By DSUm z 금속 표면에 전자가 충돌하여 반사되는 전자 이외에 금속 내의 전자가 튀어나온다. 이
현상을 2차 전자 방출이라 하며, 튀어나온 전자를 2차 전자라 한다.
z Schottky 효과 : 전위장벽이 낮아지는 현상
z Shot효과: 금속 표면에서 방출되는 전자가 속도와 비율이 균일하지 않아 발생되는 현상 z Flicker 효과 : 음극의 표면 상태가 물리학적으로 서서히 변하기 때문에 열전자류가 변
동하는 현상
z Compton 효과 : X선이 물질에 부딪쳤을 때 전자가 나오는 현상을 말한다.
z 2차 전자 방출비를 증가시키는 방법 : 1차 전자의 충돌 방향을 금속면에 경사지게 한다.
z Edison 효과 : 금속 등을 고온으로 가열시키면 표면으로부터 전자가 튀어나오는 현상 z 도체는 일부분만 전자가 충족되지 않는 허용대를 가진다.
z 절연체는 충만대와 빈 허용대만 있고 그 사이에 있는 금지대폭이 넓은 것이다.
z 반도체는 금지대폭이 좁다.
z 전도대(허용대)란 자유 전자의 에너지에 해당하는 에너지 영역이다.
z 결정구조의 불안정, 즉 결정 구조의 결함은 캐리어 산란의 원인이 되며, 이는 이동도를 감소시킨다.
z 반도체 양단에 전계를 가하면 전자는 전계와 반대 방향으로 가속 운동을 하며, 이때 발 생되는 전류를 드리프트(drift) 전류라 한다.
z 확산 현상 : 온도가 높을수록 확산이 쉽다. 드리프트와 확산이 동시에 일어나는 것을 열평형이라고 한다.
z 캐리어가 밀도가 큰 영역에서 밀도가 작을 영역으로 이동하는 현상을 이동도 라고 한다.
z 전자의 산란(scattering)이란 격자 전계가 거의 완전하게 주기적인 곳에서 등속도 운동 해 온 전자가 전계가 비주기인 곳에서 그 운동 방향을 바꾸는 것.
z 결정의 완전한 주기성을 깨뜨리는 요인은 원자의 열진동이다.
z 진성 반도체는 절대 온도(0K)에서 절연체로 작용한다.
z 진성 반도체(intrinsic semiconductor) : 불순물이 전혀 섞이지 않은 순수한 반도체로 전 자와 정공의 수가 같아 페르미 준위는 금지대의 중앙에 존재하게 된다.
z 불순물 반도체(extrinsic semiconductor) : 진성 반도체에 불순물이 도핑(doping)된 것 으로 전도성이 증가한다. N형은 진성반도체에 5가의 donor 불순물을 첨가하여 전자가 과잉된 반도체이고, P형은 진성 반도체에 3가 accepter 불순물을 넣어 정공(hole)이 과 잉된 반도체 이다. P형에서 불순물은 In, Ge, B이며, N형에서 불순물은 Sb, As, P 이다.
z 페르미 준위 : 전자의 존재 확률이 50%가 된다. 절대 온도(0K)에서 전자의 최고 에너 지가 된다.
z 반도체의 결정 구조상 공유 결합의 화학적 결정구조로 되어있다.
z 반도체의 성질 : 불순물을 첨가하면 저항은 감소하고, 도전율은 증가한다.
z 에너지 갭이 큰 화합물 반도체의 일반적인 특징은 캐리어의 이동도가 작다.
