◆ 특집 ◆ 인쇄전자 공정장비기술
용액 미립화공정 기반의 마이크로 스텐실 프린팅에 관한 연구
A Study of Micro Stencil Printing based on Solution Atomization Process
당현우1, 김형찬2, 고정범1, 양영진3, 양봉수1, 최경현3,*, 도양회1,,* Hyun Woo Dang1, Hyung Chan Kim2, Jeong Beom Ko1, Young Jin Yang3, Bong Su Yang1, Kyung Hyun Choi3,* and Yang Hoi Doh1,,*
1 제주대학교 전자공학과 (Department of Electronics Engineering, Jeju National Univ.) 2 한국생산기술연구원 (Korea Institute of Industrial Technology) 3 제주대학교 메카트로닉스공학과 (Department of Mechatronics Engineering, Jeju National Univ.)
Corresponding author: [email protected], Tel: +82-64-754-3663 [email protected], Tel: +82-64-754-3713
*These authors equally contributed as corresponding authors
Manuscript received: 2014.4.27 / Revised: 2014.5.7 / Accepted: 2014.5.9
In this study, experiments were conducted for micro pattern printing to combine solution atomization process and stencil printing based on electrospray deposition. The stencil mask fabricated by etching the photosensitive glass placed below 0.3 mm distance to substrate has 100 um line width. The process parameters of electrospray deposition system for the atomization of the solution are applied voltage and supply flow rate of the solution. Meniscus angle of cone-jet was optimized by varying the supply flow rate from 0.3 ml/hr to 0.7 ml/hr. Voltage condition was verified having symmetric cone-jet angle and no pulsation at 8.5 kV applied voltage. In addition, a number of micro patterns are printed using a single 1 step process by solution atomization process. Variable line width of approximate 100 um was confirmed by changing conditions of solution atomization regardless of the pattern size of stencil mask.
Key Words: Solution atomization (용액 미립화), Stencil printing (스텐실 프린팅), Printed electronic (인쇄전자), Electrospray deposition (정전분무), Cone-jet (콘젯)
기호설명
E = electric field at the capillary c
V = potential at the capillary c
r = capillary outer radius
d = distance between the capillary tip and substrate electrode
Q = liquid flow rate ρ = liquid density
ε = vacuum electrical permittivity 0
γ = surface tension
Κ = liquid electrical conductivity 1. 서론
최근 전자제품 생산 시장은 새로운 생산 공정 의 도입을 통하여 생산 비용의 절감, 소재의 소비 효율 향상, 청정생산 환경을 구축하기 위한 다양 한 시도들이 이어지고 있다. 대표적으로 인쇄전자 기술을 예로 들 수 있는데, 인쇄공정을 활용하여 전자회로, 센서, 소자 및 각종 전자제품을 인쇄하
듯 만들어내는 차세대 인쇄기술을 의미한다. 인쇄 전자 기술에는 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 롤 투롤 프린팅, 임프린팅 등 다양한 인쇄공정을 포 함하고 있다.1
본 연구는 인쇄전자 기술 중 잉크젯 프린팅에 내포되는 정전분무기법을 이용한 용액 미립화공정 과 스텐실 프린팅(stencil printing)을 복합하는, 차세 대 미세패턴(micro pattern)인쇄에 대한 연구이다.
정전분무(ESD; electrospray deposition)는 정전기력만 을 이용하여 용액을 미립화 시키는 기술로써, 용 액상에 고전압을 인가하여 하전(electric-charge)시킨 후 원하는 기판 위에 분무 증착(depositon)하는 기 술을 말한다. 일반적으로 수 나노미터(nm) ~ 수 마 이크로미터(um) 크기의 미립자를 생성할 수 있 다.2,3 스텐실 기법은 임의의 형상을 노출시킨 마스 크에 용액을 분사하고 마스크의 노출형상에 부합 하는 패턴을 인쇄하는 기술이다.4
본 논문에서는 정전분무기법의 용액 미립화공 정과 스텐실 기법을 복합하여 마이크로 스케일의 미세패턴 인쇄에 대한 공정을 연구하였다. 또한 용액 미립화공정의 인가전압에 따른 미립자 토출 모드의 변위와 용액 공급 유량에 따른 콘젯 각의 변위를 파악하고, 미세패턴 공정 조건을 확립하기 위한 최적화 과정을 제시하였다.
2. 정전분무 기반의 용액 미립화 기술
용액이 공급되는 노즐과 기판 사이에 수~수십 kV의 고전압을 인가하면 노즐은 양(+)의 전극으로 작용하게 된다. 용액은 공급 유량과 더불어 용액 내부에 존재하는 양이온들과 양극화된 노즐내벽과 의 극성반발력에 의해 노즐 내부의 유동저항이 적 은 토출구 방향으로 이동하게 된다. 이때, 노즐 토 출구에 용액이 맺히면서 메니스커스(meniscus)를 형성하게 된다. 용액의 메니스커스는 특정 인가전 압의 값에 의해 첨예한 원추형으로 변모하며 용액 을 토출하게 되는데, 이를 콘젯모드(cone-jet mode) 라 한다.5-8
Fig. 1에는 정전분무의 메커니즘(mechanism)으로 부터 용액이 미립화되고 기판상에 증착되는 과정 을 도식화 하였다. 노즐 토출구 맺힌 메니스커스 는 전기장의 세기와 용액 공급 유량에 의해 분무 모드를 거처 용액이 미립화를 이루고, 노즐에서 기판 위로 유도된다. 이때, 미립자를 구성하는 솔 벤트(solvent)는 기판상으로 유도되는 거리구간에서
자연 증발되어 체적이 감소한 상태로 증착되며, 미립자의 체적이 감소할수록 솔벤트의 대기 중 노 출이 확산되어 아주 미세한 초미립자 상태로 기판 상에 증착 될 수 있다.9-11
정전분무 공정에서 전기장은 용액의 미립화를 위한 에너지의 세기로써 기존 여러 연구결과들을 통해 보고되고 있다. 대표적으로 Loeb et al.12에 의 해 개발된 전기장에 대한 해석은 수식(1)과 같다.
(2 )
ln 4 /c
c V
E =r d r (1)
여기서 Ec 노즐 토출구에 형성되는 전기장이고, Vc는 토출구의 포텐셜(potential)이며, r 은 노즐의 토출구 직경, d 는 노즐의 토출구 끝에서부터 기 판 사이의 거리를 나타낸다.
토출 액적의 크기를 결정짓는 한 요소로 잉크 의 공급유량을 들 수 있으며, 공급유량을 적절한 수준으로 제어하는 것은 중요하다. 대표적인 연구 방법으로 Ganan-Calvo의 스켈링법칙(scaling-low) 을 이용한 근사해석을 수식(2)와 같이 보여준다.13
1/ 6 2 / 3 1/ 2 0
0 3.78
d π Q ρε
γ
− ⎛ ⎞
= ⎜⎝ Κ ⎟⎠ (2)
여기서 d0 는 콘젯모드에서 초기 토출 액적의 크 기에 대한 근사해석이고, Q 는 노즐에 공급되는 용액의 유량이며, ρ 은 용액의 밀도, ε0는 자유공 간상의 유전율, γ 은 표면장력, Κ 는 용액의 전도 율을 나타낸다. 용액의 물성치를 배제할 경우 액 적의 크기를 좌우하는 변수는 용액의 공급 유량으
Fig. 1 Mechanism of electrospray deposition
로써 용액의 미립화 정도를 제어할 수 있으며, 이 에 따른 스텐실 마스크의 투과량 차이로 인한 미 세패턴의 선폭 변화가 예상된다.
3. 스텐실 프린팅 마스크 제작 및 구성
스텐실 마스크는 감광성 유리(photosensitive glass)를 이용하여 제작되었으며, Fig. 2는 스텐실 프 린팅 마스크 제조공정을 나타낸다. 감광성 유리는 미량의 산화세륨(CeO2)과 은 산화물(AgO2)이 함유 된 유리이다. 감광유리에 자외선(UV)을 조사 시키 면 Ce3+ 이온이 광화학 반응(photoreaction)에 의해 전자(electron)를 발생 시키고, 450~600℃가량의 열 처리를 통해 열 환원(thermal-reduction)을 일으키면 자외선이 조사된 영역에서는 은 이온(Ag-ion)이 은 원자(Ag-atom)로 변화하게 된다. 이때 은 원자들은 서로 결합하여 은 알갱이(silver specks)들이 되고, 추가로 온도를 더 상승시키면 은 알갱이들을 중심 으로 하여 나노 사이즈의 리튬 메타실리케이트 (lithium-metasilicate; Li2SiO3) 결정이 무수하게 성장 된다.14 리튬 메타실리케이트가 성장된 영역은 자 외선에 노출되지 않은 아몰퍼스(amorphous)영역에 비해 약 20배 가량의 매우 빠른 식각(etching) 속도 를 갖게 된다. 스텐실 마스크는 이와 같은 식각 속 도의 차를 이용하여 이방성식각(an-isotropic etching) 공정으로 제작된다. 스텐실 마스크의 재원은 Table 1과 같다.
4. 미세패턴 인쇄 시스템 구성
Fig. 3은 정전분무 기반의 용액 미립화공정과 스텐실 프린팅을 적용한 미세패턴 인쇄 시스템의 구성을 나타냈다. 시스템은 노즐과 고전압 인가 를 위한 DC전압 공급 모듈, 용액 공급 모듈, 고 속카메라, 라이트 소스, X-Y 스테이지 제어 모듈, 그리고 프린팅 시스템 통합 제어기로 구성되어 있다.
Fig. 4는 정전분무 노즐의 인가전압 구성과 스 텐실마스크의 배치를 나타낸다. 용액 미립화공정 에 사용된 노즐(ID 180㎛, OD 300㎛)은 고전압 V1 의 원활한 수용과 자기장 생성을 위해 금속 재질 로 제작되었다. 상대 전극으로는 기판 하부에 금 속 재질로 이루어진 평판(plate) 형태의 전극에 V2 전압을 인가하여 V1과의 전위차를 발생시켜 용액 을 노즐에서 기판 방향으로 분무 증착시킨다. 노
즐에 인가된 양(+)전압 V1으로부터 하전된 미립자 들은 기판 하부에 인가된 접지(ground) 또는 음(-) 전압 V2에 의해 방전되어 기판 상에 원활히 증착 될 수 있도록 한다.
Table 1 Specification of stencil mask
Material Photosensitive Glass Dimension (mm) 101(W) x 101(L) x 0.3(T)
Pattern size (mm) 0.1(W) x 10(L) Pattern pitch (mm) 0.1
Fig. 2 Manufacturing process of stencil mask
Fig. 3 Structure of micro-pattern printing system
Fig. 4 Structure of electrospray deposition nozzle system
5. 미세 패턴을 위한 용액 미립화 공정 최적화 5.1 인가전압에 따른 미립자 토출 모드의 변위
본 실험에서는 정전분무 기반의 용액 미립화 공정에서 인가전압에 따른 콘젯 모드의 변위를 확 인하고, 안정된 콘젯 모드의 전압 조건을 도출하였 다. 안정된 콘젯 모드는 메니스커스의 토출 방향이 기판과 수직을 이루며 메니스커스 각(angle)이 좌우 대칭하는 인가전압의 범위이다. Fig. 5는 노즐에 V1 을 6.0kV에서부터 0.5kV 씩 단계적으로 상승시키며 토출구에 맺히는 메니스커스 형상의 변위를 보여준 다. 또한 실험조건에서 용액의 공급 유량은 0.5ml/hr 로 고정하고, 인가전압을 단일 변수로 설정하여 인 가전압에 따른 콘젯 모드의 변위를 확인하였다.
Fig. 5에서는 실험으로 확인된 인가전압에 따른 미립자 토출 모드의 변위를 보여주고 있다. Fig.
5(a)는 6.0kV에서 메니스커스는 지속적인 상하 운 동을 하는 펄스 모드(pulsation mode)를 확인 할 수 있었으며, Fig. 5(a)~(d)에서 7.5kV까지 상승하는 동 안에도 펄스 모드는 지속되었다. 이는 자유상태의 메니스커스에서 용액의 분무를 위해 정전기력이 가해지는 경우 자유 메니스커스 형상을 유지하려 는 표면장력의 힘과 용액을 기재방향으로 유도시 키려는 정전기력의 힘의 세기가 근소한 차이를 보 이는 경우이다. 이는 자유 메니스커스는 용액을 분사하고, 반원(semicircle) 모양의 초기 자유 메니 스커스로 복귀하고자 하는 현상이 반복됨으로써 발생되는 불규칙한 펄스 모드이다. 본 실험에서는 콘젯 모드를 이용한 용액 미립화공정의 안정된 전 압조건을 도출하기 위하여 V1을 추가 상승시키며 메니스커스의 토출 모드 변위를 확인한다.
Fig. 5(e)~(g)에서 보여주듯이 인가전압 V1이 8.0kV에 다다르며 펄스 모드가 아닌 연속적으로 분사하는 안정된 콘젯 모드를 보였다. 이어서
9.0kV와 9.5kV 지점에서도 연속된 콘젯 모드가 확 인되었으나 메니스커스의 각은 좌∙우 비대칭한 형 상을 보였고, 분무 방향은 편중되었다. 이는 인가 전압이 상승함에 따라 정전기력 또한 상승하고 메 니스커스의 각이 크게 형성되며 용액 토출 지점인 콘젯의 끝 단이 노즐의 원형 토출구 벽면을 향해 불규칙한 방향으로 치우치는 현상이다.
이어서, V1전압을 보다 더 상승시키며 메니스 커스의 각이 최대로 벌어지는 지점을 확인하고, 멀티 콘젯이 발생하는 지점을 확인하여 연속된 콘 젯 모드를 유지하는 인가전압의 운전범위(driving voltage)를 확보하고자 한다. Fig. 5(i)~(k)에서는 V1 이 10.0kV로 접어들면서 콘젯은 두 개로 분할되어 멀티 콘젯 모드가 생성되고 있음을 보여준다. 또 한 10.5kV에서 세 개의 멀티 콘젯, 11.0kV에서 네 개의 멀티 콘젯으로 분할되며 노즐 토출구의 원형 테두리를 따라 네 방향으로 분사되는 것을 확인 할 수 있다. 콘젯이 다수로 분할됨에 따라 토출구 에 맺힌 메니스커스의 각은 기판과 수평에 가까운 형상으로 변모되었다.
콘젯 모드의 안정된 인가전압 조건을 도출하기 위해 Fig. 5(e)~(h) 구간에서는 분할되지 않은 단일 콘젯 형상을 분류하였다. 그리고 토출 방향성이 기판과 수직 방향이고, 메니스커스 콘젯 각이 좌 우 대칭을 이루는 (f)의 전압조건(8.5kV)을 기준 전 압으로 선정하였다. 기준전압의 범위를 단일 콘젯 모드에서 설정하는 이유는 분할된 멀티 콘젯 각각 의 분사 영역으로부터 중첩 경계구간의 발생으로 인한 증착 균일도의 저하를 예방하기 위함이다.
또한 메니스커스의 불규칙한 상하 운동을 반복하 는 펄스 모드의 경우 초기 분사 지점의 흔들림에 의한 증착 균일도 저하가 발생하게 된다. 이와 같 은 문제점을 극복하기 위해 분사과정에서 메니스 커스 형상의 변화가 없고, 분사 지점이 단일 콘젯 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h) (i) (j) (k) Fig. 5 Cone-jet mode displacement of the meniscus according to applied high voltage ((a) 6.0kV, (b) 6.5kV, (c) 7.0kV,
(d) 7.5kV, (e) 8.0kV, (f) 8.5kV, (g) 9.0kV, (h) 9.5, (i) 10.0kV, (j) 10.5kV, (k) 11.0kV)
으로 형성되며, 콘젯의 각의 좌우 대칭을 이루는 Fig. 5(f)에 적용된 인가전압 8.5kV를 용액 미립화 공정의 기준 전압으로 선정한다.
5.2 용액 공급 유량에 따른 콘젯 각의 변위 본 실험에서는 용액의 공급 유량에 따른 콘젯 각의 변위를 확인한다. 앞선 인가전압에 따른 미 립자 토출 모드의 변위 실험에서 확인된 기준 전 압조건 8.5kV를 설정한 후 용액 공급 유량을 단일 변수화 한다. 용액 공급 유량은 앞선 실험에서 임 의로 설정했던 0.5ml/hr 를 기준 공급 유량으로 설 정하고, 용액 공급 유량의 증가와 감소에 따른 콘 젯 각의 변위를 확인 한다. Fig. 6에서는 실험으로 확인된 용액 공급 유량에 따른 콘젯 각의 변위를 보여주고 있으며 (a) ~ (i)는 유체 공급량 0.3ml/hr ~ 0.7ml/hr까지 0.05ml/hr씩 단계적으로 증가된 콘젯 의 각을 나타낸다. 또한 (j)는 콘젯모드의 촬영 이 미지에서 콘젯 각의 측정 영역을 나타낸다. 콘젯 형상은 기준전압을 설정하기 위한 실험에서와 같 이 콘젯의 각이 좌우 대칭을 이루며 분무 방향이 기판과 수직되는 범위를 안정된 콘젯모드로 분류 한다.
Fig. 6(d)~(i)는 콘젯의 분무 방향이 기판과 수직 을 이루며, 유체 공급 유량이 증가할수록 메니스 커스는 기판 방향으로 41.38°에서부터 30.86°까 지 첨예해진다. 이때, 초기 토출 생성영역(drop production region) 이 점차적으로 두껍게 형성되는 변위을 확인할 수 있다. 토출 생성영역은 용액이 분무되기 직전까지의 구간으로써 유체 공급 유량 의 증가로 인하여 동시간 기준 분무량이 증가하는 현상을 보인다. 이 현상을 바탕으로 스텐실 마스 크를 삽입하는 경우 유체 공급량이 증가함에 따라 패턴 선폭이 증가되는 현상이 예상된다.
이 경우와 반대로 Fig. 6(a)~(c) 과 같이 유체 공 급량이 점차적으로 감소하는 경우 43.59°에서 48.66°까지 콘젯 각은 증가하였다. 또한 콘젯의 분무 방향은 기재와의 수직방향에서 이탈하게 된 다. 이는 앞선 기준전압 설정 실험에서 확인했던 멀티 콘젯으로 진행되는 경우와 같이 콘젯 각은 점차적으로 증가하고, 콘젯의 방향이 원형의 토출 구 벽면을 향해 기울어지는 형상을 보인다.
하지만 콘젯 각이 증가 할수록 용액 공급 유량 은 비례적으로 감소하고 있으므로 콘젯모드는 멀 티 콘젯으로 변모하지 못한다. 극단적으로 0.3ml/hr 이하로 감소하는 경우 콘젯은 펄스모드와 같이 불 안정한 메니스커스의 유동을 보인다.
본 실험을 통해 용액 공급 유량을 단계적으로 증가시키며 콘젯 각의 변위를 관찰한 결과 유량이 적은 경우 Fig. 6(a)~(c)와 같이 콘젯의 각이 편중되 는 현상을 확인했다. 반면에 Fig. 6(d)~(i)는 유량이 증가함에 따라 콘젯이 기판방향으로 처지면서 각 도가 감소하는 경향을 보였으나, 콘젯 각의 좌·
우 비율이 동일하게 형성되며 편중되지 않는 안정 된 콘젯모드가 형성되고 있음을 확인하였다.
5.3 용액 공급 유량에 따른 미세패턴의 변위 본 실험에서는 정전분무 기반의 용액 미립화공 정 시스템에 스텐실 마스크를 삽입하고, 마스크 패턴 선폭100um의 스텐실 마스크 패턴과 동일한 미세패턴을 얻기 위한 인쇄공정을 실험한다. 또한 용액 공급 유량의 제어를 통해 콘젯의 각이 변화 할 때 미세패턴의 경향을 확인한다. 미세패턴 실 험에 앞서 유체 공급량을 단일 공정변수로 사용하 기 위해 스텐실마스크와 기판의 간격(d2)은 0.1mm 로 설정하고, 기판 이송 속도는 5㎜/s로 설정했다.
용액 공급 유량에 따른 콘젯 각의 변위 실험에 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h) (i) (j) Fig. 6 Displacement of the cone-jet mode meniscus angle according to liquid flow-rate ((a) 0.3ml/hr, (b) 0.35ml/hr, (c)
0.4ml/hr, (d) 0.45ml/hr, (e) 0.5ml/hr, (f) 0.55ml/hr, (g) 0.6ml/hr, (h) 0.65ml/hr, (i) 0.7ml/hr, (j) sample of angle)
서 9단계의 용액 공급 유량 조건에 대한 콘젯 각 변화를 확인했으며, 이에 대한 미세패턴의 결과를 Fig. 7에서 보여주고 있다. 용액 공급 유량을 변수 로 메니스커스의 콘젯 각을 제어하는 경우 콘젯 각이 증가할수록 동시간 기준 분무량이 감소하고, 콘젯 각이 감소할수록 분무량이 증가하는 현상을 관찰할 수 있었다. Fig. 6(a) 공정조건에서의 실시한 ITO 패터닝 결과를 Fig. 7(a)에서 확인 할 수 있으 며, Fig. 6(a)~(i)의 조건에서 실시한 미세패턴 인쇄 의 결과는 Fig. 7과 동일한 알파벳 (a)~(i)로 연결 지어 확인할 수 있다.
미세패턴은 ITO(indium tin oxide) 용액을 이용하 여 인쇄되었고, 미세패턴의 선폭(line-width)은 전자 현미경(Dixi Optics., Model : BX51M)을 이용하여 측 정되었다. Fig. 7(a)~(c)는 스텐실 마스크의 패턴 선 폭(100um) 대비 좁은 선폭으로 확인되며, (d)~(f)는 100㎛에 근접한 선폭을 보여주고 있다. 나머지 (g)~(i)는 100㎛를 초과한 선폭을 나타낸다. 이 경 우는 용액 공급 유량의 증가로 토출 생성영역이 두꺼워짐에 따라 동시간 기준 분무량은 증가하는 경향성이 미세패턴 인쇄에 반영된 결과이다. 즉 스텐실 프린팅 마스크의 노출영역을 통과하는 미 립자들이 단계적으로 증가했으며, 미세패턴의 선 폭을 증가 시키는 요인으로 작용함을 확인할 수 있다. 본 실험은 스텐실 마스크의 패턴 폭 100㎛
에 준하는 미세패턴 인쇄 결과를 확인하기 위하여 패턴 선폭 100㎛에 근접한 Fig. 7(d)~(f) 를 분류했 으며, 미세패턴의 경계 면이 가장 매끄러운 Fig.
7(d)를 최종 결과물로 선택했다.
6. 마이크로 스텐실 프린팅의 미세패턴 분석 본 실험에서는 3차원측정시스템(Nano System, Model : WT-250)을 이용하여 Fig. 7(d)의 미세패턴 결과에 대한 프로파일(profile)을 생성하고 패턴의 두께와 선폭 그리고 패턴의 표면 균일도를 확인하 였다.
Fig. 8은 미세패턴의 프로파일이다. 분석 결과 스텐실 마스크의 패턴 선폭과 일치하는 100㎛의 패턴 선폭을 확인 할 수 있었고, 미세패턴의 높이 는 110nm 로 확인 되었다. 또한 Fig. 9의 프로파일 에서는 미세패턴의 길이방향(longitudinal)으로 좌측 과 중앙 그리고 우측을 기준으로 하여 표면 균일 도(Rq: root-mean-square deviation of the profile(ISO 4287-1984))를 측정한 결과를 보여준다. 균일도는 각각 2.20nm, 1.93nm, 2.15nm로 확인되며, 매우 균 일한 패턴임을 확인 할 수 있었다.
7. 결론
본 연구에서는 정전분무 기반의 용액 미립화공 정과 스텐실 프린팅을 복합하여 미세패턴 인쇄의 최적화를 연구하였다. 그 결과 스텐실 프린팅 마 Fig. 7 Micro-pattern according to the solution flow-rate
Fig. 8 Profile for micro-pattern line width and thickness
Fig. 9 Profile for micro-pattern surface uniformity
스크의 패턴 사이즈와 일치하는 100㎛ 선폭의 미 세패턴 인쇄가 가능했다. 이를 통해 잉크젯 다이 렉트 인쇄공정을 기반으로1-step 공정에서 다수의 미세패턴을 인쇄할 수 있는 가능성을 충분히 검증 할 수 있었다. 또한 용액 미립화공정 조건을 달리 하여 마스크 선폭을 기준으로100㎛ 내외의 미세패 턴 선폭을 가변 할 수 있음을 확인하였다.
향후 지속적인 연구개발을 통해 기존 미세패턴 제작을 위한 리소그래피 공정에서 벗어나 상온∙상 압의 환경에서의 용액 미립화 공정을 이용하여 미 세패턴을 인쇄할 수 있는 차세대 공정기술에 대한 가능성을 확인할 수 있었다. 또한 ITO용액뿐만 아 니라 다양한 기능성 용액소재를 연계하여 인쇄공 정 기반의 미세패턴 공정기술이 연구단계를 넘어 산업화에 기여 할 수 있기를 기대해 본다.
후 기
이 논문은 2014학년도 제주대학교 학술진흥연 구비 지원사업에 의하여 연구되었습니다.
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