Carboxylic acid가 CuInS 2 /ZnS 반도체 나노입자의 광학적 특성에 미치는 영향
안시현a,b·최규채a·백연경a·김영국a,*·김양도b,*
a
재료연구소(KIMS),
b부산대학교 재료공학과
Effect of Carboxylic Acid on Optical Properties of CuInS 2 /ZnS Semiconductor Nanocrystals
Si-Hyun Ahn
a,b, Gyu-Che Choi
a, Yeun-Kyung Beak
a, Young-Kuk Kim
a,*and Yang-Do Kim
b,*aKorea Institute of Materials Science (KIMS), Changwon 641-831, Korea
bDepartment of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Pusan 607-735, Korea
(Received August 2, 2012; Revised August 17, 2012; Accepted August 31, 2012)
···
We report the effect of the chain length of carboxylic acid on the photoluminescence(PL) of CuInS2/ZnS nanocrystals.
CuInS2/ZnS nanocrystals with emission wavelength ranging from 566 nm through 583 nm were synthesized with zinc acetate and carboxylic acids with various chain length. In this study, CuInS2/ZnS nanocrystals prepared using long chain carboxylic acid showed more improved PL intensity. The origin of strong photoluminescence of the nanocrystals pre- pared with zinc acetate and long chain carboxylic acid was ascribed to improved size distribution due to strong reac- tivity between long chain carboxylic acid and zinc acetate
Keywords:
CuInS2, Quantum dot, Nanocrystal, Sulface modification, Carboxylic acid···
1. 서 론
반도체 나노입자는 여러 분야에 있어서 그의 특성과 잠 재적인 기술적 특성에 큰 관심을 끌어 왔다 . 반도체 나노
입자는 높은 효율의 발광특성과 계면전하분포 , 공간분포
를 갖고 있으며 비교적 쉬운 화학공정으로 합성이 가능하 다는 장점을 갖고 있다 . 그러나 지금까지는 대부분 CdSe, CdTe, CdS 종류의 반도체 나노입자를 합성하였고 [1-4], 대
부분의 나노입자가 Cd, Pb, Te, 등의 독성의 중금속을 포함
한다 . 그러나 I-III-IV 족 계열인 CuInS
2는 CuInSe
2보다 독 성이 더 적은 것으로 알려져 있으며 , CuInS
2는 Se 보다 풍
부한 원료인 S 원소의 함유성분을 달리함으로써 n 형 p 형
반도체의 제작이 용이하다는 장점을 갖고 있다 . 이런 이유
로 최근에는 많은 연구자들이 I-III-IV 족 계열인 CuInS
2와
CuInSe
2나노입자의 발광특성 향상에 관한 연구가 활발해
졌다 [5-10].
Uehara et al. (2008) 의 연구에서는 CIS 나노입자의 표면
의 결함을 non-stoichiometry 조성으로 CuInS
2나노입자를 합성하여 발광특성을 향상시켰으며 [11], Ryu et al .(2009)
연구에서는 InP 나노입자에 대하여 Zn acetate 와 palmitic acid 를 첨가하여 반도체 나노입자의 양자효율을 향상시키
는데 성공하였다 [12]. Kim et al. (2012) 의 연구에서는 CuInS
2나노입자에 Zn acetate 와 palmitic acid 를 첨가하여 70% 의 나노입자의 발광효율을 갖는 CuInS
2/ZnS 나노입자
를 합성하였다 [13]. 본 연구에서는 Kim et al. (2012) 의 연
구에서 Zn acetate 와 palmitic acid 를 첨가하여 크게 발광
효율을 상승시킨 것에 관하여 더 효과적으로 CuInS
2나 노입자의 표면을 처리할 수 있는 carboxylic acid 를 알아보
기 위해 , 사슬길이가 서로 다른 carboxylic acid 를 사용하
여 CuInS
2/ZnS 나노입자를 합성하였으며 , 사용된
carboxylic acid 가 CuInS
2/ZnS 나노입자의 광학적 특성에
미치는 영향에 관하여 조사하였다 .
*Corresponding Author : Yang-Do Kim,
TEL:+82-51-510-2478
FAX:+82-51-512-0528,
E-mail:[email protected]
2. 실험방법
2.1. CuInS
2나노입자의 합성
Cu(II) acetate, In(III) acetate, 1-dodecanethiol(DDT) 를
각각 Cu, In, S 의 전구체로서 사용되었다 . CuInS
2나노입 자는 Zhong et al. (2007) 에 의해 보고된 방법으로 합성하
였다 [15]. In(III) acetate 의 양과 1-dodecanethiol(DDT) 를
각각 1 mmol 과 5 mL 로 적정하였으며 , Cu 와 In 의 조성비
가 0.2:1 이 되도록 하였다 [14]. 본 실험은 질소 분위기에서
진행하였으며 , Cu acetate, In acetate powder 를 1- octadecene 30 mL 와 함께 3-neck 플라스크에 교반시킨 후 80
oC 에서 1-dodecanethiol 5 mL 를 주사하여 용액이 투명해
질 때까지 용해되는 것을 확인한 후 120
oC 까지 온도를 상승
시켰다 . 이 후 30 분간 진공을 유지 , 증류한 후 240
oC 까지 온
도를 상승시켜 열분해 반응으로 Cu
0.2InS
2나노입자를 합성 하였다 .
2.2. Cu
0.2InS
2@ZnS 나노입자 합성
Cu
0.2InS
2조성에서 240
oC 에 15 분 열처리한 입자가 가장
높은 양자효율 약 6% 를 나타내었으며 , photoluminescence (PL) spectra 에서 644 nm 의 발광 피크를 나타내었다 . 이
후 모든 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자 합성에 사용된 Cu
0.2InS
2입자는 위의 실험에서 얻은 나노입자를 동일하게 사용하 였으며 , 조성은 Induction coupled plasma mass spectroscopy (ICP-MS) 를 통해 확인하였다 [13-14]. Cu
0.2InS
2/ZnS 입자의
합성은 질소분위기에서 1 mmol Zn acetate 와 10 mL 1- octadecene 에 3 mmol 의 carboxylic acid 를 혼합하였다 . 이 후
혼합된 용액을 Cu
0.2InS
2용액에 첨가한 후 230
oC 의 온도로 5 시간동안 유지하였다 . 이 후 각 샘플들은 toluene 과 acetone,
methyl alcohol 혼합용액에 분산 후 원심분리기를 사용하여
침전시켰으며 , 이 후 toluene 에 재분산하였다 [14].
2.3. Cu
0.2InS
2@ZnS 나노입자의 양자효율 측정
PL(photoluminescence) 양자효율의 계산은 이미 양자효
율이 정확히 알려져 있는 표준용액을 사용하여 , 표준용액
의 양자효율 대비 상대적인 양자효율을 계산하는 방법을 사용했다 [14]. 본 실험에서는 ethyl alcohol 에 용해된
Rhodamine 6G 을 표준용액으로 사용하였으며 , 이 용액의
알려진 발광파장은 550 nm 이며 , 0.95 의 양자효율을 가진
다 . 표준 용액과 실험에서 얻어진 나노입자를 Toluene 에
분산시킨 용액을 각각 absorption(ABS) 과 photolumin- escence(PL) spectra 를 측정하여 발광피크의 적분 값을 계
산하고 이를 표준용액의 발광피크의 적분 값에 대한 상대 적 비를 구하여 양자효율을 계산하였다 . 이때 다른 용매를
사용하였으므로 각 용매의 굴절률을 보정해 주었다 [16].
3. 결과 및 고찰
그림 1(a) 는 동일한 출발물질과 조성으로 합성된
Cu
0.2InS
2나노입자와 carboxylic acid 의 사슬길이가 가장
긴 stearic acid 와 가장 짧은 acetic acid 를 첨가한 Cu
0.2InS
2/ ZnS 나노입자의 X- 선 회절분석결과이다 . X- 선 회절분석결
과 , Cu
0.2InS
2나노입자에 zinc acetate 와 carboxylic acid 를
Fig. 1. (a) X-Ray diffraction profiles and (b) Raman spectra of CuInS
2nanocrystals, surface modified with zinc acetate and acetic acid(AA), surface modified with zinc acetate and stearic acid(SA).
Fig. 2. (a) Time resolved photoluminescence(TRPL) and reconstructed decay distribution of CuInS
2/ZnS Nanocrystals surface
modified with various chain length of carboxylic acid.
처리함에 따라 , CuInS
2의 벌크피크 위치에서 ZnS 의 벌크
피크의 방향으로 피크 위치가 이동하여 , CuInS
2와 ZnS 의
벌크피크 사이에서 피크가 관찰된다 . 이 결과를 통해 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자가 형성 된 것을 알 수 있다 [17]. 또
한 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자의 구조를 조사하기 위해 Raman spectra 를 측정한 결과 , Cu
0.2InS
2나노입자의 결함 규칙화를 나타내는 CuAu-type(CA) 피크와 CuInS
2구조를 나타내는 (CH) 피크가 각각 344 cm
−1, 295 cm
−1에서 나타
났으며 [18], zinc acetate 와 carboxylic acid 를 처리한 나노
입자의 Raman spectra 결과에서는 ZnS 의 피크가 351 cm
−1에
서 관찰 되었다 . 이 결과를 통해 ZnS 가 Cu
0.2InS
2나노입
자 표면에 형성 된 것을 알 수 있다 [19].
그림 2(a) 는 carboxylic acid 의 사슬길이에 Cu
0.2InS
2/ZnS
나노입자의 따른 시간분해형광분석 (Time resolved photo- luminescence-TRPL) 결과이다 . 측정 파장은 PL 스펙트럼의 maximum intensity 의 파장을 선택하였다 . 그림 2(b) 는
TRPL 데이터를 계산하여 완화시간 분포도를 나타낸 그래
프이다 . 모든 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자들의 완화 시간이 ( τ =200~260 ns) 비슷한 수준을 보이고 있다 . 일반적인 Cu
0.2InS
2나노입자의 TRPL 은 표면 결함을 통한 전하 재결
합에 의한 빠른 완화시간 성분 ( τ =10~30 ns) 과 내부결함을
통한 전하 재결합에 의한 느린 완화시간 성분 ( τ =180~360
ns) 의 두 가지 요소를 갖는다고 알려져 있다 [6]. Cu
0.2InS
2/ ZnS 나노입자에서는 빠른 완화시간에 관한 요소는 관찰되
지 않았으며 , 느린 완화시간 분포만 관찰된다 . 이 결과를
통해 , Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자는 내부 결함에 의한 발광이
지배적인 것으로 판단되며 , carboxylic acid 의 사슬길이와
상관없이 모든 Cu
0.2InS
2나노입자의 표면에 ZnS 층이 형성
된 것을 알 수 있다 . 하지만 carboxylic acid 의 사슬길이에
따른 내부 결함의 차이는 거의 관찰되지 않았다 [13].
그림 3(a), (b) 는 표면처리가 되지 않은 Cu
0.2InS
2나노입 자의 TEM 이미지이며 , (c), (d) 는 Cu
0.2InS
2나노입자에 실 험에 사용된 carboxylic acid 중 사슬길이가 가장 긴 stearic acid 를 첨가하여 표면처리한 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자의 이
미지이며 , (e), (f) 는 사슬길이가 가장 짧은 acetic acid 를
첨가하여 표면처리한 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자의 이미지이
다 . Zn acetate 와 stearic acid 로 표면 처리된 나노입자가 더
균일한 것을 확인할 수 있다 .
그림 4(a), (b) 는 Cu
0.2InS
2나노입자에 Zn acetate 와 carboxylic acid 를 첨가시켜 합성한 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자
의 반응시간에 따른 PL 과 ABS spectra 결과이다 . PL spectra 에서 intensity 가 상승하였고 , 발광선폭은 감소하였
으며 , 큰 폭의 청색이동 (644 nm → 566 nm) 이 관찰되었다 .
많은 연구자들이 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자가 PL spectra 에
서 청색이동이 발생하는 원인으로 CuInS
2/ZnS 의 코어와
외피층의 lattice parameter 의 차이 때문에 발생된 응력 [13], CuInS
2입자와 Zn 이온의 양이온교환에 따른 입자사
이즈의 감소 [17], acetate 의 에칭에 의한 CuInS
2나노입자 의 사이즈 감소 [19], ZnS 와 CuInS
2의 alloying[20] 등을 제
시하였다 .
그림 4(c), (d) 는 carboxylic acid 의 사슬길이에 따른 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자의 PL spectra 와 발광효율을 나타
내었다 . 사슬길이가 가장 긴 stearic acid 와 반응시킨 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자의 PL spectra 의 intensity 가 가장 높
게 나타났으며 , photoluminescence excitation(PLE) spectra
에서 가장 작은 반가폭 (FWHM) 을 나타냈다 . 또한 , stearic acid 보다 사슬길이가 짧아질수록 발광효율이 낮아지고 ,
PL spectra 에서 적색이동이 관찰되며 , 발광선폭이 커지는
것이 관찰되었다 . 또한 carboxylic acid 의 사슬길이에 따른
광학적 특성을 관찰하기 위해 , 그림 5(a) 에서는 stearic
Fig. 3. Transmission electron microscope image of CuInS
2nanocrystals (a), (b) without surface modification, and CuInS
2/ZnS
nanocrystals with the surface modification by Zn acetate & stearic acid (c), (d) and Zn acetate & acetic acid (e), (f).
acid와 acetic acid로 반응시킨 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자의 PL과 PLE, ABS spectra를 비교하였다. ABS spectra의 흡
수 피크의 폭이 매우 넓어져 관찰하기 어렵지만, PLE와 PL spectra 결과에서는 stearic acid를 사용 하였을 때,
Fig. 4. (a) Photoluminescence spectra (PL) and (b) Absorption spectra(ABS) of CuInS
2/ZnS nanocrystals during the reaction with zinc acetate & palmitic acid, (c) Photolumunescence spectra (PL) and (d) Full width at half maximum (FWHM) & Quantum yield of CuInS
2/ZnS nanocrystals surface modified with various chain length of carboxylic acid .
Fig. 5. (a) Photoluminescence absorption (ABS). Excitation spectra(PLE) of CuInS
2/ZnS nanocrystals surface modified with
stearic acid and acetic acid, (b) PLE of CuInS
2/ZnS nanocrystals surface modified with various chain length of carboxylic acid
and (c) PLE Full width at half maximum (FWHM).
acetic acid 를 사용 하였을 때 보다 stoke shift 가 감소되는
것이 관찰되었다 . 또한 그림 5(b), (c) 에서는 carboxylic acid 의 사슬길이가 짧을수록 PLE spectra 의 반가폭 (FWHM) 이 넓어지는 것이 관찰된다 . Micic et al. (1997) 의
연구에서는 InP 나노입자의 크기 분포가 커짐에 따라 PLE spectra 에서 반가폭 (FWHM) 이 넓어졌으며 , PL spectra 에서
적색이동이 관찰 되었다 [21]. 이것은 높은 에너지를 갖는
작은 입자에서 낮은 에너지를 갖는 큰 입자로 에너지 전 달이 일어나고 , 그 결과 발광파장이 적색으로 이동하는 현
상이다 [22]. 따라서 Zn acetate 와 stearic acid 의 반응에서
비교적 짧은 carboxylic acid 의 반응에 비해 , CuInS
2나노 입자 표면이 가장 강하게 에칭 되어 입자 크기분포가 가 장 균일해졌고 , 그 결과 , PLE spectra 의 반가폭 (FWHM) 이
감소하였으며 , PL spectra 에서 청색 이동이 관찰되는 것으
로 판단된다 . 또한 상대적으로 사슬길이가 짧은 carboxylic acid 의 반응에서는 약한 에칭효과로 인해 입자 크기분포가
불균일해진다 . carboxylic acid 의 사슬길이에 따른 입자크
기 분포의 균일성이 차이가 나는 것은 carboxylic acid 와
zinc acetate 의 반응 세기가 사슬길이의 차이 때문에 발생
하는 것으로 판단된다 . 사슬길이가 긴 carboxylic acid 는
사슬길이가 짧은 carboxylic acid 보다 zinc 와 강한반응을
하며 [23-24], 그 결과 , stearic acid 를 사용한 Cu
0.2InS
2/ZnS
나노입자의 크기 분포가 가장 균일한 것으로 관찰되었으
며 , PL spectra 에서 가장 큰 청색이동이 관찰되는 것으로
판단된다 .
4. 결 론
본 연구에서는 Cu
0.2InS
2나노입자에 Zn acetate 와 carboxylic acid 를 첨가하여 높은 발광특성을 갖는 Cu
0.2InS
2/ ZnS 나노입자를 합성하였으며 , ZnS 가 Cu
0.2InS
2나노입자
의 외피층을 형성함에 따라 PL spectra 에서 큰 청색이동이
관찰되었고 , 발광효율이 최대 74% 까지 향상되었다 . 다양
한 carboxylic acid 를 첨가하여 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노입자를
합성한 결과 , carboxylic acid 를 사용한 모든 Cu
0.2InS
2/ZnS
나노입자들의 광학적 특성이 향상 되었으나 , 사슬길이가 짧
을수록 그 특성이 낮아지는 것이 관찰되었다 . 가장 사슬길
이가 긴 stearic acid 를 사용하여 합성된 Cu
0.2InS
2/ZnS 나노
입자가 TEM 이미지에서 가장 균일한 입자가 관찰되었고 , PLE spectra 의 반가폭 (FWHM) 이 가장 작았다 . 또한 PL 스펙
트럼에서 가장 큰 폭의 청색이동이 관찰되었으며 (644 nm → 566 nm) 가장 높은 발광효율 (QY74%) 을 나타내었다 .
참고문헌
[1] R. Xie, D. Battaglia and X. G. Peng: J. Am. Chem. Soc.,
129
(2007) 15432.[2] S. Haubold, M. Haase, A. Kornowski and H. Weller:
Chem Phys Chem.,
2
(2001) 331.[3] D. Battaglia and X. Peng: Nano Lett.,
2
(2002) 1027.[4] D. W. Lucey, D. J. MacRae, M. Furis, Y. Sahoo, A. N.
Cartwright and P. N. Prasad: Chem. Mater.,
17
(2005) 3754.[5] R. Xie, M. Rutherford and X. Peng: Chem. Mater.,
20
(2008) 531.
[6] H. Zhong, Y. Zhohg, Y. Mingfu, Y. He, J. Ye, C. He, C.
Yang and T. Li: Chem. Mater.,
20
(2008) 6434.[7] K. Nose, Y. Soma, T. Omata and S. Otsuka-Yao-Matsuo:
Chem. Mater.,
21
(2008) 2607.[8] H. Zhong, Y. Zhou, Y. Mingfu, Y. He, J. Ye, C. He, C.
Yang and Y. Li: Nanotechnology.,
18
(2008) 25602.[9] L. Li, J. Daou, I. Texier, T. T. K. Chi, N. Q. Liem and P.
Reiss: Chem, Mater.,
21
(2009) 2422.[10] H. Y. Yang and Y. J. Kim: J. Kor. Powd. Met. Inst.,
19
(2012) 177 (
Korean
).[11] M. Uehara, K. Watanabe, Y. Tajiri, H. Nakamura and H.
Maeda: J. Chem. Phys.,
129
(2008) 134709.[12] E. Ryu, S. Kim, E. Jang, S. Jun, H. Jang, B. Kim and S.
Kim: Chem. Mater.,
4
(2009) 573.[13] Y. K. Kim, S. H. Ahn, K. C. Chung, Y. S. Cho and C. J Choi: J. Mater. Chem.,
22
(2012) 1516.[14] Y. K. Kim, S. H. Ahn, K. C. Chung, Y. S. Cho and C. J Choi: Kor. J. Met. Mater.,
11
(2011) 900.[15] H. Zhong, Y. Li, M. Ye, Z. Zhu, Y. Zhou, C. Yang and Y.
Li: Nanotechnology.,
18
(2007) 25602.[16] L. D. Trizio, M. Prato, A. Genovese, A. Casu, M. Povia, R. Simounutti, M. J. P. Alcocer, C. D'Andrea, F. Tassone and L. Manna: Chem, Mater.,
24
(2012), 2400.[17] J. Park and S. W. Kim: J. Mater. Chem.,
21
(2011) 3745.[18] Y. K. Kim, Y. S. Cho, K. C. Chung, C. J. Choi and P. W.
Shin: J. Nanosci, Nanotech.,
12
(4) (2012) 3438.[19] L. Li, A. Pandey, D. J. Werder, B. P. Khanal, J. M. Pietryga and V. I. Klimov: J. Am. Chem. Soc.,
133
(2011) 1176.[20] W. Kato, M. Uehara, K. Nose, T. Omata, S. Otsuka-Yao- Matsuo, M. Miyazaki and H. Maeda: Chem. Mater.,
18
(2006) 3330.
[21] O. I. Mi i , H. M. Cheong, H. Fu, A. Zunger, J. R. Spra- gue, A. Mascarenhas and A. J. Nozik: J. Phys. Chem.,
101
(1997) 4904.[22] Horst Weller: Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots, A. L. Rogach (Ed.), Springer Wien New York (2008) 73.
[23] T. L. Ho: Chem. Reviews.,
75
(1975) 1.[24] R. G. Pearson: J. Chem. Edu.,
45
(1968) 581.cé cé