KIC News, Volume 15, No. 6, 2012
KIC News, Volume 15, No. 6, 2012 67
Figure.폴리이미드 위 InGaAs층의 단면전 자현미경상.
Figure. 제작된 그래핀 소자의 헬륨이온 현미경상.
하는 트랜지스터 제작 기술 개발에 각각 성공했다.
이번에 개발된 기술에 의해 포스트 실리콘 재료와 Si-LSI를 융합한 고성능·다기능 디바이스의 개발 및 일렉트론 디바이스 와 포토닉 디바이스의 보다 고밀도 3차원 적층집적화가 가능하 게 되어 컴퓨터의 소전력화, 고속화, 소형화를 기대할 수 있게 되 었다.
본 기술의 상세 내용은 2012년 9월 25일∼27일에 일본 교토 (京都)시에서 개최된 ‘2012년 국제 고체소자·재료 컨퍼런스(SSDM 2012)’에서 발표되었다.
출처 : 2012.09.25 AIST(http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120925_3/pr20120925_3.html) 작성 : 소 대 섭(한국과학기술정보연구원)
AIST, 그래핀의 새로운 전도 제어 기술을 개발
- 헬륨이온을 조사하여 실온에서 작동하는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)를 실현 -
일본 산업기술종합연구소(AIST) 나노일렉트로닉스 연구부문 제휴연구체 그린나노일렉트로닉스센터(GNC) 나카하라이 슈(中払周) 연구원, 나노일렉트로닉스 연구부문 오가와 신이치(小川真一) 연구원, 나노디바이스 센터 등은 물질·재료연구기구(NIMS) 국제나노아키텍토닉스연구거점(WPI-MANA) 츠카고시 카즈히토(塚 越一仁) 연구원 등과 공동으로 그래핀의 새로운 전기전도 제어 기술을 개발했다.
본 연구를 통해 개발된 기술은 그래핀에 헬륨이온 현미경을 사용하여 헬륨이온 빔을 조사, 인위적으로 저밀도의 결정 결함을 도입함으로써 그래핀 속의 전자 및 정공의 움직임을 게이트 전극에 전압을 주어 변 조를 가능케 한 것이다. 이러한 ‘결정 결함 도입’에 의한 전도 제어는 지금까지 이론적으로는 예상되어 왔 지만, 실온에서 온·오프 동작을
성공시킨 실험 사례는 없었다. 이 번에 개발된 기술은 대면적 웨이 퍼에 있어서도 기존의 제조 기술 범위 내에서 도입이 가능하다.
한편, 이 기술의 상세 내용은 2012년 9월 25∼27일에 교토(京 都)시에서 개최된 ‘2012년 국제소 자·재료 컨퍼런스(SSDM2012)’
에서 발표되었다.
출처 : 2010.09.25 AIST(http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120925_2/pr20120925_2.html) 작성 : 소 대 섭(한국과학기술정보연구원)