Design and Fabrication of S-Band GaN SSPA for a Radar

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http://dx.doi.org/10.5515/KJKIEES.2011.22.12.1139

LIG넥스원(LIGNex1)

․논 문 번 호 : 20111004-114

․교 신 저 자 : 임재환(e-mail : [email protected])

․수정완료일자: 2011년 11월 11일

레이더용 S대역 GaN 반도체 전력증폭기 설계 및 제작

Design and Fabrication of S-Band GaN SSPA for a Radar

이정원․임재환․강명일․한재섭․김종필․이수호

Jeong Won Lee․Jae Hwan Lim․Myoung-Il Kang․Jae Seob Han․Jong-Pil Kim․Sue-Ho Lee

요 약

본 논문에서는 S대역 400 MHz 대역폭을 갖는 능동 배열 위상레이더 시스템에 적용 가능한 GaN 반도체 전력 증폭기의 설계 및 제작 측정에 관해 소개하였다. GaN 팔레트 증폭 소자를 λ/4 입출력 차이를 둔 결합기를 이용 하여 고출력 증폭기를 구현하였고, Suspended 형태의 고출력용 저손실 결합기와 개구면을 이용한 스트립라인 간의 커플러를 사용하여 자동 이득 제어(ALC) 기능을 가지는 고출력, 고효율의 반도체 전력증폭기를 구현하였 다. 제작된 반도체 전력증폭기는 자동 이득 제어 미적용 시 최대 출력 5 kW, 효율 27.8 %, 이득 67 dB 특성을 가지며, 자동 이득 제어 적용 시 출력 4 kW, 효율 25.5 %와 duty 10 %, 최장 펄스 200 us에서 droop 0.1 dB 특성을 갖는다.

Abstract

In this paper, a design and fabrication of GaN power amplifier for the S-band frequency (400 MHz bandwidth) are presented. A combining path using λ/4 transmission line is implemented for GaN pallet amp. Both the combiner with suspended-type transmission structure for low-loss and the suspended stripline coupler with aperture coupling for auto gain control are realized for achieving high-power high-efficiency amplifier. Proposed power amplifier demonstrated a 5 kW peak output power, 27.8 % efficiency, 67 dB gain without ALC and a 4 kW peak output power, 25.5 % effi- ciency, 0.1 dB droop at 200 usec pulse width and 10 % duty with ALC.

Key words : GaN, SSPA, Active Array Radar, Suspended, ALC

Ⅰ. 서 론

최근 레이더의 형태가 수동 배열에서 능동 배열 형태로 발전하면서 전력증폭기의 형태가 진공소자 에서 반도체 소자로 바뀌고 있다. 기존의 수동 배열 에서는 TWTA, 마크네트론 등의 단일 송신기를 사 용했다면, 능동 배열에서는 위상과 이득을 가변할 수 있는SSPA(Solid State Power Amp)나 TRM(Trans - mitter Receiver Module)을 수십 개에서 많게는 수천 개씩 배열하여 공간 합성을 통해 높은 출력 전력을 얻는다^[1].반도체 소자 기술을 사용한 전력증폭기는

진공소자에 비해 낮은 동작 전압과 우수한 MTBF (Mean Time Between Failure), 소형화, 경량화 등 많 은 장점을 가지고 있다^[2].

특히, 반도체 소자 중 GaN 기반의 고출력 전력증 폭기에 대한 관심이 높아지고 있는데, GaN은 Wide Band Gap 특성으로 인해, 높은 항복 전압을 가지고 있어 높은 출력과 고효율의 장점을 가질 수 있다. 또 한, 높은 열전달 계수를 가지고 있어 방열에 있어서 도 유리한 점을 가지고 있다. 이런 GaN 소자를 이용 하여 높은 출력과 효율을 갖는 반도체 전력증폭기 구현이 가능하게 되었다^[3].

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능동 배열 레이더에서는 높은 출력과 고효율을 갖는 반도체 전력증폭기에 대한 관심과 수요가 커지 고 있다. 높은 출력은 레이더의 주요 성능인 탐지 능 력에 중요한 요소이고, 고효율은 레이더의 방열 능 력과 소모 전력에 큰 영향을 미치는 요소이며, 결국 에는 전체 무게를 경량화를 결정하는 요소로 작용한다. 본 논문에서는GaN 팔레트 증폭 소자를 사용하여 S대역 레이더용 고출력․고효율의 반도체 전력증폭 기 설계와 제작에 관한 내용을 기술하였다. 고출력 증폭기에서는 아이솔레이터를 사용하지 않고, 출력 반사 손실을 개선하는 방법에 대해 설명하고, 결합 기와 커플러에서는Suspended 방식의 저손실의 고전 력 결합기 구현과 개구면을 이용한 고전력용 커플러 구현에 대해 설명하였으며^[4], 구동증폭기와 제어기 에서는 자동 이득 제어와 송신 위상 변위의 기능에 대해 설명하였다.

Ⅱ. 반도체 전력증폭기 설계 및 제작

반도체 전력증폭기는 0 dBm의 낮은 RF 펄스 신 호를 입력 받아 수kW의 고출력 RF 펄스 신호로 증 폭하는 것을 주 기능으로 한다. 외부에서 RS-232 통 신을 통해 펄스 폭, 듀티비, 자동 이득 제어(ALC:

Auto Level Control) 설정 값을 받아 적용하고, 반도 체 전력증폭기 내부 모듈 고장 유무 정보를 외부로 전송한다.

반도체 전력증폭기는 그림1과 같이 구동증폭기, 4개의 고출력 증폭기, 2개의 중간 결합기, 종단결합 기, 그리고 전원공급기와 제어기로 구성되어 있다.

구동증폭기는 입력으로 받은 낮은RF 신호를 고

그림 1. GaN 반도체 전력증폭기 구성도 Fig. 1. Schematic of GaN SSPA.

그림 2. 고출력 반도체 전력증폭기 버짓 설계 Fig. 2. Budget of GaN SSPA.

출력 증폭기에 필요한 입력 레벨에 맞게 증폭하고, 4개의 고출력 증폭기는 모듈의 크기와 출력 손실의 최소화를 위해서GaN 팔레트 증폭 소자 종단에 아 이솔레이터를 사용하지 않았으며, 대신 입력 선로와 출력 선로에 위상차를 두어 출력의 반사 손실을 낮 추었다. 중간 결합기는 고출력 증폭기의 높은 출력 을 suspended 구조를 이용하여 저손실 결합하는 기 능을 가지고 있고, 종단결합기는 고전력 결합과 동 시에 자동 이득 제어(ALC)와 역 반사전력(출력 반사 손실) 검출을 위한 커플링 신호를 검출하는 기능을 가진다. 전원 공급기는 +300 V를 받아 고출력 증폭 기에 필요한+50 V와 기타 모듈에 필요한 전원을 공 급하고, 송수신 제어기는 펄스의 자동 이득 제어 (ALC)와 고출력 증폭기의 온도 감지를 수행한다.

그림2는 고출력 반도체 전력증폭기의 버짓 설계 이다. 구동증폭기에서 40 W의 출력을 4개의 고출력 증폭기에 각각 분배하고, 4개의 고출력 증폭기는 1.3

～1.35 kW의 출력으로 증폭 후, 저손실 결합하여 최 대 5 kW의 출력을 얻는다.

그림4은 제작된 반도체 전력증폭기의 제작 사진 이다. 전체 크기는 563×367×100 mm이고, 무게는 약 21 kg이다.

그림4는 최종 조립된 반도체 전력증폭기의 후면 형상으로 주요 모듈인 고출력 증폭기, 구동증폭기,

그림 3 . GaN 반도체 전력증폭기 제작 사진(전면)

Fig. 3. A front view of GaN SSPA.

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그림 4 . GaN 반도체 전력증폭기 제작 사진(후면) Fig. 4. A back view of GaN SSPA.

전원공급기를 후면에서 쉽게 장․탈착할 수 있으며, 고장시 정비가 용이하도록 제작되었다.

2-1 고출력 증폭기 설계 및 제작

고출력 증폭기는 구동증폭기에서 받은RF 신호를 1.35 kW까지 증폭하는 조립체이다. 구성은 그림 5와 같이RF 부분과 제어 및 캐패시터 뱅크로 구성되어 있으며, RF부는 클래스 C급 GaN 팔레트 증폭 소자 가2단으로 구성되어 있다.

그림6과 같이 고출력 증폭기내 GaN 팔레트 증폭 소자4개의 전력 결합은 윌킨슨 결합기와 T 결합기 를 사용하였다.

고출력 증폭기의GaN 팔레트 증폭 소자의 전력을 결합할 때 아이솔레이터를 사용하지 않고, GaN 팔 레트 증폭 소자 각각에 들어가는 입력과 출력의 위 상을 조정하여 출력 반사 손실을 개선하였다. 분배 하는 쪽에 λ/4 길이만큼 차이를 두어 분배하고, 결 합할 때는 이를 보상하여 분배 경로 상에서 길이가 짧았던 경로 쪽에 λ/4 더 길게 하여 GaN 팔레트 증 폭 소자 출력을 결합한다. 고출력 증폭기 출력 쪽으 로 인가되는RF 신호는 고출력 증폭기의 반사 손실

그림 5. 고출력 증폭기 구성도

Fig. 5. Schematic of high power amplifier.

그림 6. 고출력 증폭기 분배 및 결합 방안

Fig. 6. Dividing and combining method of high power amplifier.

그림 7. 동위상 결합과 λ/4 위상결합 시뮬레이션 Fig. 7. Simulation setup of in phase combination and

λ /4 phase combination.

이 좋지 않으므로 큰 크기로 반사되어 돌아오게 되 지만, λ/4의 차이가 나는 경로를 따라 입력되고 반 사되고, 다시 GaN 팔레트 증폭 소자에서 반사됐을 때 각각180° 위상 차이가 발생하여 최종 출력 단에 서 상쇄되어 출력 쪽 반사 손실이 개선된다.

그림8은 동일 위상으로 결합했을 때의 입․출력 반사 손실과 입출력에 λ/4의 출력 위상차를 두었을 때의 입․출력 반사 손실 특성 시뮬레이션 결과이다.

고출력 증폭기내 제어 회로 구성은 그림 9와 같 다. 과전류를 차단하는 회로(1), 송신 구간 동안 전류 충전을 차단하는 회로(2), GaN 팔레트 증폭 소자에 전원을 공급하는 캐패시터 뱅크(3), 외부 펄스 Ena- ble 신호에 따라 전류 충․방전을 동작시키는 회로 (4), GaN 팔레트 증폭 소자 고장을 감지하여 전류를

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그림 8. 동일 위상 결합시 입출력 반사 손실(좌)와 λ/

4 위상차에 의한 결합시 반사 손실(우) 비교 Fig. 8. Comparison of VSWR for in phase combina-

tion(left) with VSWR for λ/4 difference phase combination(right).

그림 9 . 제어 회로 구성

Fig. 9. Schematic of control circuit.

그림 10. 고출력 증폭기 제작 사진 Fig. 10. Photo for high power amplifier.

차단하는 회로(5)로 구성된다.

그림10은 고출력 증폭기의 제작 형상이다. 위, 아 랫면으로 구성되어 있으며, 아랫면은 RF 회로이고, 윗면은 제어와 전원 캐패시터 뱅크 회로이다.

2-2 전력결합기 및 커플러 설계 및 제작 전력결합기는 고출력 증폭기의 출력을 결합해 주 는 소자이다. 반도체 전력증폭기의 효율을 높이기위 해서는 삽입 손실이 최소화 되어야 하며, 동시에 4 개의 고출력 증폭기의 수kW 전력을 결합하기 때문 에, 아킹 현상이 일어나지 않도록 높은 전력 핸들링 이 가능해야 한다. 전력결합기 저손실을 위해 Sus-

그림 11 . 전력결합기 제작 형상 및 구조 Fig. 11 . Photo and structure of combiner.

그림 12 . 전력결합기 시뮬레이션 결과 Fig. 12. Simulation result of combiner.

pended 스트립라인 형태로 설계하였고, PCB와 Metal 사이의 간격을 최소3 mm로 유지하였다. 그림 11은 PCB를 이용한 Suspended 전력결합기의 제작 형상 및 구조이다.

그림12는 CST 시뮬레이터를 이용한 전력결합기 의 삽입 손실과 반사 손실의 분석 결과이다. 삽입 손 실은0.1 dB 이하, 반사 손실은 25 dB 이상의 특성을 가졌다.

커플러는 자동 이득 제어(ALC)와 반도체 전력증 폭기를 역전력으로부터 보호하기 위한 전달 전력와 역전력을 샘플링하는 소자이다. 고출력의 전달 전력 샘플링을 위한 커플러는 높은 전력에 견디면서 높은

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그림 13. 결합기와 커플러 Fig. 13 . Combiner and coupler.

Directivity를 유지하여야 한다. PCB 기판에서 높은 Directivity를 구현하기 Directional 커플러의 곡면 부 분에 그라운드 영역을 두어 설계하는 기법^[4]등이 있 지만, 대부분 저전력에서 적합한 방법으로 고전력에 서는 PCB 금속선간 아킹 문제로 적용하기기 어렵 다. 본 논문에서는 Suspended 구조의 결합기 아래의 두 개 개구면을 통해 반대편 스트립라인에 신호를 커플링하는 방법을 이용하여 고출력에서도 저손실 을 가지며 높은Directivity를 확보할 수 방법을 적용 하였다.

그림14는 CST 시뮬레이터를 이용한 커플러의 커 플링과 격리도의 분석 결과이다. 커플링 특성과 격 리도 특성을 보여주고 있으며, 400 MHz 대역에서

그림 14. 커플링(위)과 고립도(아래) Fig. 14. Coupling(up) and isolation(below).

Directivity는 12 dB 이상임을 알 수 있다.

2-3 구동증폭기 설계 및 제작

구동증폭기의 주요 기능은 외부로부터RF 신호를 입력 받아4개의 고출력 증폭기의 필요 입력 레벨까 지 증폭하고, 능동 위상 배열 레이더에 필요한 송신 빔조향을 위해 위상 가변 기능, 이득을 가변하는 기 능을 수행한다. 또한, 자동 이득 제어(ALC)를 포함 하고 있어 안정된 출력으로 증폭하는 기능을 수행한 다. 그림 15는 송신 구동 증폭 모듈 내부 블록도이 다. 송신 구동 증폭 모듈은 RF부, 자동 이득 제어부, 전원 제어부로 구성되어 있다. RF부는 크게 3개의 증폭부와4-way 분배기로 되어 있고, 그 구성은 1차 증폭, 2차 가변 증폭, 3차 고출력 증폭부, 4-way 분배 기 순으로 된다. 1차 증폭부에는 RF 입력을 받아 가 변 증폭부에 필요한 입력 레벨까지 증폭하기 위해 여러 단의 증폭기로 구성하였는데, RF입력이 변하 여도 출력이 일정하게 유지되도록 초단 증폭부에는 포화 영역에서 동작되도록 설계하였다. 포화된 출력 신호는 위상변위기를 통해 위상 가변을 한다. 위상 변위기는5.625도 분해능으로 360도, 64개의 위상으 로 가변한다. 또한, RF 스위치가 있어, 역전력의 크 기가 커지면 반도체 전력증폭기의 보호를 위해 RF 신호를 차단할 수 있다. 2차 가변 증폭부는 이득이 크고 가변이 가능한 증폭기로 구성하였고, 자동 이 득 제어부로부터 조정 신호를 받아 원하는 레벨로 증폭한 후3차 고출력 증폭부로 신호를 전달한다. 3 차 고출력 증폭부는 클래스AB 증폭기이며, 효율이 높고 고출력 특성을 가진다. 3차 증폭부 최종단에는 아이솔레이터가 위치하여 출력 부정합에 의한 내부 증폭기 보호 기능을 가진다. 이후 4-way 분배기를 통 해4개의 고출력 증폭기에 동일한 전력을 인가해 주 는데, 분배기는 2-way 윌킨슨 분배기를 3개 조합하 여 설계하였다. 자동 이득 제어부는 송신 구동증폭 모듈이 일정한 출력을 유지할 수 있도록 외부에서 기준 조정값을 받고, 송신 RF 출력을 검출기를 통해 입력 받아 두 값을 비교 적분하여RF 증폭부에 가변 증폭기의 이득을 조정해서 일정한 출력을 유지할 수 있도록 제어한다. 이렇게 펄스 내에서와 펄스 간에 일정한 출력을 유지하면서 펄스 간 안정도를 향상시 킨다. 전원 공급부는 외부로부터 주전원을 공급받아

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그림 15. 구동증폭기 블록도

Fig. 15 . Block diagram of drive amplifier.

그림 16. 구동증폭기 제작 사진 Fig. 16 . Photo for drive amplifier.

모듈 내부에 필요한 전원으로 변환하여 공급하는 기 능을 수행한다.

그림 16은 제작된 구동증폭기의 제작 사진이다.

아랫면은RF 회로로 구성되고, 윗면은 전원 제어 및 캐패시터 뱅크로 구성되어 있다. 가운데 부분은 자 동 이득 제어와 구동 증폭에 필요 전원을 변환하는 부분이다.

2-4 제어기 및 전원공급기 설계 및 제작 제어기의 주요 기능은 외부의 제어 프로그램에서 RS-232를 통해 받은 명령을 전달 받아 타이밍 생성, 제어 명령 적용, 반도체 전력증폭기의 고장 상태 정 보를 제어 프로그램에 전달한다. 외부 출력을 감시 하여 과도한 역전력이 반도체 전력증폭기로 반사되 어 입력시 구동증폭기의 입력 스위치를 차단함으로 써 반도체 전력증폭기를 보호한다. 또한, 고출력 증 폭기의 내부의 열센서에서 감지된 온도를 검출하여, 일정 온도 레벨을 넘으면 구동증폭기의 입력 스위치

그림 17. 제어기 제작 사진 Fig. 17. Photo for control module.

를 차단하여 장비를 보호한다. 그림 17은 제작된 제 어기 형상이다.

그림 18은 자동 이득 제어(ALC) 보드의 기능 블 록도이다. 제어기로부터 ALC, 펄스 Enable, ALC 적 용 스위치 선택 신호와 종단결합기로부터 전달 전력 샘플링 신호를 받아서RF PCB내 가변 증폭기의 전 압을 조정하여 전체 송신 출력 전력이 일정하도록 제어한다. 자동 이득 제어(ALC) 보드는 제어기로부 터 받은 자동 이득 제어(ALC) 기준값에 전달 전력의 샘플링 값이 수렴하도록 가변증폭기의 전압을 조정 하는 기능을 하며, 3개의 피드백 루프를 이용하여 가변증폭기 전압을 생성한다. 첫 번째, 적분기를 통 하여 펄스 내에서 출력 레벨이 원하는 레벨에 수렴 할 수 있도록 가변 전압을 조정하는 기능이 있다. 두 번째, 이전 펄스의 끝부분의 가변 전압 값을 다음 펄 스에 영향을 주도록 하여 펄스의 길이에 최대한 영 향을 적게 주는 기능이 있다. 세 번째, 이전 펄스의 오버슈트 부분의 크기에 따라 다음펄스의 오버슈트 의 크기를 조정하도록 하는 피드백 기능이 있다. 이 자동 이득 제어(ALC) 보드의 특징은 Sample and Hold를 이용하여 아날로그 방식의 자동 이득 제어 (ALC)기능을 구현하였다.

전원공급기는4개의 고출력 증폭기에 +50 V 전원

그림 18. 자동 이득 제어(ALC) 기능 블록도

Fig. 18 . Functional block diagram of ALC.

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그림 19. 전원공급기 제작 사진 Fig. 19. Photo for power supply module.

을 공급해 주는 기능과 구동증폭기와 제어기에 필요 한+12 V와 +5 V 전원을 공급해 주는 기능을 가진 다. 전원공급기는 외부에서 송신 Enable 신호를 받을 때만 동작하도록 설계되었다. 그림 19는 제작된 전 원공급기의 형상이다.

Ⅲ. 반도체 전력증폭기 측정

표1에 반도체 전력증폭기의 측정 결과를 나타내 었다. S대역의 400 MHz에서 자동 이득 제어(ACL)를 적용하지 않았을 때 최대 출력은5 kW, 효율 27.8 % 로 측정되었고, 자동 이득 제어(ALC)를 적용하였을 때 출력은4 kW, 효율 25.5 %, droop은 duty는 최대 10 %, 최장 펄스는 200 us에서 0.1 dB 이내로 측정되 었다.

그림20은 자동 이득 제어(ALC)를 기능을 적용하

표 1. 반도체 전력증폭기 측정 결과

Table 1. Measurement result of SSPA.

구분 측정값 비고

주파수 범위 S 대역

대역폭 400 MHz

출력 전력 5 kW W/O ALC

4 kW W/ ALC 효율 27.8 % Max

이득 67 dB Max 최대 펄스 폭 200 us

최대 듀티비 10 %

펄스Droop < 0.1 dB W/ ALC

그림 20 . 반도체 전력증폭기 출력@ W/O ALC Fig. 20. Measurement result of SSPA without ALC.

그림 21 . 반도체 전력증폭기 출력@ W/ALC Fig. 21. Measurement result of SSPA with ALC.

지 않았을 경우의 출력 측정 결과이다. 자동 이득 제 어(ALC)를 적용하지 않았을 때 출력은 5 kW, 최대 펄스 200 us에서의 droop은 0.6 dB 이하로 측정되 었다.

그림21은 자동 이득 제어(ALC)을 4 kW로 조정하 여2.7 GHz와 2.9 GHz에서 측정한 반도체 전력증폭 기의 출력값이다. 최대 펄스 폭 200 us에서의 4 kW 출력과0.1 dB 이하의 droop 및 25.5 % 효율 특성을 보였다. 그림 22는 반도체 전력증폭기의 중간 및 종 단결합기를 결합 후 측정한 값이다. 손실은 4개 포트 에 대해0.15～0.5 dB@BW 400 MHz의 특성을 나타 내었다. 이때 출력 반사 손실은 20 dB 이하로 정도로

그림 22. 결합기 측정값

Fig. 22. Measurement result of combiner.

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그림 23. 커플러 directivity 측정값

Fig. 23 . Measurement result of coupler directivity.

그림 24. 고출력 증폭기 출력 측정값

Fig. 24 . Measurement result of high power amplifier.

측정되었다.

그림23은 종단 커플러의 directivity이다. 400 MHz 대역에서12.8 dB 이상의 directivity를 가지는 것으로 측정되었다.

그림24는 고출력 증폭기의 측정 결과이다. 출력 은1.3～1.35 kW로 측정되었으며, 듀티비는 최대 10

%로 효율은 중심 주파수에서 34.1 %로 측정되었다.

최대 펄스 폭은200 us 만족하며, 최대 펄스 폭 기준 droop은 0.6 dB 이하로 측정되었다.

Ⅳ. 결 론

본 논문에서는S대역의 GaN 소자를 이용한 고출 력, 고효율의 반도체 전력증폭기의 설계 및 제작과 측정 결과를 기술하였다. 고출력 증폭기에서는 GaN

표 2. 기존 반도체 전력증폭기와의 특성 비교 Table 2. Characteristics comparison between previous

SSPAs.

구분 Our Work A社^[5] B社^[6] C社^[7]

주파수 범위 S-band S-band S-band S-band 이득 66 dB 63 dB 50 dB 65 dB 출력 전력 4 kW 2 kW 1.8 kW 1.6 kW

효율 25 % 13 % 25 % - 펄스 폭 200 us 200 us 100 us - 듀티비 10 % 10 % 10 % - 펄스Droop 0.1 dB 0.5 dB - - 소자를 사용하고 아이솔레이터를 사용하지 않은 λ /4 위상차를 둔 결합 방식을 적용하였다. 고출력용 결합기에는suspended 형태를 적용하여 저손실로 구 현하였으며, 종단의 결합기에는 개구면을 이용한 고 출력용의 저손실의 directivity 커플러를 제작하였다.

제작된 반도체 전력증폭기는 현재까지 알려져 있는 S대역 반도체 전력증폭기 중에 최고 성능인 4 kW이 상의 출력과25 % 이상의 효율 특성을 가지고 있음 을 확인하였다. 표 2는 해외업체에서 개발된 반도체 전력증폭기의 특성을 비교한 결과이다.

참 고 문 헌

[1] Michael Hanczor, Mahesh Kumar, "12-kW S-band solid-state transmitter for modern radar system",

IEEE Transactions on Microwave Theory and Te- chniques, vol. 41, no. 12, pp. 2237-2242, 1993.

[2] A. R. Barnes, M. T. Moore, M. B. Allenson, and R. G. Davis, "A compact 6 to 18 GHz power am- plifier module with 10 W output power", 1999 IE-

EE MTTS International Microwave Symposium Di- gest, Anaheim, USA, vol. 3, pp. 959-962, Jun. 1999.

[3] U. K. Mishra, P. Parikh, and Wu Yi-Feng, "AlGaN/

GaN HEMTs-an overview of device operation app- lications", Proc. of IEEE, vol. 90. no. 6, pp. 1022- 1031, Jun. 2002.

[4] Il-Gu Ji, Jong-Wha Chong, and Davis, "A new directional coupler design with high directivity for PCS and IMT-2000", ETRI Journal, vol. 27, no. 6, pp. 697-707, Dec. 2005.

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[5] 이유리, 김종필, "능동 배열 레이더 시스템 구현 을 위한 반도체형 송수신기 설계", 한국전자파학 회논문지, 21(12), pp. 1335-1342, 2010년 10월.

[6] Ki Ho Kim, Yu Ri Lee, and Ji Han Joo, "1.5 kW S-band solid-state pulsed power amplifier with di- gitally controlled automatic gain equalizer circuit",