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Lifetime Estimation of Amplifier IC due to Electromigration failure

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Fig.  1  Electromigration  Mechanism
Fig.  3  Grain  boundary
Fig.  5  Weibull  praobability  parper  plotSEM)을 통해 관찰  하였다.3.3  시험결과3.3.1  시험의  관측  결과가속수명시험에서  고장이  발생한  시료에  대한 고장분석을 실시한 결과 IC내의 집적소자간의 배선에  대한  저항이  1~3MΩ  까지  발생하며  이를 통해 발생된 주요 고장은 void에 의한 단선(open)인  것을  확인할  수  있었다
Fig.  8  B 10   Life  vs.  StressFig.  6  Life  vs.  Stress

참조

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