(69)

(70)

(71)

(72)

(73)

(74)

(75)

(76)

(77)

(78)

(79)

저작물 이용 허락서

학 과 첨단부품소재공

학과

학

번 20087154 과

정 석사

성 명 한글 최 석 의 한문 崔晳義 영문 Choi Seok Eui 주 소 전남 해남군 화산면 부길리 16 번지

연락처 E-mail : eui-op@nate.com

논문제목

한글 : 영문 :

본인이 저작한 위의 저작물에 대하여 다음과 같은 조건 아래 조선대학교가 저작물을 이용할 수 있도록 허락하고 동의합니다.

다 음

- -

저작물의 구축 및 인터넷을 포함한 정보통신망에의 공개를 위한 저작물

1. DB

의 복제 기억장치에의 저장 전송 등을 허락함 , , .

위의 목적을 위하여 필요한 범위 내에서의 편집과 형식상의 변경을 허락 2.

함 다만 저작물의 내용변경은 금지함 . , .

배포 전송된 저작물의 영리적 목적을 위한 복제 저장 전송 등은 금지

3. ㆍ , ,

함.

4. 저작물에 대한 이용기간은 5 년으로 하고 , 기간종료 3 개월 이내에 별도의 의사 표시가 없을 경우에는 저작물의 이용기간을 계속 연장함.

에는 1 개월 이내에 대학에 이를 통보함 .

조선대학교는 저작물 이용의 허락 이후 해당 저작물로 인하여 발생하는 6.

타인에 의한 권리 침해에 대하여 일체의 법적 책임을 지지 않음.

소속 대학의 협정기관에 저작물의 제공 및 인터넷 등 정보통신망을 이용 7.

한 저작물의 전송 ㆍ 출력을 허락함.

동의여부 : 동의 ( ○ ) 반대 ( ) 년 월 일 2009 12 07

저작자 최석의 : ( ) 인

조선대학교 총장 귀하