모 발길

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이 X:경 과일 수 T.S2 Y =1.103030X +207.53 0.980232

C.S1 Y =0.387879X +161.67 0.912656 C.S2 Y =1.296970X +181.27 0.865186 Before

Dyeing

T.S1 Y =1.090910X +165.00 0.962567 T.S2 Y =0.636364X +204.20 0.925460 C.S1 Y =1.642420X +166.07 0.908732 C.S2 Y =0.539394X +165.53 0.842212

<표25>5R염색 모발 온수,샴푸,린스 조건별 웨이브 유지율

5R 5R 5R 5R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 온수 온수 온수 온수 헹굼 헹굼 헹굼 시술 헹굼 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 따른 조건에 따른 따른 웨이브 따른 웨이브 웨이브 웨이브 형성력의 형성력의 형성력의 형성력의 결과 결과 결과 결과

C.S1(후)> C.S1(전)> C.S2(전)> T.S1(전)> C.S2(후)> T.S1(후)> T.S2(전)> T.S2(후) 의 순이었다. 이 결과 염색 후 시스테인HCL을 사용하여 S1로 퍼머한 모발의 웨이브 형 성력이 가장 높았으며, 염색 후 티오글리콜산을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 형성력이 낮았다.

5R 5R 5R 5R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 온수 온수 온수 온수 헹굼 헹굼 헹굼 시술 헹굼 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 따른 조건에 따른 따른 웨이브 따른 웨이브 웨이브 웨이브 유지율의 유지율의 유지율의 유지율의 결과 결과 결과 결과

P.S2(전)> P.S2(후)> T.S1(후)> P.S1(전)> P.S1(후)> T.S2(전)> T.S1(전)> T.S(후)의 순이었다. 이 결과 염색 전 시스테인HCL을 사용하여 S2로 퍼머한 모발이 웨이브 유지 율이 가장 높았고, 염색 후 티오글리콜산을 사용하여 S1로 퍼머한 모발의 웨이브 유지 율이 가장 낮았다.

다 다

다. . .5 5 5R R R염 염 염색 색 색 모 모 모발 발 발 트 트 트리 리 리트 트 트먼 먼 먼트 트 트, , ,샴 샴 샴푸 푸 푸, , ,린 린 린스 스 스 조 조 조건 건 건 별 별 별 웨 웨 웨이 이 이브 브 브 형 형 형성 성 성력 력 력 및 및 및 유 유 유지 지 지율 율 율

<그림39>5R트리트먼트,샴푸,린스 조건별 웨이브 형성력 및 유지율

구 분 회귀 방정식 결정계수 비 고

모발 길이 경과 일수

<표26>5R트리트먼트,샴푸,린스 조건별 웨이브 형성력 및 유지율

5R 5R 5R 5R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 트리트먼트 트리트먼트 트리트먼트 트리트먼트 헹굼 헹굼 헹굼 헹굼 시술 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 조건에 따른 따른 따른 따른 웨이브 웨이브 웨이브 웨이브 형성력의 형성력의 형성력의 형성력의 결과 결과 결과 결과

C.S1(후)> C.S1(전)> C.S2(전)> T.S1(전)> C.S2(후)> T.S1(후)> T.S2(전)> T.S2(후) 의 순이었다. 이 결과 염색 후 시스테인HCL을 사용하여 S1로 퍼머한 모발의 웨이브 형 성력이 가장 높았으며, 염색 후 티오글리콜산을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 형성력이 낮았다.

5R 5R 5R 5R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 트리트먼트 트리트먼트 트리트먼트 트리트먼트 헹굼 헹굼 헹굼 헹굼 시술 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 조건에 따른 따른 따른 따른 웨이브 웨이브 웨이브 웨이브 유지율의 유지율의 유지율의 유지율의 결과 결과 결과 결과

T.S2(후)> T.S1(전)> T.S2(전)> P.S2(전)> T.S1(후)> P.S(후)> P.S1(전)> P.S1(후)의 순이었다. 이 결과 염색 후 티오글리콜산을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 유지 율이 가장 높았고, 염색 후 시스테인HCL을 사용하여 S1으로 퍼머한 모발의 웨이브 유 지율이 가장 낮았다.

염 염 염색 색 색 모 모 모발 발 발 웨 웨 웨이 이 이브 브 브의 의 의 형 형 형성 성 성력 력 력 및 및 및 유 유 유지 지 지율 율 율 가

가. . .9 9 9R R R염 염 염색 색 색모 모 모발 발 발 냉 냉 냉수 수 수, , ,샴 샴 샴푸 푸 푸, , ,린 린 린스 스 스 조 조 조건 건 건별 별 별 웨 웨 웨이 이 이브 브 브 형 형 형성 성 성력 력 력 및 및 및 유 유 유지 지 지율 율 율

<그림40>9R염색 모발 냉수 샴푸,린스 조건별 웨이브 형성력 및 유지율

구 분 회귀 방정식 결정계수 비 고

모발 길이

경과 일수

<표27>9R염색 모발 냉수 샴푸,린스 조건별 웨이브 형성력 및 유지율

9R 9R 9R 9R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 냉수 냉수 냉수 냉수 헹굼 헹굼 헹굼 시술 헹굼 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 따른 조건에 따른 따른 웨이브 따른 웨이브 웨이브 웨이브 형성력의 형성력의 형성력의 형성력의 결과결과결과결과

C.S1(후)> C.S1(전)> C.S2(전)> T.S1(전)> C.S2(후)> T.S1(후), T.S2(전)> T.S2(후) 의 순이었다. 이 결과 염색 후 시스테인 HCL을 사용하여 S1로 퍼머한 모발의 웨이브 형성력이 가장 높았으며, 염색 후 티오글리콜산을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 형성력이 가장 낮았다.

9R 9R 9R 9R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 냉수 냉수 냉수 냉수 헹굼 헹굼 헹굼 시술 헹굼 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 따른 조건에 따른 따른 웨이브 따른 웨이브 웨이브 웨이브 유지율의 유지율의 유지율의 유지율의 결과결과결과결과

C.S2(후)> CT.S1(전)> C.S1(전)> C.S1(후)> T.S2(후)> T.S1(후)> C.S2(전)> T.S2(전) 의 순이었다. 이 결과 염색 후 시스테인HCL을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 유지율이 가장 높았고, 염색 전 티오글리콜산을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 유지율이 가장 낮았다.

나 나

나. . .9 9 9R R R염 염 염색 색 색 모 모 모발 발 발 온 온 온수 수 수, , ,샴 샴 샴푸 푸 푸, , ,린 린 린스 스 스 조 조 조건 건 건별 별 별 웨 웨 웨이 이 이브 브 브 형 형 형성 성 성력 력 력 및 및 및 유 유 유지 지 지율 율 율

<그림41>9R염색 모발 온수 샴푸,린스 조건별 웨이브 형성력 및 유지율

구 분 회귀 방정식 결정계수 비 고

모발 길이

경과 일수

<표28>9R염색 모발 온수 샴푸,린스 조건별 웨이브 형성력 및 유지율

9R 9R 9R 9R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 온수 온수 온수 온수 헹굼 헹굼 헹굼 시술 헹굼 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 따른 조건에 따른 따른 웨이브 따른 웨이브 웨이브 웨이브 형성력의 형성력의 형성력의 형성력의 결과 결과 결과 결과

C.S1(후)> C.S1(전)> C.S2(전)> T.S1(전)> C.S2(후)> T.S1(후)> T.S2(전)> T.S2(후) 의 순이었다. 이 결과 염색 후 시스테인 HCL을 사용하여 S1로 퍼머한 모발의 웨이브 형성력이 가장 높았으며, 염색 후 티오글리콜산을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 형성력이 가장 낮았다.

9R 9R 9R 9R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 온수 온수 온수 온수 헹굼 헹굼 헹굼 시술 헹굼 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 따른 조건에 따른 따른 웨이브 따른 웨이브 웨이브 웨이브 유지율의 유지율의 유지율의 유지율의 결과 결과 결과 결과

T.S1(전)> T.S2(후)> C.S2(후)> C.S2(전)> C.S1(후) T.S1(후) > C.S1(전)> T.S2(전)의 순이었다. 이 결과 염색 전 티오글리콜산을 사용하여 S1으로 퍼머한 모발의 웨이브 유 지율이 가장 높았고, 염색 전 티오글리콜산을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 유 지율이 가장 낮았다.

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다. . .9 9 9R R R염 염 염색 색 색모 모 모발 발 발 트 트 트리 리 리트 트 트먼 먼 먼트 트 트, , ,샴 샴 샴푸 푸 푸, , ,린 린 린스 스 스 조 조 조건 건 건별 별 별 웨 웨 웨이 이 이브 브 브 형 형 형성 성 성력 력 력 및 및 및 유 유 유지 지 지율 율 율

<그림42>9R염색 모발 트리트먼트 샴푸,린스 조건별 웨이브 형성력 및 유지율

구 분 회귀 방정식 결정계수 비 고

모발 길이

경과 일수

<표29>9R염색 모발 트리트먼트 샴푸,린스 조건별 웨이브 형성력 및 유지율

9R 9R 9R 9R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 트리트먼트 트리트먼트 트리트먼트 트리트먼트 헹굼 헹굼 헹굼 헹굼 시술 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 조건에 따른 따른 따른 따른 웨이브 웨이브 웨이브 웨이브 형성력의 형성력의 형성력의 형성력의 결과 결과 결과 결과

C.S1(후)> C.S1(전)> C.S2(전)> T.S1(전)> C.S2(후)> T.S1(후)> T.S2(전)> T.S2(후) 의 순이었다. 이 결과 염색 후 시스테인HCL을 사용하여 S1로 퍼머한 모발의 웨이브 형 성력이 가장 높았으며, 염색 후 티오글리콜산을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이브 형성력이 가장 낮았다.

9R 9R 9R 9R 염색 염색 염색 염색 모발 모발 모발 모발 냉수 냉수 냉수 냉수 헹굼 헹굼 헹굼 시술 헹굼 시술 시술 시술 조건에 조건에 조건에 따른 조건에 따른 따른 웨이브 따른 웨이브 웨이브 웨이브 유지율의 유지율의 유지율의 유지율의 결과 결과 결과 결과

C.S2(후)> CT.S1(후)> CT.S1(전)> CT.S2(전)> C.S1(후)> C.S2(후)> C.S1(전)>C.S2 (전)의 순이었다. 이 결과 염색 후 시스테인HCL을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이 브 유지율이 가장 높았고, 염색 전 시스테인HCL을 사용하여 S2로 퍼머한 모발의 웨이 브 유지율이 가장 낮았다.

제 제

제 절 절 절 인 인 인장 장 장강 강 강도 도 도와 와 와 신 신 신장 장 장률 률 률의 의 의 결 결 결과 과 과

모발의 화학 물질에 대한 손상은 큐티클 층의 손상 뿐 만 아니라 피질 층의 손상도 많아지는데 이러한 피질 층의 손상을 직접 관찰이 불가능하기 때문에 인장강도와 신장 률을 이용하여 관찰하였다.99)

인장강도와 신장률은 한 사람의 모발이라도 굵기가 다르기 때문에 오차를 최소화하기 위하여 모발의 직경이 비슷한 시료를 선택하여 10회를 측정하였다. 모발이 손상되면 인 장강도와 신장률이 변하는데 인장강도와 신장률의 결과 극 손상 모발의 경우 박진 희100), 김양자101)의 연구 결과와 유사하였다.

트리트먼트를 처리한 모발이나 트리트먼트를 처리를 하지 않은 모발이나 인장강도가 떨어지고 트리트먼트의 효과는 없는 것으로 나타났으며 트리트먼트는 퍼머 전처리에 하 는 것이 효과적이고 열처리를 하지 않고 자연 방치하는 것이 효과적으로 나타났다.102) 모발의 조건상 시료 선택 시 많은 제한점이 있는 관계로 변화율이 일정하지 않은 것 은 육안으로 판단되어지지 않은 모 피질의 상태와 실험조건의 차이 때문으로 보이며 채 희옥103)의 연구 결과와 유사하였다.

실험의 결과에 다소 차이는 있으나 건강 모발일 경우 인장강도는 높고 신장률이 낮으 며, 손상모발의 경우 신장률은 높고 인장강도는 낮다.

신장률이 증가하는 것은 퍼머 제로 인해서 모발의 시스틴 결합이 느슨하게 된 것으로 추측되고 모발에 있어 신장률이 증가하는 것은 그 만큼 분자의 구조가 느슨해지는 것이 고 탄력이 없어지며 모발이 거칠게 된다.

극 손상 모발의 경우 실험 과정 중에도 많은 변화가 있고 결과 또한 일정하지 않지만 인장강도와 신장률이 모두 감소함을 나타내는 경우가 많았다. 연구의 결과 다소 차이는 있으나 이러한 단점을 보완하기 위하여 본 연구는 SEM 사진 촬영을 병행하여 연구의 신뢰도를 높이고자 하였다.

시스테인HCL을 사용한 퍼머 웨이브가 티오글리콜산을 사용한 퍼머 웨이브보다 인장

99)강명이,염색 횟수에 따른 모발의 염색성과 모발의 손상 특성,광주여자대학교,석사학위논문,2007,p64 100)박진희,극 손상 염색모발의 Perm과정시 Ample의 열처리 효과에 관한 연구.대구카톨릭대학교 석사학위논

문,2003,p11,

101)김양자,Digitalsettingperm시 트리트먼트제 사용에 따른 모발의 Wave형성 및 손상에 미치는 영향,광주여 자대학교,석사학위논문,2005,p16

102)박진희,전게서,p20

103)채희옥,염색 모발에 대한 퍼머넌트 후 색상 변화 및 손상,광주여자대학교,석사학위논문,2005, p32

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